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통합 통합 (ICS) (10403)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지 sic 프로그램 가능
MT41K2G4TRF-125:E Micron Technology Inc. MT41K2G4TRF-125 : e -
RFQ
 ECAD 5022 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT41K2G4 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (9.5x11.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 800MHz 휘발성 휘발성 8gbit 13.5 ns 음주 2G X 4 평행한 -
M25P10-AVMN6TPYA TR Micron Technology Inc. M25P10-AVMN6TPYA TR -
RFQ
 ECAD 4411 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) M25P10 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 2,500 50MHz 비 비 1mbit 플래시 128k x 8 SPI 15ms, 5ms
MT28F400B3SG-8 B TR Micron Technology Inc. MT28F400B3SG-8 B TR -
RFQ
 ECAD 5095 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-SOIC (0.496 ", 12.60mm 너비) MT28F400B3 플래시 - 아니오 3V ~ 3.6V 44- 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 500 비 비 4mbit 80 ns 플래시 512k x 8, 256k x 16 평행한 80ns
PF38F4050M0Y3CFA Micron Technology Inc. PF38F4050M0Y3CFA -
RFQ
 ECAD 2645 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 107-TFBGA, CSPBGA 38F4050M0 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 107- sp SCSP - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 133 MHz 비 비 256mbit 96 ns 플래시 16m x 16 평행한 96ns
MT41K1G4RH-107:E TR Micron Technology Inc. MT41K1G4RH-107 : E TR -
RFQ
 ECAD 1743 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT41K1G4 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (9x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0036 1,000 933 MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 1g x 4 평행한 -
M29W800FT70N3E Micron Technology Inc. M29W800FT70N3E -
RFQ
 ECAD 6588 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M29W800 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0071 96 비 비 8mbit 70 ns 플래시 1m x 8, 512k x 16 평행한 70ns
MT53B256M32D1NK-062 XT ES:C TR Micron Technology Inc. MT53B256M32D1NK-062 XT ES : C TR -
RFQ
 ECAD 7854 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -30 ° C ~ 105 ° C (TC) - - MT53B256 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 1.6GHz 휘발성 휘발성 8gbit 음주 256m x 32 - -
M50FW040NB5G Micron Technology Inc. M50FW040NB5G -
RFQ
 ECAD 7239 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -20 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 32-TFSOP (0.488 ", 12.40mm 너비) M50FW040 플래시 - 아니오 3V ~ 3.6V 32-tsop - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 208 33MHz 비 비 4mbit 250 ns 플래시 512k x 8 평행한 -
MT25QU01GBBB8E12-0AAT TR Micron Technology Inc. MT25QU01GBBB8E12-0AAT TR 17.3100
RFQ
 ECAD 1760 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA MT25QU01 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 24-T-PBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 133 MHz 비 비 1gbit 플래시 128m x 8 SPI 8ms, 2.8ms
MT29C4G96MAZBBCJG-48 IT TR Micron Technology Inc. MT29C4G96MAZBBCJG-48 IT TR -
RFQ
 ECAD 4943 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 168-WFBGA MT29C4G96 플래시 -Nand, n lpdram 1.7V ~ 1.95V 168-WFBGA (12x12) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 208 MHz 비 비, 휘발성 4GBIT (NAND), 4GBIT (LPDRAM) 플래시, 램 256m x 16 (NAND), 128m x 32 (lpdram) 평행한 -
MT29RZ4B2DZZHHPS-18I.84F TR Micron Technology Inc. MT29RZ4B2DZZHHPS-18I.84F TR -
RFQ
 ECAD 6113 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 MT29RZ4 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 1,000
JS28F640P30B85A Micron Technology Inc. JS28F640P30B85A -
RFQ
 ECAD 3347 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) JS28F640P30 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 56-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 576 40MHz 비 비 64mbit 85 ns 플래시 4m x 16 평행한 85ns
MT29F256G08AUCABH3-10IT:A TR Micron Technology Inc. MT29F256G08AUCABH3-10IT : A TR -
RFQ
 ECAD 6484 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lbga MT29F256G08 플래시 -Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V 100-lbga (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100MHz 비 비 256gbit 플래시 32g x 8 평행한 -
MTFC32GJVED-IT Micron Technology Inc. MTFC32GJVED-IT -
RFQ
 ECAD 3163 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 169-VFBGA MTFC32G 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 169-VFBGA (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 256gbit 플래시 32g x 8 MMC -
M29W320DB70N3F TR Micron Technology Inc. M29W320DB70N3F TR 1.8532
RFQ
 ECAD 5523 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M29W320 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,500 비 비 32mbit 70 ns 플래시 4m x 8, 2m x 16 평행한 70ns 확인되지 확인되지
MT45W1MW16PDGA-70 IT TR Micron Technology Inc. MT45W1MW16PDGA-70 IT TR -
RFQ
 ECAD 9807 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 48-VFBGA MT45W1MW16 psram (의사 sram) 1.7V ~ 1.95V 48-VFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 16mbit 70 ns psram 1m x 16 평행한 70ns
MT25QU128ABB1EW7-CAUT TR Micron Technology Inc. MT25QU128ABB1EW7-CAUT TR -
RFQ
 ECAD 4304 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 MT25QU128 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 8-wpdfn (6x5) (MLP8) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 133 MHz 비 비 128mbit 플래시 16m x 8 SPI 8ms, 2.8ms
MT29F1G08ABADAH4-E:D Micron Technology Inc. mt29f1g08abadah4-e : d -
RFQ
 ECAD 5619 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA MT29F1G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 63-VFBGA (9x11) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1 비 비 1gbit 플래시 128m x 8 평행한 -
MT45W2MW16PAFA-85 WT Micron Technology Inc. MT45W2MW16PAFA-85 WT -
RFQ
 ECAD 9752 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 sic에서 중단되었습니다 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 48-VFBGA MT45W2MW16 psram (의사 sram) 1.7V ~ 1.95V 48-VFBGA (6x8) 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 휘발성 휘발성 32mbit 85 ns psram 2m x 16 평행한 85ns
MT29F2G08ABBEAH4:E TR Micron Technology Inc. MT29F2G08ABBEAH4 : E TR -
RFQ
 ECAD 9549 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA MT29F2G08 플래시 - NAND 1.7V ~ 1.95V 63-VFBGA (9x11) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 2gbit 플래시 256m x 8 평행한 -
EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR Micron Technology Inc. EDB5432BEBH-1DAAT-FR TR -
RFQ
 ECAD 3839 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 134-VFBGA EDB5432 sdram- 모바일 lpddr2 1.14V ~ 1.95V 134-VFBGA (10x11.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 1,000 533 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 음주 16m x 32 평행한 -
MT62F768M32D2DS-023 FAAT:B TR Micron Technology Inc. MT62F768M32D2DS-023 FAAT : B TR 25.6500
RFQ
 ECAD 3828 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 200-WFBGA sdram- 모바일 lpddr5 - 200-WFBGA (10x14.5) - 557-MT62F768M32D2DS-023FAAT : BTR 2,000 4.266 GHz 휘발성 휘발성 24gbit 음주 768m x 32 평행한 -
MT53D512M32D2DS-046 AAT:D Micron Technology Inc. MT53D512M32D2DS-046 AAT : d -
RFQ
 ECAD 2423 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 200-WFBGA MT53D512 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,360 2.133 GHz 휘발성 휘발성 16gbit 음주 512m x 32 - -
MT29F2G08ABAEAWP-ATX:E Micron Technology Inc. MT29F2G08ABAEAWP-ATX : e -
RFQ
 ECAD 4616 0.00000000 Micron Technology Inc. - 튜브 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F2G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 960 비 비 2gbit 플래시 256m x 8 평행한 -
MT52L512M32D2PF-093 WT:B Micron Technology Inc. MT52L512M32D2PF-093 WT : b -
RFQ
 ECAD 9388 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 178-VFBGA MT52L512 sdram- 모바일 lpddr3 1.2V 178-FBGA (11.5x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,890 1067 MHz 휘발성 휘발성 16gbit 음주 512m x 32 - -
MTFC16GAPALBH-AIT Micron Technology Inc. mtfc16gapalbh-ait -
RFQ
 ECAD 6278 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 153-TFBGA MTFC16 플래시 - NAND 1.7V ~ 1.9V 153-TFBGA (11.5x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,520 비 비 128gbit 플래시 16g x 8 MMC -
NAND512R3A2SZA6F Micron Technology Inc. NAND512R3A2SZA6F -
RFQ
 ECAD 8813 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 63-TFBGA NAND512 플래시 - NAND 1.7V ~ 1.95V 63-VFBGA (9x11) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 512mbit 50 ns 플래시 64m x 8 평행한 50ns
EDB4416BBBH-1DIT-F-R Micron Technology Inc. EDB4416BBBH-1DIT-FR -
RFQ
 ECAD 2799 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 134-WFBGA EDB4416 sdram- 모바일 lpddr2 1.14V ~ 1.95V 134-FBGA (10x11.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 533 MHz 휘발성 휘발성 4gbit 음주 256m x 16 평행한 -
MT52L256M64D2QA-125 XT:B Micron Technology Inc. MT52L256M64D2QA-125 XT : b -
RFQ
 ECAD 5805 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 - - - MT52L256 sdram- 모바일 lpddr3 1.2V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,190 800MHz 휘발성 휘발성 16gbit 음주 256m x 64 - -
EDW2032BBBG-6A-F-R TR Micron Technology Inc. EDW2032BBBG-6A-FR TR -
RFQ
 ECAD 4398 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 170-TFBGA EDW2032 sgram -gddr5 1.31V ~ 1.65V 170-FBGA (12x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0036 2,000 1.5GHz 휘발성 휘발성 2gbit 숫양 64m x 32 평행한 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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