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통합 통합 (ICS) (10403)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
EMF8132A3PF-DV-F-R TR Micron Technology Inc. EMF8132A3PF-DV-FR TR -
RFQ
 ECAD 7499 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 EMF8132 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 1,000
MT29F4G16AACWC:C TR Micron Technology Inc. MT29F4G16AACWC : C TR -
RFQ
 ECAD 3704 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F4G16 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 4gbit 플래시 256m x 16 평행한 -
MT28EW512ABA1HPN-0SIT Micron Technology Inc. mt28ew512aba1hpn-0sit -
RFQ
 ECAD 9142 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-VFBGA MT28ew512 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 56-VFBGA (7x9) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,560 비 비 512mbit 95 ns 플래시 64m x 8, 32m x 16 평행한 60ns
MT45V256KW16PEGA-70 WT TR Micron Technology Inc. MT45V256KW16PEGA-70 WT TR -
RFQ
 ECAD 2496 0.00000000 Micron Technology Inc. - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 48-VFBGA MT45V256KW16 psram (의사 sram) 2.7V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 4mbit 70 ns psram 256k x 16 평행한 70ns
MTFC128GAPALNS-AIT ES TR Micron Technology Inc. mtfc128gapalns-ait es tr -
RFQ
 ECAD 9038 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 153-TFBGA MTFC128 플래시 - NAND - 153-TFBGA (11.5x13) - 1 (무제한) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 1tbit 플래시 128g x 8 MMC -
MT29F256G08CJAAAWP-ITZ:A TR Micron Technology Inc. MT29F256G08CJAAAWP-ITZ : A TR -
RFQ
 ECAD 5743 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F256G08 플래시 -Nand (MLC) 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 256gbit 플래시 32g x 8 평행한 -
MTFC32GLUDM-WT Micron Technology Inc. MTFC32GLUDM-WT -
RFQ
 ECAD 5751 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 대부분 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 - MTFC32G 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 256gbit 플래시 32g x 8 MMC -
MT46H64M32LFMA-5 IT:B TR Micron Technology Inc. MT46H64M32LFMA-5 IT : B TR -
RFQ
 ECAD 1678 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 168-WFBGA MT46H64M32 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 168-WFBGA (12x12) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0036 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 2gbit 5 ns 음주 64m x 32 평행한 15ns
MT41K256M4JP-15E:G TR Micron Technology Inc. MT41K256M4JP-15E : G TR -
RFQ
 ECAD 1648 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT41K256M4 sdram -ddr3 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (8x11.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0036 1,000 667 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 13.5 ns 음주 256m x 4 평행한 -
MT29C8G96MAZBADKD-5 WT Micron Technology Inc. MT29C8G96MAZBADKD-5 WT -
RFQ
 ECAD 5806 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 168-VFBGA MT29C8G96 플래시 -Nand, n lpdram 1.7V ~ 1.95V 168-VFBGA (12x12) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 200MHz 비 비, 휘발성 8GBIT (NAND), 4GBIT (LPDRAM) 플래시, 램 512m x 16 (NAND), 128m x 32 (lpdram) 평행한 -
MT53D1G64D8NZ-046 WT ES:E Micron Technology Inc. MT53D1G64D8NZ-046 WT ES : e -
RFQ
 ECAD 5519 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 376-WFBGA MT53D1G64 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 376-WFBGA (14x14) - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,190 2.133 GHz 휘발성 휘발성 64gbit 음주 1G X 64 - -
MT42L64M32D1LF-18 IT:C Micron Technology Inc. MT42L64M32D1LF-18 IT : c -
RFQ
 ECAD 6363 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 168-WFBGA MT42L64M32 sdram- 모바일 lpddr2 1.14V ~ 1.3V 168-FBGA (12x12) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0036 1,008 533 MHz 휘발성 휘발성 2gbit 음주 64m x 32 평행한 -
MT29F128G08CFAAAWP-IT:A Micron Technology Inc. MT29F128G08CFAAAWP-IT : a -
RFQ
 ECAD 4883 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F128G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 128gbit 플래시 16g x 8 평행한 -
MT48LC4M16A2P-6A:J TR Micron Technology Inc. MT48LC4M16A2P-6A : J TR 3.9217
RFQ
 ECAD 2490 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC4M16A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 2,000 167 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.4 ns 음주 4m x 16 평행한 12ns
M29W160ET90N6 Micron Technology Inc. M29W160ET90N6 -
RFQ
 ECAD 8632 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M29W160 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 48-tsop - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 96 비 비 16mbit 90 ns 플래시 2m x 8, 1m x 16 평행한 90ns
MT40A256M16GE-083E AAT:B Micron Technology Inc. MT40A256M16GE-083E AAT : b -
RFQ
 ECAD 1175 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT40A256M16 sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 96-FBGA (9x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,020 1.2GHz 휘발성 휘발성 4gbit 음주 256m x 16 평행한 -
MT53D4DCTW-DC TR Micron Technology Inc. MT53D4DCTW-DC TR -
RFQ
 ECAD 6248 0.00000000 Micron Technology Inc. * 테이프 & tr (TR) 활동적인 MT53D4 - 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 2,000
MT53D2G32D8QD-062 WT:D Micron Technology Inc. MT53D2G32D8QD-062 WT : d -
RFQ
 ECAD 9049 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) MT53D2G32 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 1,360 1.6GHz 휘발성 휘발성 64gbit 음주 2G X 32 - -
MT48LC16M16A2P-6A IT:G Micron Technology Inc. MT48LC16M16A2P-6A IT : g -
RFQ
 ECAD 2026 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC16M16A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,080 167 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 16m x 16 평행한 12ns
MT46H256M32L4JV-5 IT:A Micron Technology Inc. MT46H256M32L4JV-5 IT : a -
RFQ
 ECAD 5199 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 168-VFBGA MT46H256M32 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 168-VFBGA (12x12) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 8gbit 5 ns 음주 256m x 32 평행한 15ns
MT53E2G32D4DT-046 WT ES:A Micron Technology Inc. MT53E2G32D4DT-046 WT ES : a 96.1650
RFQ
 ECAD 4720 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) MT53E2G32 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - 영향을받지 영향을받지 557-MT53E2G32D4DT-046WTES : a 136 2.133 GHz 휘발성 휘발성 64gbit 음주 2G X 32 - -
MT53D4DARN-DC Micron Technology Inc. MT53D4DARN-DC -
RFQ
 ECAD 4513 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 sic에서 중단되었습니다 MT53D4 - 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 1,008
NAND32GW3F2DDI6P Micron Technology Inc. NAND32GW3F2DDI6P -
RFQ
 ECAD 3547 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 쓸모없는 NAND32G - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 960
MT53B1DATG-DC Micron Technology Inc. MT53B1DATG-DC -
RFQ
 ECAD 6798 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 쓸모없는 sdram- 모바일 lpddr4 - 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 960 휘발성 휘발성 음주
MT41K512M16VRP-107 AAT:P Micron Technology Inc. MT41K512M16VRP-107 AAT : p 18.4350
RFQ
 ECAD 3457 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 상자 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (8x14) 다운로드 557-MT41K512M16VRP-107AAT : p 1 933 MHz 휘발성 휘발성 8gbit 20 ns 음주 512m x 16 평행한 15ns
MT53E512M64D2NZ-46 WT:B Micron Technology Inc. MT53E512M64D2NZ-46 WT : b 26.1150
RFQ
 ECAD 8555 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 활동적인 -25 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 376-WFBGA MT53E512 sdram- 모바일 lpddr4 1.06V ~ 1.17V 376-WFBGA (14x14) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 557-MT53E512M64D2NZ-46WT : b 1,190 2.133 GHz 휘발성 휘발성 32gbit 3.5 ns 음주 512m x 64 평행한 18ns
N25Q00AA13G1240E Micron Technology Inc. N25Q00AA13G1240E -
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 ECAD 2136 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-lbga N25Q00AA13 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 24-LPBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 557-1557 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 108 MHz 비 비 1gbit 플래시 256m x 4 SPI 8ms, 5ms
MT41K512M8RH-125 AIT:E TR Micron Technology Inc. MT41K512M8RH-125 AIT : E TR -
RFQ
 ECAD 3050 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT41K512M8 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (9x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 800MHz 휘발성 휘발성 4gbit 13.75 ns 음주 512m x 8 평행한 -
MT29F2G08ABBEAHC:E Micron Technology Inc. MT29F2G08ABBEAHC : e -
RFQ
 ECAD 1730 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA MT29F2G08 플래시 - NAND 1.7V ~ 1.95V 63-VFBGA (10.5x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,140 비 비 2gbit 플래시 256m x 8 평행한 -
MT28F800B3WG-9 BET TR Micron Technology Inc. MT28F800B3WG-9 BET TR -
RFQ
 ECAD 7701 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT28F800B3 플래시 - 아니오 3V ~ 3.6V 48-tsop i 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,000 비 비 8mbit 90 ns 플래시 1m x 8, 512k x 16 평행한 90ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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