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통합 통합 (ICS) (10403)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
M29F800DT70N6 Micron Technology Inc. M29F800DT70N6 -
RFQ
 ECAD 4038 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M29F800 플래시 - 아니오 4.5V ~ 5.5V 48-tsop - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 96 비 비 8mbit 70 ns 플래시 1m x 8, 512k x 16 평행한 70ns
MT44K16M36RB-125:A Micron Technology Inc. MT44K16M36RB-125 : a -
RFQ
 ECAD 4497 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 168-TBGA MT44K16M36 음주 1.28V ~ 1.42V 168-BGA (13.5x13.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,190 800MHz 휘발성 휘발성 576mbit 12 ns 음주 16m x 36 평행한 -
MT40A256M16LY-062E IT:F TR Micron Technology Inc. MT40A256M16LY-062E IT : F TR 9.1650
RFQ
 ECAD 2654 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT40A256M16 sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 96-FBGA (7.5x13.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 MT40A256M16LY-062EIT : FTR 귀 99 8542.32.0036 2,000 1.6GHz 휘발성 휘발성 4gbit 13.75 ns 음주 256m x 16 평행한 -
MT29F16G08ABACAWP:C Micron Technology Inc. MT29F16G08ABACAWP : c -
RFQ
 ECAD 9239 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F16G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 16gbit 플래시 2G X 8 평행한 -
NAND512R3A2SN6E Micron Technology Inc. NAND512R3A2SN6E -
RFQ
 ECAD 1676 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) NAND512 플래시 - NAND 1.7V ~ 1.95V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 512mbit 50 ns 플래시 64m x 8 평행한 50ns
MT28FW02GBBA1LPC-0AAT Micron Technology Inc. MT28FW02GBBA1LPC -0AAT 33.7050
RFQ
 ECAD 4991 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 64-lbga MT28FW02 플래시 - 아니오 1.7V ~ 3.6V 64-lbga (11x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0051 1,104 비 비 2gbit 105 ns 플래시 128m x 16 평행한 60ns
MT46V32M16FN-75 L:C TR Micron Technology Inc. MT46V32M16FN-75 L : C TR -
RFQ
 ECAD 1890 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA MT46V32M16 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 60-FBGA (10x12.5) - rohs 비준수 5 (48 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 750 ps 음주 32m x 16 평행한 15ns
MT46V64M8P-5B L IT:J Micron Technology Inc. MT46V64M8P-5B L IT : J. -
RFQ
 ECAD 6817 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V64M8 sdram -ddr 2.5V ~ 2.7V 66-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 1,080 200MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 64m x 8 평행한 15ns
M29F400BB90M1 Micron Technology Inc. M29F400BB90M1 -
RFQ
 ECAD 1139 0.00000000 Micron Technology Inc. - 튜브 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-SOIC (0.496 ", 12.60mm 너비) M29F400 플래시 - 아니오 4.5V ~ 5.5V 44- - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 16 비 비 4mbit 90 ns 플래시 512k x 8, 256k x 16 평행한 90ns
MT40A2G8SA-062E IT:F Micron Technology Inc. MT40A2G8SA-062E IT : f 14.9550
RFQ
 ECAD 9033 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT40A2G8 sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (7.5x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 557-MT40A2G8SA-062EIT : f 3A991B1A 8542.32.0071 1 1.6GHz 휘발성 휘발성 16gbit 19 ns 음주 2G X 8 평행한 15ns
MT46V128M4P-5B:J Micron Technology Inc. MT46V128M4P-5B : J. -
RFQ
 ECAD 1789 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V128M4 sdram -ddr 2.5V ~ 2.7V 66-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 128m x 4 평행한 15ns
M25PE16-VMW6G Micron Technology Inc. M25PE16-VMW6G -
RFQ
 ECAD 3242 0.00000000 Micron Technology Inc. - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) M25PE16 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8- w - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,800 75MHz 비 비 16mbit 플래시 2m x 8 SPI 15ms, 3ms
MT28HL64GRBA6EBL-0GCT Micron Technology Inc. MT28HL64GRBA6EBL-0GCT -
RFQ
 ECAD 8251 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 MT28HL64 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 270
MT46H64M16LFCK-5 L IT:A TR Micron Technology Inc. MT46H64M16LFCK-5 L IT : A TR -
RFQ
 ECAD 5221 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-VFBGA MT46H64M16 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 60-VFBGA (10x11.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 1gbit 5 ns 음주 64m x 16 평행한 15ns
MT29F64G08CBCBBH1-10:B TR Micron Technology Inc. MT29F64G08CBCBBH1-10 : B TR -
RFQ
 ECAD 1687 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-VBGA MT29F64G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 100-VBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100MHz 비 비 64gbit 플래시 8g x 8 평행한 -
MT41K256M16TW-107 IT:P Micron Technology Inc. MT41K256M16TW-107 IT : p 5.8903
RFQ
 ECAD 9348 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT41K256M16 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (8x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0036 1,224 933 MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 256m x 16 평행한 -
MT28HL32GQBB3ERK-0SCT Micron Technology Inc. MT28HL32GQBB3ERK-0SCT -
RFQ
 ECAD 6227 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 활동적인 MT28HL32 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 960
MT29F4T08GMLCEJ4:C Micron Technology Inc. MT29F4T08GMLCEJ4 : c 78.1500
RFQ
 ECAD 4679 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 활동적인 - 557-MT29F4T08GMLCEJ4 : c 1
MT25QL02GCBB8E12-0SIT Micron Technology Inc. MT25QL02GCBB8E12-0SIT 34.7400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA MT25QL02 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 24-T-PBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 133 MHz 비 비 2gbit 플래시 256m x 8 SPI 8ms, 2.8ms
MT29F128G08CBECBL95B3WC1-R Micron Technology Inc. MT29F128G08CBECBL95B3WC1-R -
RFQ
 ECAD 1569 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 주사위 MT29F128G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 주사위 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1 비 비 128gbit 플래시 16g x 8 평행한 -
MT29F4T08EQLEEG8-QD:E TR Micron Technology Inc. MT29F4T08EQLEEG8-QD : E TR 105.9600
RFQ
 ECAD 4206 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 557-MT29F4T08EQLEEG8-QD : ETR 2,000
MT28HL08GNBB3EBK-0GCT Micron Technology Inc. MT28HL08GNBB3EBK-0GCT 33.0000
RFQ
 ECAD 8772 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 활동적인 MT28HL08 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 270
MT62F1G32D2DS-023 IT:B TR Micron Technology Inc. MT62F1G32D2DS-023 IT : B TR 25.1400
RFQ
 ECAD 3922 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C 표면 표면 200-WFBGA sdram- 모바일 lpddr5 1.05V 200-WFBGA (10x14.5) - 557-MT62F1G32D2DS-023IT : BTR 2,000 3.2GHz 휘발성 휘발성 32gbit 음주 1g x 32 평행한 -
MT41K1G4RH-125:E Micron Technology Inc. MT41K1G4RH-125 : e -
RFQ
 ECAD 3649 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT41K1G4 sdram -ddr3 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (9x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 800MHz 휘발성 휘발성 4gbit 13.75 ns 음주 1g x 4 평행한 -
M25P40-VMC6GB Micron Technology Inc. M25P40-VMC6GB -
RFQ
 ECAD 7097 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-udfn n 패드 M25P40 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 8-UFDFPN (MLP8) (4x3) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0071 490 75MHz 비 비 4mbit 플래시 512k x 8 SPI 15ms, 5ms
MT46V128M4P-6T:F Micron Technology Inc. MT46V128M4P-6T : f -
RFQ
 ECAD 7395 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V128M4 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 128m x 4 평행한 15ns
MT29F4G01ABAFDWB-ITES:F Micron Technology Inc. MT29F4G01ABAFDWB-ites : f -
RFQ
 ECAD 2927 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-udfn MT29F4G01 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 8-updfn (8x6) (mlp8) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,920 비 비 4gbit 플래시 4g x 1 SPI -
MT48LC4M16A2TG-6 IT:G Micron Technology Inc. MT48LC4M16A2TG-6 IT : g -
RFQ
 ECAD 8941 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC4M16A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 167 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.5 ns 음주 4m x 16 평행한 12ns
M58LT256JST8ZA6F TR Micron Technology Inc. M58LT256JST8ZA6F TR -
RFQ
 ECAD 2587 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 80-lbga M58LT256 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 80-lbga (10x12) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 52MHz 비 비 256mbit 85 ns 플래시 16m x 16 평행한 85ns
MT49H8M36SJ-25E:B Micron Technology Inc. MT49H8M36SJ-25E : b -
RFQ
 ECAD 3627 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 144-TFBGA MT49H8M36 음주 1.7V ~ 1.9V 144-FBGA (18.5x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0028 1,120 400MHz 휘발성 휘발성 288mbit 15 ns 음주 8m x 36 평행한 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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