전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전압 - 공급 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 시계 시계 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 액세스 액세스 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MT29F2G08ABAGAWP-ite : G TR | 2.8500 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) | MT29F2G08 | 플래시 - NAND | 2.7V ~ 3.6V | 48-tsop i | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 비 비 | 2gbit | 플래시 | 256m x 8 | 평행한 | - | |||||
![]() | MT46H128M32L2KQ-48 WT : C. | - | ![]() | 9972 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 168-WFBGA | MT46H128M32 | sdram- 모바일 lpddr | 1.7V ~ 1.95V | 168-WFBGA (12x12) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1,008 | 208 MHz | 휘발성 휘발성 | 4gbit | 5 ns | 음주 | 128m x 32 | 평행한 | 14.4ns | ||
![]() | MT58L128L32F1T-8.5 | 3.0700 | ![]() | 3090 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | SyncBurst ™ | 대부분 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 100-lqfp | MT58L128L32 | SRAM | 3.135V ~ 3.6V | 100-TQFP (14x20.1) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100MHz | 휘발성 휘발성 | 4mbit | 8.5 ns | SRAM | 128k x 32 | 평행한 | - | ||
![]() | MT49H8M36FM-33 TR | - | ![]() | 7958 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 144-TFBGA | MT49H8M36 | 음주 | 1.7V ~ 1.9V | 144-FBGA (18.5x11) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 300MHz | 휘발성 휘발성 | 288mbit | 20 ns | 음주 | 8m x 36 | 평행한 | - | ||
![]() | M29W640GB70ZS6E | - | ![]() | 7657 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 64-lbga | M29W640 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 64-FBGA (11x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 160 | 비 비 | 64mbit | 70 ns | 플래시 | 8m x 8, 4m x 16 | 평행한 | 70ns | |||
![]() | MT29F256G08AKCBBK7-6 : B TR | - | ![]() | 5381 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | - | - | MT29F256G08 | 플래시 -Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | - | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1,000 | 167 MHz | 비 비 | 256gbit | 플래시 | 32g x 8 | 평행한 | - | ||||
![]() | JS28F640J3D75D TR | - | ![]() | 8530 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) | JS28F640J3 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 56-tsop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,600 | 비 비 | 64mbit | 75 ns | 플래시 | 8m x 8, 4m x 16 | 평행한 | 75ns | |||
![]() | N25Q064A13EW7DFF | - | ![]() | 6777 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-wdfn n 패드 | N25Q064A13 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 8-wpdfn (6x5) (MLP8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1 | 108 MHz | 비 비 | 64mbit | 플래시 | 16m x 4 | SPI | 8ms, 5ms | ||||
![]() | EDB4432BBBJ-1DAAT-FD | - | ![]() | 8621 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | 표면 표면 | 134-WFBGA | EDB4432 | sdram- 모바일 lpddr2 | 1.14V ~ 1.95V | 134-FBGA (10x11.5) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 2,100 | 533 MHz | 휘발성 휘발성 | 4gbit | 음주 | 128m x 32 | 평행한 | - | |||
MT48V8M32LFB5-8 IT TR | - | ![]() | 8235 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 90-VFBGA | MT48V8M32 | sdram- 모바일 lpsdr | 2.3V ~ 2.7V | 90-VFBGA (8x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 2 (1 년) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 125MHz | 휘발성 휘발성 | 256mbit | 7 ns | 음주 | 8m x 32 | 평행한 | 15ns | |||
![]() | MT53B128M32D1DS-062 AUT : A TR | - | ![]() | 9486 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | 표면 표면 | 200-WFBGA | MT53B128 | sdram- 모바일 lpddr4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.6GHz | 휘발성 휘발성 | 4gbit | 음주 | 128m x 32 | - | - | |||
![]() | M29W128GL60ZA6E | - | ![]() | 3961 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 64-TBGA | M29W128 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 64-TBGA (10x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 136 | 비 비 | 128mbit | 60 ns | 플래시 | 16m x 8, 8m x 16 | 평행한 | 60ns | ||||
![]() | MT29F16G08ADBCAH4 : c | - | ![]() | 2256 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 대부분 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 63-VFBGA | MT29F16G08 | 플래시 - NAND | 2.7V ~ 3.6V | 63-VFBGA (9x11) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,260 | 비 비 | 16gbit | 플래시 | 2G X 8 | 평행한 | - | ||||
![]() | MT29F256G08AMEBBK7-12 : B TR | - | ![]() | 1041 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | - | - | MT29F256G08 | 플래시 -Nand (SLC) | 2.5V ~ 3.6V | - | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1,000 | 83MHz | 비 비 | 256gbit | 플래시 | 32g x 8 | 평행한 | - | ||||
![]() | mtfc8gamalbh-aat | 11.1750 | ![]() | 5264 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 153-TFBGA | MTFC8 | 플래시 - NAND | - | 153-TFBGA (11.5x13) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,520 | 비 비 | 64gbit | 플래시 | 8g x 8 | MMC | - | ||||
![]() | MT49H32M18CFM-18 : b | - | ![]() | 5500 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | sic에서 중단되었습니다 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 144-TFBGA | MT49H32M18 | 음주 | 1.7V ~ 1.9V | 144-µBGA (18.5x11) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0028 | 1,000 | 533 MHz | 휘발성 휘발성 | 576mbit | 15 ns | 음주 | 32m x 18 | 평행한 | - | ||
![]() | MT46H32M32LFCM-5 IT : a | - | ![]() | 8092 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 90-VFBGA | MT46H32M32 | sdram- 모바일 lpddr | 1.7V ~ 1.95V | 90-VFBGA (10x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 200MHz | 휘발성 휘발성 | 1gbit | 5 ns | 음주 | 32m x 32 | 평행한 | 15ns | ||
![]() | PC28F256M29EWHB TR | - | ![]() | 9339 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 64-lbga | PC28F256 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 64-FBGA (11x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 비 비 | 256mbit | 100 ns | 플래시 | 32m x 8, 16m x 16 | 평행한 | 100ns | |||
![]() | MT29F128G08AUCBBH3-12 : B TR | - | ![]() | 8041 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 100-lbga | MT29F128G08 | 플래시 - NAND | 2.7V ~ 3.6V | 100-lbga (12x18) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 83MHz | 비 비 | 128gbit | 플래시 | 16g x 8 | 평행한 | - | ||||
![]() | MT29RZ4B4DZZMGWD-18I.80C TR | 19.5900 | ![]() | 990 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 162-VFBGA | MT29RZ4B4 | 플래시 -nand, dram -lpddr2 | 1.8V | 162-VFBGA (10.5x8) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 533 MHz | 비 비, 휘발성 | 4GBIT (NAND), 4GBIT (LPDDR2) | 플래시, 램 | 128m x 32 (NAND), 128m x 32 (LPDDR2) | 평행한 | - | |||
![]() | MT57W2MH8CF-6 | 28.3700 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 165-TBGA | MT57W2MH | sram- 동기 | 1.7V ~ 1.9V | 165-FBGA (13x15) | 다운로드 | rohs 비준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 167 MHz | 휘발성 휘발성 | 18mbit | SRAM | 2m x 8 | 평행한 | - | |||
![]() | MT53E4G32D8GS-046 WT : c | 127.0200 | ![]() | 4438 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 상자 | 활동적인 | -25 ° C ~ 85 ° C | - | - | sdram- 모바일 lpddr4 | - | - | - | 557-MT53E4G32D8GS-046WT : c | 1 | 2.133 GHz | 휘발성 휘발성 | 128gbit | 음주 | 4G X 32 | 평행한 | - | ||||||||
![]() | MT42L256M32D2LG-25 WT : a | - | ![]() | 1880 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 168-WFBGA | MT42L256M32 | sdram- 모바일 lpddr2 | 1.14V ~ 1.3V | 168-FBGA (12x12) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1,008 | 400MHz | 휘발성 휘발성 | 8gbit | 음주 | 256m x 32 | 평행한 | - | |||
![]() | MT29F128G08AEEBBH6-12 : b | - | ![]() | 4049 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 튜브 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 152-VBGA | MT29F128G08 | 플래시 - NAND | 2.7V ~ 3.6V | 152-VBGA (14x18) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1,120 | 83MHz | 비 비 | 128gbit | 플래시 | 16g x 8 | 평행한 | - | |||
![]() | MT51J256M32HF-60 : A TR | - | ![]() | 1880 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 170-TFBGA | MT51J256 | sgram -gddr5 | 1.31V ~ 1.39V, 1.46V ~ 1.55V | 170-FBGA (12x14) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 2,000 | 1.5GHz | 휘발성 휘발성 | 8gbit | 숫양 | 256m x 32 | 평행한 | - | |||
![]() | MT53E768M32D4DT-046 AAT : e | 29.2650 | ![]() | 4217 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | 표면 표면 | 200-VFBGA | MT53E768 | sdram- 모바일 lpddr4 | 1.1V | 200-VFBGA (10x14.5) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | MT53E768M32D4DT-046AAT : e | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1,360 | 2.133 GHz | 휘발성 휘발성 | 24gbit | 음주 | 768m x 32 | - | - | ||
![]() | MT29F4G16ABBFAH4-AATES : f | - | ![]() | 9723 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | 표면 표면 | 63-VFBGA | MT29F4G16 | 플래시 - NAND | 1.7V ~ 1.95V | 63-VFBGA (9x11) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,260 | 비 비 | 4gbit | 플래시 | 256m x 16 | 평행한 | - | ||||
![]() | MT29F64G08AKACAC5 : b | - | ![]() | 3920 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 대부분 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 52-VLGA | MT29F64G08 | 플래시 - NAND | 2.7V ~ 3.6V | 52-VLGA (18x14) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 비 비 | 64gbit | 플래시 | 8g x 8 | 평행한 | - | |||||
![]() | M29W160ET70N3E | - | ![]() | 8751 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) | M29W160 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 48-tsop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | -M29W160ET70N3E | 귀 99 | 8542.32.0071 | 96 | 비 비 | 16mbit | 70 ns | 플래시 | 2m x 8, 1m x 16 | 평행한 | 70ns | ||
![]() | NP8P128AE3T1760E | - | ![]() | 5927 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | OMNEO ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 64-TBGA | NP8P128A | PCM (PRAM) | 2.7V ~ 3.6V | 64-EASYBGA (8x10) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,800 | 비 비 | 128mbit | 135 ns | PCM (PRAM) | 16m x 8 | 평행, SPI | 135ns |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고