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통합 통합 (ICS) (10403)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
RC28F128J3F75G Micron Technology Inc. RC28F128J3F75G -
RFQ
 ECAD 8189 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-TBGA RC28F128 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-ESYBGA (10x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 864 비 비 128mbit 75 ns 플래시 16m x 8, 8m x 16 평행한 75ns
MT29C4G48MAZBAAKQ-5 WT TR Micron Technology Inc. MT29C4G48MAZBAAKQ-5 WT TR -
RFQ
 ECAD 6451 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 168-WFBGA MT29C4G48 플래시 -Nand, n lpdram 1.7V ~ 1.95V 168-WFBGA (12x12) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200MHz 비 비, 휘발성 4GBIT (NAND), 2GBIT (LPDRAM) 플래시, 램 256m x 16 (NAND), 128m x 16 (lpdram) 평행한 -
MT29F256G08EBHAFJ4-3R:A Micron Technology Inc. MT29F256G08EBHAFJ4-3R : a -
RFQ
 ECAD 3973 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 132-VBGA MT29F256G08 플래시 -Nand (TLC) 2.5V ~ 3.6V 132-VBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 333 MHz 비 비 256gbit 플래시 32g x 8 평행한 -
MT29F1T208EGCBBG1-37ES:B TR Micron Technology Inc. MT29F1T208EGCBBG1-37ES : B TR -
RFQ
 ECAD 7736 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 272-VFBGA MT29F1T208 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 272-VBGA (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 267 MHz 비 비 1.125tbit 플래시 144g x 8 평행한 -
M25P64-VMF3PB Micron Technology Inc. M25P64-VMF3PB -
RFQ
 ECAD 3122 0.00000000 Micron Technology Inc. - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) M25P64 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 16-SOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,225 75MHz 비 비 64mbit 플래시 8m x 8 SPI 15ms, 5ms
MT62F768M64D4EK-023 AIT:B TR Micron Technology Inc. MT62F768M64D4EK-023 AIT : B TR 43.5300
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 ECAD 3305 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C 표면 표면 441-TFBGA MT62F768 sdram- 모바일 lpddr5 - 441-TFBGA (14x14) - 557-MT62F768M64D4EK-023AIT : BTR 1,500 3.2GHz 휘발성 휘발성 48gbit 음주 768m x 64 평행한 -
MT29F32G08CBADBWP-12:D TR Micron Technology Inc. MT29F32G08CBADBWP-12 : D TR -
RFQ
 ECAD 6324 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F32G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,000 83MHz 비 비 32gbit 플래시 4G X 8 평행한 -
MT53D2G32D8QD-046 WT ES:E TR Micron Technology Inc. MT53D2G32D8QD-046 WT ES : E TR -
RFQ
 ECAD 5019 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) MT53D2G32 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 2,000 2.133 GHz 휘발성 휘발성 64gbit 음주 2G X 32 - -
MT29F6T08ETCBBM5-37ES:B TR Micron Technology Inc. MT29F6T08ETCBBM5-37ES : B TR -
RFQ
 ECAD 5873 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) - - MT29F6T08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 267 MHz 비 비 6tbit 플래시 768g x 8 평행한 -
M25P80-VMW6G Micron Technology Inc. M25P80-VMW6G -
RFQ
 ECAD 3068 0.00000000 Micron Technology Inc. - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) M25P80 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8- w 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,800 75MHz 비 비 8mbit 플래시 1m x 8 SPI 15ms, 5ms
EDB8164B4PT-1DAT-F-R Micron Technology Inc. EDB8164B4PT-1DAT-FR -
RFQ
 ECAD 4819 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 216-WFBGA EDB8164 sdram- 모바일 lpddr2 1.14V ~ 1.95V 216-FBGA (12x12) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 533 MHz 휘발성 휘발성 8gbit 음주 128m x 64 평행한 -
MT58L64L18FT-7.5 Micron Technology Inc. MT58L64L18ft-7.5 7.6100
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 ECAD 9 0.00000000 Micron Technology Inc. SyncBurst ™ 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp sram- 표준 3.135V ~ 3.6V 100-TQFP (14x20.1) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 3A991B2B 8542.32.0041 1 133 MHz 휘발성 휘발성 1mbit 7.5 ns SRAM 64k x 18 평행한 -
MT49H8M36BM-25E:B TR Micron Technology Inc. MT49H8M36BM-25E : B TR -
RFQ
 ECAD 6654 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 144-TFBGA MT49H8M36 음주 1.7V ~ 1.9V 144-µBGA (18.5x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 400MHz 휘발성 휘발성 288mbit 15 ns 음주 8m x 36 평행한 -
MT62F1G32D4DS-031 WT:B Micron Technology Inc. MT62F1G32D4DS-031 WT : b 23.3100
RFQ
 ECAD 3803 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 활동적인 -25 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 200-WFBGA sdram- 모바일 lpddr5 1.05V 200-WFBGA (10x14.5) - 557-MT62F1G32D4DS-031WT : b 1 3.2GHz 휘발성 휘발성 32gbit 음주 1g x 32 평행한 -
MT62F1G32D2DS-023 WT ES:B TR Micron Technology Inc. MT62F1G32D2DS-023 WT ES : B TR 40.9200
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 ECAD 7633 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -25 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 200-WFBGA sdram- 모바일 lpddr5 1.05V 200-WFBGA (10x14.5) - 557-MT62F1G32D2DS-023WTES : BTR 2,000 3.2GHz 휘발성 휘발성 32gbit 음주 1g x 32 평행한 -
MT35XL256ABA2G12-0AAT Micron Technology Inc. MT35XL256ABA2G12-0AAT -
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 ECAD 4365 0.00000000 Micron Technology Inc. XCCELA ™ -MT35X 대부분 마지막으로 마지막으로 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 24-TBGA MT35XL256 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 24-T-PBGA (6x8) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 133 MHz 비 비 256mbit 플래시 32m x 8 xccela 버스 -
MT28F320J3RP-11 MET TR Micron Technology Inc. MT28F320J3RP-11을 만났다 -
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 ECAD 9617 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT28F320J3 플래시 2.7V ~ 3.6V 56-tsop 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 32mbit 110 ns 플래시 4m x 8, 2m x 16 평행한 -
EDFA332A3PB-JD-F-D Micron Technology Inc. EDFA332A3PB-JD-FD -
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 ECAD 9957 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - EDFA232 sdram- 모바일 lpddr3 1.14V ~ 1.95V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,260 933 MHz 휘발성 휘발성 16gbit 음주 512m x 32 평행한 -
MTFC64GJVDN-3M WT Micron Technology Inc. MTFC64GJVDN-3M WT -
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 ECAD 6679 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 쟁반 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 169-LFBGA MTFC64 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 169-LFBGA (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 512gbit 플래시 64g x 8 MMC -
N25W032A11EF640F TR Micron Technology Inc. N25W032A11EF640F TR -
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 ECAD 6897 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 N25W032 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 8-vdfpn (6x5) (MLP8) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 108 MHz 비 비 32mbit 플래시 8m x 4 SPI -
MT41K256M8DA-125:K Micron Technology Inc. MT41K256M8DA-125 : k 5.3700
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 ECAD 29 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT41K256M8 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1 800MHz 휘발성 휘발성 2gbit 13.75 ns 음주 256m x 8 평행한 -
M29W128GL7AZS6F TR Micron Technology Inc. M29W128GL7AZS6F TR -
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 ECAD 2075 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-lbga M29W128 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-FBGA (11x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 비 비 128mbit 70 ns 플래시 16m x 8, 8m x 16 평행한 70ns
MT29F512G08EEHAFJ4-3RES:A Micron Technology Inc. MT29F512G08EEHAFJ4-3RES : a -
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 ECAD 3574 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 132-VBGA MT29F512G08 플래시 -Nand (TLC) 2.5V ~ 3.6V 132-VBGA (12x18) - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 333 MHz 비 비 512gbit 플래시 64g x 8 평행한 -
MT29F1G16ABBDAHC-IT:D Micron Technology Inc. MT29F1G16ABBDAHC-IT : d -
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 ECAD 4780 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA MT29F1G16 플래시 - NAND 1.7V ~ 1.95V 63-VFBGA (10.5x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,140 비 비 1gbit 플래시 64m x 16 평행한 -
MT46H128M32L2KQ-48 WT:C TR Micron Technology Inc. MT46H128M32L2KQ-48 WT : C TR -
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 ECAD 1172 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 168-WFBGA MT46H128M32 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 168-WFBGA (12x12) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 208 MHz 휘발성 휘발성 4gbit 5 ns 음주 128m x 32 평행한 14.4ns
N25Q128A11ESE40F TR Micron Technology Inc. N25Q128A11ESE40F TR -
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 ECAD 8727 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) N25Q128A11 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,500 108 MHz 비 비 128mbit 플래시 32m x 4 SPI 8ms, 5ms
N25Q064A13ESF40F TR Micron Technology Inc. N25Q064A13ESF40F TR -
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 ECAD 6083 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) N25Q064A13 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 16- 형의 행위 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 108 MHz 비 비 64mbit 플래시 16m x 4 SPI 8ms, 5ms
MT29C4G96MAAGBACKD-5 WT TR Micron Technology Inc. MT29C4G96MAAGBACKD-5 WT TR -
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 ECAD 5160 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 137-VFBGA MT29C4G96 플래시 -Nand, n lpdram 1.7V ~ 1.95V 137-VFBGA (13x10.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200MHz 비 비, 휘발성 4GBIT (NAND), 4GBIT (LPDRAM) 플래시, 램 256m x 16 (NAND), 128m x 32 (lpdram) 평행한 -
MT53D384M32D2DS-053 WT ES:C Micron Technology Inc. MT53D384M32D2DS-053 WT ES : c -
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 ECAD 6212 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 200-WFBGA MT53D384 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,360 1.866 GHz 휘발성 휘발성 12gbit 음주 384m x 32 - -
MT41K64M16TW-107 IT:J Micron Technology Inc. MT41K64M16TW-107 IT : J. -
RFQ
 ECAD 8187 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT41K64M16 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (8x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,368 933 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 64m x 16 평행한 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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