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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
MT29VZZZ7C8DQFSL-046 W.9J8 TR Micron Technology Inc. MT29VZZZ7C8DQFSL-046 W.9J8 TR -
RFQ
ECAD 5705 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 MT29VZZZ7 - 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 1,000
MT53B256M32D1NK-062 XT ES:C Micron Technology Inc. MT53B256M32D1NK-062 XT ES : C. -
RFQ
ECAD 1515 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -30 ° C ~ 105 ° C (TC) - - MT53B256 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - - 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 1,190 1.6GHz 휘발성 휘발성 8gbit 음주 256m x 32 - -
MT40A512M16TD-062E AIT:R TR Micron Technology Inc. MT40A512MM16TD-062E AIT : R TR -
RFQ
ECAD 4133 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 96-TFBGA 96-FBGA (7.5x13) - 영향을받지 영향을받지 557-MT40A512MM16TD-062EAIT : RTR 1
MT48LC64M4A2P-7E:G TR Micron Technology Inc. MT48LC64M4A2P-7E : G TR -
RFQ
ECAD 6509 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC64M4A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 64m x 4 평행한 14ns
MT29F2G08ABBFAH4-IT:F TR Micron Technology Inc. MT29F2G08ABBFAH4-IT : F TR -
RFQ
ECAD 9556 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA MT29F2G08 플래시 - NAND 1.7V ~ 1.95V 63-VFBGA (9x11) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,000 비 비 2gbit 플래시 256m x 8 평행한 -
MT29F4G16ABBDAHC-IT:D TR Micron Technology Inc. MT29F4G16ABBDAHC-IT : D TR -
RFQ
ECAD 7337 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA MT29F4G16 플래시 - NAND 1.7V ~ 1.95V 63-VFBGA (10.5x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 4gbit 플래시 256m x 16 평행한 -
MT29F64G08CBCGBSX-37BES:G TR Micron Technology Inc. MT29F64G08CBCGBSX-37BES : G TR -
RFQ
ECAD 4067 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) - - MT29F64G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 267 MHz 비 비 64gbit 플래시 8g x 8 평행한 -
MT48LC2M32B2P-6A IT:J Micron Technology Inc. MT48LC2M32B2P-6A IT : J. -
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ECAD 2534 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC2M32B2 sdram 3V ~ 3.6V 86-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,080 167 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.4 ns 음주 2m x 32 평행한 12ns
M25PX80-VMP6TGAD TR Micron Technology Inc. M25PX80-VMP6TGAD TR -
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ECAD 2191 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 M25PX80 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 8-VFQFPN (6x5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 4,000 75MHz 비 비 8mbit 플래시 1m x 8 SPI 15ms, 5ms
JR28F032M29EWBA Micron Technology Inc. jr28f032m29ewba -
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ECAD 4504 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) JR28F032M29 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 96 비 비 32mbit 70 ns 플래시 4m x 8, 2m x 16 평행한 70ns
MT53B768M32D4DT-062 AIT:B TR Micron Technology Inc. MT53B768M32D4DT-062 AIT : B TR -
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ECAD 7203 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 200-VFBGA MT53B768 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 200-VFBGA (10x14.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 1.6GHz 휘발성 휘발성 24gbit 음주 768m x 32 - -
MT29F2G08ABAGAM79A3WC1 Micron Technology Inc. MT29F2G08ABAGAM79A3WC1 -
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ECAD 2148 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 주사위 MT29F2G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 주사위 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1 비 비 2gbit 플래시 256m x 8 평행한 -
MT29F1G08ABBFAH4-AAT:F Micron Technology Inc. MT29F1G08ABBFAH4-AAT : f 2.9984
RFQ
ECAD 3752 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA MT29F1G08 플래시 -Nand (SLC) 1.7V ~ 1.95V 63-VFBGA (9x11) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 557-MT29F1G08ABBFAH4-AAT : f 8542.32.0071 210 비 비 1gbit 25 ns 플래시 128m x 8 평행한 25ns
MT46V32M8CY-5B:M TR Micron Technology Inc. MT46V32M8CY-5B : M TR -
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ECAD 2246 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA MT46V32M8 sdram -ddr 2.5V ~ 2.7V 60-FBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 256mbit 700 PS 음주 32m x 8 평행한 15ns
MT29F2G08ABAEAH4-IT:E Micron Technology Inc. MT29F2G08ABAEAH4-IT : e 3.9000
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ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA MT29F2G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 63-VFBGA (9x11) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 비 비 2gbit 플래시 256m x 8 평행한 -
MT29F512G08CKCBBH7-6R:B TR Micron Technology Inc. MT29F512G08CKCBBH7-6R : B TR -
RFQ
ECAD 9539 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 152-TBGA MT29F512G08 플래시 -Nand (MLC) 2.7V ~ 3.6V 152-TBGA (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,000 166 MHz 비 비 512gbit 플래시 64g x 8 평행한 -
MT53B128M32D1DS-062 AIT:A TR Micron Technology Inc. MT53B128M32D1DS-062 AIT : A TR -
RFQ
ECAD 2794 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 200-WFBGA MT53B128 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 1.6GHz 휘발성 휘발성 4gbit 음주 128m x 32 - -
MT47H64M8CF-25E IT:G Micron Technology Inc. MT47H64M8CF-25E IT : g -
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ECAD 4233 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 60-TFBGA MT47H64M8 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 60-FBGA (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 1,000 400MHz 휘발성 휘발성 512mbit 400 PS 음주 64m x 8 평행한 15ns
MT29F256G08CECABH6-10:A Micron Technology Inc. MT29F256G08CECABH6-10 : a -
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ECAD 6230 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 557-MT29F256G08CECABH6-10 : a 쓸모없는 1,000
MT29C1G56MAACAAAMD-5 IT Micron Technology Inc. MT29C1G56MAACAAAMD-5 IT -
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ECAD 9581 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 130-VFBGA MT29C1G56 플래시 -Nand, n lpdram 1.7V ~ 1.95V 130-VFBGA (8x9) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200MHz 비 비, 휘발성 1gbit (nand), 256mbit (lpdram) 플래시, 램 64m x 16 (NAND), 16m x 16 (LPDRAM) 평행한 -
MT58L256L32PS-7.5 Micron Technology Inc. MT58L256L32PS-7.5 8.9300
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ECAD 9 0.00000000 Micron Technology Inc. SyncBurst ™ 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp MT58L256L32 sram- 동기 3.135V ~ 3.6V 100-TQFP (14x20.1) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 휘발성 휘발성 8mbit 4 ns SRAM 256k x 32 평행한 -
MTFC64GAZAQHD-IT TR Micron Technology Inc. MTFC64GAZAQHD-IT TR 29.3250
RFQ
ECAD 4075 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 153-VFBGA MTFC64 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 153-VFBGA (11.5x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 557-MTFC64GAZAQHD-ITTR 2,000 200MHz 비 비 512gbit 플래시 64g x 8 EMMC -
MT58L128L36F1T-8.5C Micron Technology Inc. MT58L128L36F1T-8.5C 5.2200
RFQ
ECAD 19 0.00000000 Micron Technology Inc. SyncBurst ™ 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp sram- 표준 3.135V ~ 3.6V 100-TQFP (14x20.1) 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 3A991B2A 8542.32.0041 1 100MHz 휘발성 휘발성 4mbit 8.5 ns SRAM 128k x 36 평행한 -
MT62F2G64D8EK-023 WT:C TR Micron Technology Inc. MT62F2G64D8EK-023 WT : C TR 90.4650
RFQ
ECAD 4584 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -25 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 441-TFBGA sdram- 모바일 lpddr5 1.05V 441-TFBGA (14x14) - 557-MT62F2G64D8EK-023WT : CTR 2,000 4.266 GHz 휘발성 휘발성 128gbit 음주 2G X 64 평행한 -
PC28F512P33EF0 Micron Technology Inc. PC28F512P33EF0 -
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ECAD 4194 0.00000000 Micron Technology Inc. Axcell ™ 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-TBGA PC28F512 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 64-EASYBGA (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 184 52MHz 비 비 512mbit 95 ns 플래시 32m x 16 평행한 95ns
MT58L512Y36FT-6.8 Micron Technology Inc. MT58L512Y36ft-6.8 18.6700
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ECAD 607 0.00000000 Micron Technology Inc. SyncBurst ™ 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp sram- 표준 3.135V ~ 3.465V 100-TQFP (14x20.1) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 휘발성 휘발성 18mbit 6.8 ns SRAM 512k x 36 평행한 -
M29W640GL70ZF6F TR Micron Technology Inc. M29W640GL70ZF6F TR -
RFQ
ECAD 4793 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-TBGA M29W640 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-TBGA (10x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 비 비 64mbit 70 ns 플래시 8m x 8, 4m x 16 평행한 70ns
JS28F512M29EWH0 Micron Technology Inc. JS28F512M29ewh0 -
RFQ
ECAD 3576 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) JS28F512M29 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 56-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0051 96 비 비 512mbit 110 ns 플래시 64m x 8, 32m x 16 평행한 110ns
PC28F128P30T85A Micron Technology Inc. PC28F128P30T85A -
RFQ
ECAD 3569 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-TBGA PC28F128 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 64-ESYBGA (10x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 864 52MHz 비 비 128mbit 85 ns 플래시 8m x 16 평행한 85ns
MT44K16M36RB-107E IT:B Micron Technology Inc. MT44K16M36RB-107E IT : b -
RFQ
ECAD 9522 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 168-TBGA MT44K16M36 음주 1.28V ~ 1.42V 168-BGA (13.5x13.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1,190 933 MHz 휘발성 휘발성 576mbit 8 ns 음주 16m x 36 평행한 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고