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MT48LC8M16LFF4-75 IT:G Micron Technology Inc. MT48LC8M16LFF4-75 IT : g -
RFQ
ECAD 9711 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-VFBGA MT48LC8M16 sdram- 모바일 lpsdr 3V ~ 3.6V 54-VFBGA (8x8) 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 8m x 16 평행한 15ns
MT41K256M16RE-15E IT:D Micron Technology Inc. MT41K256M16RE-15E IT : d -
RFQ
ECAD 3674 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT41K256M16 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (10x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0036 1,000 667 MHz 휘발성 휘발성 4gbit 13.5 ns 음주 256m x 16 평행한 -
MT29E512G08CKCBBH7-6:B TR Micron Technology Inc. MT29E512G08CKCBBH7-6 : B TR -
RFQ
ECAD 9839 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 - MT29E512G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 152-TBGA - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,000 167 MHz 비 비 512gbit 플래시 64g x 8 평행한 -
MT48H16M32L2B5-8 TR Micron Technology Inc. MT48H16M32L2B5-8 TR -
RFQ
ECAD 4014 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 90-VFBGA MT48H16M32 sdram- 모바일 lpsdr 1.7V ~ 1.9V 90-VFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 125MHz 휘발성 휘발성 512mbit 7.5 ns 음주 16m x 32 평행한 -
MTFC16GJTEC-IT TR Micron Technology Inc. MTFC16GJTEC-IT TR -
RFQ
ECAD 1805 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 - MTFC16G 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 128gbit 플래시 16g x 8 MMC -
MT62F1G32D2DS-023 AAT:C TR Micron Technology Inc. MT62F1G32D2DS-023 AAT : C TR 31.9350
RFQ
ECAD 2943 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 200-WFBGA sdram- 모바일 lpddr5 1.05V 200-WFBGA (10x14.5) - 557-MT62F1G32D2DS-023AAT : CTR 2,000 3.2GHz 휘발성 휘발성 32gbit 음주 1g x 32 평행한 -
MT47H64M8JN-25E IT:G Micron Technology Inc. MT47H64M8JN-25E IT : g -
RFQ
ECAD 3165 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 60-TFBGA MT47H64M8 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 60-FBGA (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0028 1,000 400MHz 휘발성 휘발성 512mbit 400 PS 음주 64m x 8 평행한 15ns
M29F200FT55M3E2 Micron Technology Inc. M29F200FT55M3E2 -
RFQ
ECAD 7759 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 44-SOIC (0.496 ", 12.60mm 너비) M29F200 플래시 - 아니오 4.5V ~ 5.5V 44- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 40 비 비 2mbit 55 ns 플래시 256k x 8, 128k x 16 평행한 55ns
MT53B384M32D2DS-062 AUT:B TR Micron Technology Inc. MT53B384M32D2DS-062 AUT : B TR -
RFQ
ECAD 8189 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TC) 표면 표면 200-WFBGA MT53B384 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 1.6GHz 휘발성 휘발성 12gbit 음주 384m x 32 - -
MT53E1536M32D4DE-046 WT:B Micron Technology Inc. MT53E1536M32D4DE-046 WT : b 36.0000
RFQ
ECAD 4958 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 활동적인 -25 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 200-TFBGA sdram- 모바일 lpddr4x 1.06V ~ 1.17V 200-TFBGA (10x14.5) - 557-MT53E1536M32D4DE-046WT : b 1 2.133 GHz 휘발성 휘발성 48gbit 3.5 ns 음주 1.5GX 32 평행한 18ns
MT41K64M16JT-125:G Micron Technology Inc. MT41K64M16JT-125 : g -
RFQ
ECAD 7092 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT41K64M16 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (8x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0036 1,000 800MHz 휘발성 휘발성 1gbit 13.75 ns 음주 64m x 16 평행한 -
PC28F640P30BF65A Micron Technology Inc. PC28F640P30BF65A -
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ECAD 5067 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-TBGA PC28F640 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 64-ESYBGA (10x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 864 52MHz 비 비 64mbit 65 ns 플래시 4m x 16 평행한 65ns
MT48LC16M16A2FG-75 IT:D TR Micron Technology Inc. MT48LC16M16A2FG-75 IT : D TR -
RFQ
ECAD 9090 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-VFBGA MT48LC16M16A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-VFBGA (8x14) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 16m x 16 평행한 15ns
MT46V64M8BN-6:F TR Micron Technology Inc. MT46V64M8BN-6 : F TR -
RFQ
ECAD 1776 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA MT46V64M8 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 60-FBGA (10x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 64m x 8 평행한 15ns
MT29F2G01ABAGD12-IT:G TR Micron Technology Inc. MT29F2G01ABAGD12-IT : G TR -
RFQ
ECAD 5973 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA MT29F2G01 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 24-T-PBGA (6x8) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83MHz 비 비 2gbit 플래시 2G x 1 SPI -
MT48LC16M8A2P-75IT:GTR Micron Technology Inc. MT48LC16M8A2P-75IT : GTR -
RFQ
ECAD 8409 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC16M8A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 16m x 8 평행한 15ns
M29F400BB55N6T TR Micron Technology Inc. M29F400BB55N6T TR -
RFQ
ECAD 2293 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M29F400 플래시 - 아니오 4.5V ~ 5.5V 48-tsop - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,500 비 비 4mbit 55 ns 플래시 512k x 8, 256k x 16 평행한 55ns
MT42L16M32D1AC-25 AAT:A Micron Technology Inc. MT42L16M32D1AC-25 AAT : a -
RFQ
ECAD 9150 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 134-VFBGA MT42L16M32 sdram- 모바일 lpddr2 1.14V ~ 1.95V 134-VFBGA (10x11.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 400MHz 휘발성 휘발성 512mbit 음주 16m x 32 평행한 -
M29W064FB6AZA6F TR Micron Technology Inc. M29W064FB6AZA6F TR -
RFQ
ECAD 5165 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA M29W064 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 비 비 64mbit 60 ns 플래시 8m x 8, 4m x 16 평행한 60ns
MT29F32G08AFABAWP-IT:B Micron Technology Inc. MT29F32G08AFABAWP-IT : b -
RFQ
ECAD 9164 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F32G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 32gbit 플래시 4G X 8 평행한 -
MT55L256L36PT-10 Micron Technology Inc. MT55L256L36PT-10 8.2400
RFQ
ECAD 82 0.00000000 Micron Technology Inc. ZBT® 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp MT55L256L sram-동기, zbt 3.135V ~ 3.465V 100-TQFP (14x20.1) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 3A991B2A 8542.32.0041 1 100MHz 휘발성 휘발성 8mbit 5 ns SRAM 256k x 36 평행한 -
MT29F2G01ABBGDWB-IT:G TR Micron Technology Inc. MT29F2G01ABBGDWB-IT : G TR 2.8500
RFQ
ECAD 27 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-udfn MT29F2G01 플래시 - NAND 1.7V ~ 1.95V 8-updfn (8x6) (mlp8) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 비 비 2gbit 플래시 2G x 1 SPI -
MT53E768M32D4DT-053 AAT:E Micron Technology Inc. MT53E768M32D4DT-053 AAT : e 29.2650
RFQ
ECAD 3286 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TC) 표면 표면 200-VFBGA MT53E768 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 200-VFBGA (10x14.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 MT53E768M32D4DT-053AAT : e 귀 99 8542.32.0036 1,360 1.866 GHz 휘발성 휘발성 24gbit 음주 768m x 32 - -
M29F800DT70N6 Micron Technology Inc. M29F800DT70N6 -
RFQ
ECAD 4038 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M29F800 플래시 - 아니오 4.5V ~ 5.5V 48-tsop - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 96 비 비 8mbit 70 ns 플래시 1m x 8, 512k x 16 평행한 70ns
MT40A8G4KVA-075H:G TR Micron Technology Inc. MT40A8G4KVA-075H : G TR -
RFQ
ECAD 9182 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT40A8G4 sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (8x12) - Rohs3 준수 3 (168 시간) MT40A8G4KVA-075H : GTR 쓸모없는 0000.00.0000 2,000 1.33 GHz 비 비 32gbit 27 ns 음주 8g x 4 평행한 -
MT29F64G08AFAAAWP-Z:A TR Micron Technology Inc. MT29F64G08AFAAAWP-Z : A TR -
RFQ
ECAD 4494 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F64G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 64gbit 플래시 8g x 8 평행한 -
MT53B512M32D2DS-062 XT:C TR Micron Technology Inc. MT53B512M32D2DS-062 XT : C TR -
RFQ
ECAD 9161 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 200-WFBGA MT53B512 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 1.6GHz 휘발성 휘발성 16gbit 음주 512m x 32 - -
MT46H64M32LFBQ-48 AIT:C Micron Technology Inc. MT46H64M32LFBQ-48 AIT : c 9.8850
RFQ
ECAD 3730 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-VFBGA MT46H64M32 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 90-VFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,440 208 MHz 휘발성 휘발성 2gbit 5 ns 음주 64m x 32 평행한 14.4ns
MT48H8M16LFB4-8 IT TR Micron Technology Inc. MT48H8M16LFB4-8 IT TR -
RFQ
ECAD 7666 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-VFBGA MT48H8M16 sdram- 모바일 lpsdr 1.7V ~ 1.9V 54-VFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 125MHz 휘발성 휘발성 128mbit 7 ns 음주 8m x 16 평행한 15ns
EDFA364A3PM-GD-F-D Micron Technology Inc. EDFA364A3PM-GD-FD -
RFQ
ECAD 3112 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) EDFA364 sdram- 모바일 lpddr3 1.14V ~ 1.95V - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,190 800MHz 휘발성 휘발성 16gbit 음주 256m x 64 평행한 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고