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통합 통합 (ICS) (10403)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
MT29F2T08ELLCEG7-R:C Micron Technology Inc. MT29F2T08ELLCEG7-R : C. 60.5400
RFQ
 ECAD 1551 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 활동적인 - 557-MT29F2T08ELLCEG7-R : C. 1
MT53E1536M32D4DE-046 WT:B TR Micron Technology Inc. MT53E1536M32D4DE-046 WT : B TR 36.0000
RFQ
 ECAD 4674 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -25 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 200-TFBGA sdram- 모바일 lpddr4x 1.06V ~ 1.17V 200-TFBGA (10x14.5) - 557-MT53E1536M32D4DE-046WT : BTR 2,000 2.133 GHz 휘발성 휘발성 48gbit 3.5 ns 음주 1.5GX 32 평행한 18ns
MT58L256L32DT-7.5 Micron Technology Inc. MT58L256L32DT-7.5 4.6200
RFQ
 ECAD 80 0.00000000 Micron Technology Inc. SyncBurst ™ 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp MT58L256L32 sram- 동기 3.135V ~ 3.6V 100-TQFP (14x20.1) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 휘발성 휘발성 8mbit 4 ns SRAM 256k x 32 평행한 -
MTFC32GASAONS-AIT TR Micron Technology Inc. MTFC32GASAONS-AIAT TR 21.1800
RFQ
 ECAD 3919 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q104 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 153-TFBGA 플래시 -Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V 153-TFBGA (11.5x13) - 557-MTFC32GASAONS-AITTR 2,000 52MHz 비 비 256gbit 플래시 32g x 8 UFS2.1 -
EDBA164B2PF-1D-F-D Micron Technology Inc. EDBA164B2PF-1D-FD -
RFQ
 ECAD 6282 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 - EDBA164 sdram- 모바일 lpddr2 1.14V ~ 1.95V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,260 533 MHz 휘발성 휘발성 16gbit 음주 256m x 64 평행한 -
MT53E1G16D1Z42NWC1 Micron Technology Inc. MT53E1G16D1Z42NWC1 18.5900
RFQ
 ECAD 4472 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 활동적인 - 557-MT53E1G16D1Z42NWC1 1
M29F200FT55M3F2 TR Micron Technology Inc. M29F200FT55M3F2 TR -
RFQ
 ECAD 9173 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 44-SOIC (0.496 ", 12.60mm 너비) M29F200 플래시 - 아니오 4.5V ~ 5.5V 44- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 500 비 비 2mbit 55 ns 플래시 256k x 8, 128k x 16 평행한 55ns
MT62F2G64D8CL-023 WT:B Micron Technology Inc. MT62F2G64D8CL-023 WT : b 74.4900
RFQ
 ECAD 4341 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 활동적인 -25 ° C ~ 85 ° C - - sdram -ddr5 1.05V - - 557-MT62F2G64D8CL-023WT : b 1 4.266 GHz 휘발성 휘발성 128gbit 음주 2G X 64 평행한 -
MT40A4G4JC-062E:E TR Micron Technology Inc. MT40A4G4JC-062E : E TR -
RFQ
 ECAD 2678 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (9x11) 다운로드 557-MT40A4G4JC-062E : ETR 쓸모없는 2,000 1.6GHz 휘발성 휘발성 16gbit 19 ns 음주 4G X 4 현물 현물 지불 15ns
MT60B1G16HC-52B IT:G Micron Technology Inc. MT60B1G16HC-52B IT : g 18.2400
RFQ
 ECAD 7376 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 활동적인 - 557-MT60B1G16HC-52 비트 : g 1
RC28F256P30TFF TR Micron Technology Inc. RC28F256P30TFF TR -
RFQ
 ECAD 4887 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-TBGA RC28F256 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 64-ESYBGA (10x13) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 2,000 52MHz 비 비 256mbit 100 ns 플래시 16m x 16 평행한 100ns
MT47H32M16HR-25E AIT:G TR Micron Technology Inc. MT47H32M16HR-25E AIT : G TR -
RFQ
 ECAD 9621 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 84-TFBGA MT47H32M16 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-FBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 400MHz 휘발성 휘발성 512mbit 400 PS 음주 32m x 16 평행한 15ns
M29DW128F70ZA6F TR Micron Technology Inc. M29DW128F70ZA6F TR -
RFQ
 ECAD 2943 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-TBGA M29DW128 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-TBGA (10x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 비 비 128mbit 70 ns 플래시 16m x 8, 8m x 16 평행한 70ns
MT29F2G01ABAGDSF-AAT:G TR Micron Technology Inc. MT29F2G01ABAGDSF-AAT : G TR -
RFQ
 ECAD 8903 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) MT29F2G01 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 16- 형의 행위 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 2gbit 플래시 2G x 1 SPI -
MT46V32M8BG-6 IT:G TR Micron Technology Inc. MT46V32M8BG-6 IT : G TR -
RFQ
 ECAD 2668 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-FBGA MT46V32M8 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 60-FBGA (8x14) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 700 PS 음주 32m x 8 평행한 15ns
MT25QL128ABA1ESE-0SIT Micron Technology Inc. MT25QL128ABA1ESE-0SIT 4.1200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) MT25QL128 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 -mt25ql128aba1ese-0sit 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 133 MHz 비 비 128mbit 플래시 16m x 8 SPI 8ms, 2.8ms
PC48F4400P0VB0E3 Micron Technology Inc. PC48F4400P0VB0E3 -
RFQ
 ECAD 1948 0.00000000 Micron Technology Inc. Axcell ™ 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 64-lbga PC48F4400 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 64-ESYBGA (10x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 144 52MHz 비 비 512mbit 100 ns 플래시 32m x 16 평행한 100ns
JS28F00AM29EWHE Micron Technology Inc. JS28F00AM29ewhe -
RFQ
 ECAD 3161 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) JS28F00AM29 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 56-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 96 비 비 1gbit 110 ns 플래시 128m x 8, 64m x 16 평행한 110ns
MTFC32GAKAEDQ-AAT Micron Technology Inc. MTFC32GAKAEDQ-AAT -
RFQ
 ECAD 1074 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 100-lbga MTFC32G 플래시 - NAND - 100-lbga (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 980 비 비 256gbit 플래시 32g x 8 MMC -
MT29E256G08CMCDBJ5-6:D TR Micron Technology Inc. MT29E256G08CMCDBJ5-6 : D TR -
RFQ
 ECAD 9478 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 132-TBGA MT29E256G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 132-TBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 167 MHz 비 비 256gbit 플래시 32g x 8 평행한 -
MT40A2G4PM-083E:A Micron Technology Inc. MT40A2G4PM-083E : a -
RFQ
 ECAD 3000 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT40A2G4 sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (9x13.2) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,020 1.2GHz 휘발성 휘발성 8gbit 음주 2G X 4 평행한 -
MT46V32M16P-6T IT:F TR Micron Technology Inc. MT46V32M16P-6T IT : F TR -
RFQ
 ECAD 7925 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V32M16 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 167 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 32m x 16 평행한 15ns
MTFC4GMWDQ-3M AIT TR Micron Technology Inc. MTFC4GMWDQ-3M AIT TR -
RFQ
 ECAD 8064 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lbga MTFC4 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 100-lbga (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 32gbit 플래시 4G X 8 MMC -
MT29F128G08CBCEBRT-37B:E Micron Technology Inc. MT29F128G08CBCEBRT-37B : e -
RFQ
 ECAD 6470 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) - - MT29F128G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,520 267 MHz 비 비 128gbit 플래시 16g x 8 평행한 -
MT55V512V32PT-5 Micron Technology Inc. MT55V512V32PT-5 17.3600
RFQ
 ECAD 325 0.00000000 Micron Technology Inc. ZBT® 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp SRAM -ZBT 2.375V ~ 2.625V 100-TQFP (14x20.1) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1 200MHz 휘발성 휘발성 18mbit 3.2 ns SRAM 512k x 32 평행한 -
MT55L64L32F1T-12 Micron Technology Inc. MT55L64L32F1T-12 5.7500
RFQ
 ECAD 582 0.00000000 Micron Technology Inc. ZBT® 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp SRAM -ZBT 3.135V ~ 3.6V 100-TQFP (14x20.1) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 3A991B2A 8542.32.0041 1 83MHz 휘발성 휘발성 2mbit 9 ns SRAM 64k x 32 평행한 -
MT58L512L18FF-7.5 Micron Technology Inc. MT58L512L18FF-7.5 16.5800
RFQ
 ECAD 96 0.00000000 Micron Technology Inc. SyncBurst ™ 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-TBGA sram- 표준 3.135V ~ 3.6V 165-FBGA (13x15) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 3A991B2A 8542.32.0041 1 113 MHz 휘발성 휘발성 8mbit 7.5 ns SRAM 512k x 18 평행한 -
MT58L512L18PS-6 Micron Technology Inc. MT58L512L18PS-6 -
RFQ
 ECAD 9880 0.00000000 Micron Technology Inc. SyncBurst ™ 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp MT58L512L18 sram- 동기 3.135V ~ 3.6V 100-TQFP (14x20.1) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 3A991B2A 8542.32.0041 1 166 MHz 휘발성 휘발성 8mbit 3.5 ns SRAM 512k x 18 평행한 -
MT35XU01GBBA4G12-0SIT TR Micron Technology Inc. MT35XU01GBBA4G12-0SIT TR -
RFQ
 ECAD 9496 0.00000000 Micron Technology Inc. XCCELA ™ -MT35X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 24-TBGA MT35XU01 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 24-T-PBGA (6x8) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 200MHz 비 비 1gbit 플래시 128m x 8 xccela 버스 -
MT53B4DBDT-DC Micron Technology Inc. MT53B4DBDT-DC -
RFQ
 ECAD 9040 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 쓸모없는 MT53B4 sdram- 모바일 lpddr4 - 쓸모없는 1,360 휘발성 휘발성 음주
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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