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![]() | MT29VZZZBD8HQOWL-053 W.G8D TR | - | ![]() | 7345 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | MT29VZZZBD8 | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 0000.00.0000 | 1,000 | ||||||||||||||||||
![]() | MTFC256GBAOANAM-WT | - | ![]() | 3335 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | 쟁반 | sic에서 중단되었습니다 | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | - | - | MTFC256 | 플래시 - NAND | - | - | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,520 | 비 비 | 2tbit | 플래시 | 256g x 8 | MMC | - | |||||
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![]() | MT48LC16M16A2P-6A XIT : g | - | ![]() | 6287 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) | MT48LC16M16A2 | sdram | 3V ~ 3.6V | 54-TSOP II | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,080 | 167 MHz | 휘발성 휘발성 | 256mbit | 5.4 ns | 음주 | 16m x 16 | 평행한 | 12ns | |||
![]() | EDB1332BDBH-1DIT-FD | - | ![]() | 7953 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 134-VFBGA | EDB1332 | sdram- 모바일 lpddr2 | 1.14V ~ 1.95V | 134-VFBGA (10x11.5) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0032 | 1,680 | 533 MHz | 휘발성 휘발성 | 1gbit | 음주 | 32m x 32 | 평행한 | - | ||||
![]() | MT42L64M32D1TK-18 AAT : C TR | - | ![]() | 5224 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | 표면 표면 | 134-WFBGA | MT42L64M32 | sdram- 모바일 lpddr2 | 1.14V ~ 1.3V | 134-FBGA (10x11.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1,000 | 533 MHz | 휘발성 휘발성 | 2gbit | 음주 | 64m x 32 | 평행한 | - | |||||
![]() | EDB2432B4MA-1DAAT-FD | - | ![]() | 1852 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | 표면 표면 | 134-VFBGA | EDB2432 | sdram- 모바일 lpddr2 | 1.14V ~ 1.95V | 134-VFBGA (10x11.5) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 2,100 | 533 MHz | 휘발성 휘발성 | 2gbit | 음주 | 64m x 32 | 평행한 | - | ||||
MT47H64M16HR-3 IT : H TR | - | ![]() | 1213 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 84-TFBGA | MT47H64M16 | sdram -ddr2 | 1.7V ~ 1.9V | 84-FBGA (8x12.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 333 MHz | 휘발성 휘발성 | 1gbit | 450 ps | 음주 | 64m x 16 | 평행한 | 15ns | ||||
![]() | MT53B512M64D4NW-062 WT : C TR | - | ![]() | 5975 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - | - | MT53B512 | sdram- 모바일 lpddr4 | 1.1V | - | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 1.6GHz | 휘발성 휘발성 | 32gbit | 음주 | 512m x 64 | - | - | ||||
![]() | MT29F4G08ABBDAH4 : D TR | 5.6000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 63-VFBGA | MT29F4G08 | 플래시 - NAND | 1.7V ~ 1.95V | 63-VFBGA (9x11) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 비 비 | 4gbit | 플래시 | 512m x 8 | 평행한 | - | |||||
![]() | MT53D1024M32D4NQ-062 WT : D TR | - | ![]() | 2828 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 200-VFBGA | MT53D1024 | sdram- 모바일 lpddr4 | 1.1V | 200-VFBGA (10x14.5) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.6GHz | 휘발성 휘발성 | 32gbit | 음주 | 1g x 32 | - | - | ||||
![]() | MTFC8GLVEA-1M WT | - | ![]() | 1614 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | 쟁반 | 쓸모없는 | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 153-WFBGA | MTFC8 | 플래시 - NAND | 2.7V ~ 3.6V | 153-WFBGA (11.5x13) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 3A991B1A | 8523.51.0000 | 1,000 | 비 비 | 64gbit | 플래시 | 8g x 8 | MMC | - | ||||||
![]() | MT47H512M4THN-25E : h | - | ![]() | 8328 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 63-TFBGA | MT47H512M4 | sdram -ddr2 | 1.7V ~ 1.9V | 63-FBGA (8x10) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 400MHz | 휘발성 휘발성 | 2gbit | 400 PS | 음주 | 512m x 4 | 평행한 | 15ns | |||
![]() | PC28F640P30T85B TR | - | ![]() | 9432 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 64-TBGA | PC28F640 | 플래시 - 아니오 | 1.7V ~ 2V | 64-ESYBGA (10x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 52MHz | 비 비 | 64mbit | 85 ns | 플래시 | 4m x 16 | 평행한 | 85ns | |||
![]() | MT29F64G08CBCABH1-12 : a | - | ![]() | 2852 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 대부분 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 100-VBGA | MT29F64G08 | 플래시 - NAND | 2.7V ~ 3.6V | 100-VBGA (12x18) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 83MHz | 비 비 | 64gbit | 플래시 | 8g x 8 | 평행한 | - | |||||
![]() | MT40A256M16GE-083E AUT : B TR | - | ![]() | 3313 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | 표면 표면 | 96-TFBGA | MT40A256M16 | sdram -ddr4 | 1.14V ~ 1.26V | 96-FBGA (9x14) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.2GHz | 휘발성 휘발성 | 4gbit | 음주 | 256m x 16 | 평행한 | - | ||||
![]() | MT29F256G08CMAAAC5 : a | - | ![]() | 1251 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 52-VLGA | MT29F256G08 | 플래시 -Nand (MLC) | 2.7V ~ 3.6V | 52-VLGA (18x14) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 200MHz | 비 비 | 256gbit | 플래시 | 32g x 8 | 평행한 | - | |||||
![]() | mtfc128gazaotd-aiat tr | 40.2300 | ![]() | 3452 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | 557-MTFC128GAZAOTD-AITTR | 2,000 | ||||||||||||||||||||||
![]() | M28W160CB90N6 | - | ![]() | 2333 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) | M28W160 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 48-tsop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 96 | 비 비 | 16mbit | 90 ns | 플래시 | 1m x 16 | 평행한 | 90ns | ||||
MT41J256MA-093 J : e | - | ![]() | 2072 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 96-TFBGA | MT41J256M16 | sdram -ddr3 | 1.425V ~ 1.575V | 96-FBGA (8x14) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1 | 1.066 GHz | 휘발성 휘발성 | 4gbit | 20 ns | 음주 | 256m x 16 | 평행한 | - | |||||
![]() | M25PE40-VMN3TPB TR | - | ![]() | 4115 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | M25PE40 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 도 8- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 귀 99 | 8542.32.0071 | 2,500 | 75MHz | 비 비 | 4mbit | 플래시 | 512k x 8 | SPI | 15ms, 3ms | |||||
![]() | MT49H32M18BM-33 : b | - | ![]() | 8561 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 대부분 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 144-TFBGA | MT49H32M18 | 음주 | 1.7V ~ 1.9V | 144-µBGA (18.5x11) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 2266-MT49H32M18BM-33 : b | 귀 99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 300MHz | 휘발성 휘발성 | 576mbit | 20 ns | 음주 | 32m x 18 | 평행한 | - | ||
![]() | MTFC64GAOAMEA-WT | 21.1200 | ![]() | 8866 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | MTFC64 | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 0000.00.0000 | 1,520 | ||||||||||||||||||
MT40A8G4KVA-075H : G TR | - | ![]() | 9182 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 78-TFBGA | MT40A8G4 | sdram -ddr4 | 1.14V ~ 1.26V | 78-FBGA (8x12) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | MT40A8G4KVA-075H : GTR | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 2,000 | 1.33 GHz | 비 비 | 32gbit | 27 ns | 음주 | 8g x 4 | 평행한 | - | ||||
![]() | mtfc4gacajcn-1m wt tr | - | ![]() | 7470 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 153-VFBGA | MTFC4 | 플래시 - NAND | 2.7V ~ 3.6V | 153-VFBGA (11.5x13) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 비 비 | 32gbit | 플래시 | 4G X 8 | MMC | - | 확인되지 확인되지 | ||||
![]() | MT53E384M32D2DS-046 AIT : e | - | ![]() | 6483 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 200-WFBGA | MT53E384 | sdram- 모바일 lpddr4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | MT53E384M32D2DS-046AIT : e | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1,360 | 2.133 GHz | 휘발성 휘발성 | 12gbit | 음주 | 384m x 32 | - | - | |||
![]() | MT62F768M64D4EK-026 WT ES : B TR | 51.0300 | ![]() | 8919 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -25 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | 441-TFBGA | MT62F768 | sdram- 모바일 lpddr5 | - | 441-TFBGA (14x14) | - | 557-MT62F768M64D4EK-026WTES : BTR | 1,500 | 3.2GHz | 휘발성 휘발성 | 48gbit | 음주 | 768m x 64 | 평행한 | - | ||||||||
![]() | N25Q128A13EV740 | - | ![]() | 5774 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | - | - | N25Q128A13 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | - | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 108 MHz | 비 비 | 128mbit | 플래시 | 32m x 4 | SPI | 8ms, 5ms | ||||
![]() | M29F800DT70N6F TR | - | ![]() | 3464 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) | M29F800 | 플래시 - 아니오 | 4.5V ~ 5.5V | 48-tsop | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 1,500 | 비 비 | 8mbit | 70 ns | 플래시 | 1m x 8, 512k x 16 | 평행한 | 70ns | ||||
![]() | N25Q00AA13G1240F TR | - | ![]() | 7257 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 24-lbga | N25Q00AA13 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 24-LPBGA (6x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 108 MHz | 비 비 | 1gbit | 플래시 | 256m x 4 | SPI | 8ms, 5ms |
일일 평균 RFQ 볼륨
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