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MT29VZZZBD8HQOWL-053 W.G8D TR Micron Technology Inc. MT29VZZZBD8HQOWL-053 W.G8D TR -
RFQ
ECAD 7345 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 MT29VZZZBD8 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 1,000
MTFC256GBAOANAM-WT Micron Technology Inc. MTFC256GBAOANAM-WT -
RFQ
ECAD 3335 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -25 ° C ~ 85 ° C (TA) - - MTFC256 플래시 - NAND - - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,520 비 비 2tbit 플래시 256g x 8 MMC -
MTFC64GAJAEDQ-AIT TR Micron Technology Inc. MTFC64GAJAEDQ-AIAT TR -
RFQ
ECAD 3970 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lbga MTFC64 플래시 - NAND - 100-lbga (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 512gbit 플래시 64g x 8 MMC -
MT48LC16M16A2P-6A XIT:G Micron Technology Inc. MT48LC16M16A2P-6A XIT : g -
RFQ
ECAD 6287 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC16M16A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,080 167 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 16m x 16 평행한 12ns
EDB1332BDBH-1DIT-F-D Micron Technology Inc. EDB1332BDBH-1DIT-FD -
RFQ
ECAD 7953 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 134-VFBGA EDB1332 sdram- 모바일 lpddr2 1.14V ~ 1.95V 134-VFBGA (10x11.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,680 533 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 음주 32m x 32 평행한 -
MT42L64M32D1TK-18 AAT:C TR Micron Technology Inc. MT42L64M32D1TK-18 AAT : C TR -
RFQ
ECAD 5224 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 134-WFBGA MT42L64M32 sdram- 모바일 lpddr2 1.14V ~ 1.3V 134-FBGA (10x11.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,000 533 MHz 휘발성 휘발성 2gbit 음주 64m x 32 평행한 -
EDB2432B4MA-1DAAT-F-D Micron Technology Inc. EDB2432B4MA-1DAAT-FD -
RFQ
ECAD 1852 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 134-VFBGA EDB2432 sdram- 모바일 lpddr2 1.14V ~ 1.95V 134-VFBGA (10x11.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,100 533 MHz 휘발성 휘발성 2gbit 음주 64m x 32 평행한 -
MT47H64M16HR-3 IT:H TR Micron Technology Inc. MT47H64M16HR-3 IT : H TR -
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ECAD 1213 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 84-TFBGA MT47H64M16 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-FBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,000 333 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 450 ps 음주 64m x 16 평행한 15ns
MT53B512M64D4NW-062 WT:C TR Micron Technology Inc. MT53B512M64D4NW-062 WT : C TR -
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ECAD 5975 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - MT53B512 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 1.6GHz 휘발성 휘발성 32gbit 음주 512m x 64 - -
MT29F4G08ABBDAH4:D TR Micron Technology Inc. MT29F4G08ABBDAH4 : D TR 5.6000
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ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA MT29F4G08 플래시 - NAND 1.7V ~ 1.95V 63-VFBGA (9x11) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 4gbit 플래시 512m x 8 평행한 -
MT53D1024M32D4NQ-062 WT:D TR Micron Technology Inc. MT53D1024M32D4NQ-062 WT : D TR -
RFQ
ECAD 2828 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 200-VFBGA MT53D1024 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 200-VFBGA (10x14.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 1.6GHz 휘발성 휘발성 32gbit 음주 1g x 32 - -
MTFC8GLVEA-1M WT Micron Technology Inc. MTFC8GLVEA-1M WT -
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ECAD 1614 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 쟁반 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 153-WFBGA MTFC8 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 153-WFBGA (11.5x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8523.51.0000 1,000 비 비 64gbit 플래시 8g x 8 MMC -
MT47H512M4THN-25E:H Micron Technology Inc. MT47H512M4THN-25E : h -
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ECAD 8328 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 63-TFBGA MT47H512M4 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 63-FBGA (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 400MHz 휘발성 휘발성 2gbit 400 PS 음주 512m x 4 평행한 15ns
PC28F640P30T85B TR Micron Technology Inc. PC28F640P30T85B TR -
RFQ
ECAD 9432 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-TBGA PC28F640 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 64-ESYBGA (10x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 52MHz 비 비 64mbit 85 ns 플래시 4m x 16 평행한 85ns
MT29F64G08CBCABH1-12:A Micron Technology Inc. MT29F64G08CBCABH1-12 : a -
RFQ
ECAD 2852 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-VBGA MT29F64G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 100-VBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83MHz 비 비 64gbit 플래시 8g x 8 평행한 -
MT40A256M16GE-083E AUT:B TR Micron Technology Inc. MT40A256M16GE-083E AUT : B TR -
RFQ
ECAD 3313 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT40A256M16 sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 96-FBGA (9x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 1.2GHz 휘발성 휘발성 4gbit 음주 256m x 16 평행한 -
MT29F256G08CMAAAC5:A Micron Technology Inc. MT29F256G08CMAAAC5 : a -
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ECAD 1251 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 52-VLGA MT29F256G08 플래시 -Nand (MLC) 2.7V ~ 3.6V 52-VLGA (18x14) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200MHz 비 비 256gbit 플래시 32g x 8 평행한 -
MTFC128GAZAOTD-AIT TR Micron Technology Inc. mtfc128gazaotd-aiat tr 40.2300
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ECAD 3452 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 557-MTFC128GAZAOTD-AITTR 2,000
M28W160CB90N6 Micron Technology Inc. M28W160CB90N6 -
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ECAD 2333 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M28W160 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 48-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 96 비 비 16mbit 90 ns 플래시 1m x 16 평행한 90ns
MT41J256M16HA-093 J:E Micron Technology Inc. MT41J256MA-093 J : e -
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ECAD 2072 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT41J256M16 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-FBGA (8x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0036 1 1.066 GHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 256m x 16 평행한 -
M25PE40-VMN3TPB TR Micron Technology Inc. M25PE40-VMN3TPB TR -
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ECAD 4115 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) M25PE40 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0071 2,500 75MHz 비 비 4mbit 플래시 512k x 8 SPI 15ms, 3ms
MT49H32M18BM-33:B Micron Technology Inc. MT49H32M18BM-33 : b -
RFQ
ECAD 8561 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 144-TFBGA MT49H32M18 음주 1.7V ~ 1.9V 144-µBGA (18.5x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2266-MT49H32M18BM-33 : b 귀 99 8542.32.0024 1,000 300MHz 휘발성 휘발성 576mbit 20 ns 음주 32m x 18 평행한 -
MTFC64GAOAMEA-WT Micron Technology Inc. MTFC64GAOAMEA-WT 21.1200
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ECAD 8866 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 MTFC64 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 1,520
MT40A8G4KVA-075H:G TR Micron Technology Inc. MT40A8G4KVA-075H : G TR -
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ECAD 9182 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT40A8G4 sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (8x12) - Rohs3 준수 3 (168 시간) MT40A8G4KVA-075H : GTR 쓸모없는 0000.00.0000 2,000 1.33 GHz 비 비 32gbit 27 ns 음주 8g x 4 평행한 -
MTFC4GACAJCN-1M WT TR Micron Technology Inc. mtfc4gacajcn-1m wt tr -
RFQ
ECAD 7470 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 153-VFBGA MTFC4 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 153-VFBGA (11.5x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 32gbit 플래시 4G X 8 MMC - 확인되지 확인되지
MT53E384M32D2DS-046 AIT:E Micron Technology Inc. MT53E384M32D2DS-046 AIT : e -
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ECAD 6483 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 200-WFBGA MT53E384 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 MT53E384M32D2DS-046AIT : e 귀 99 8542.32.0036 1,360 2.133 GHz 휘발성 휘발성 12gbit 음주 384m x 32 - -
MT62F768M64D4EK-026 WT ES:B TR Micron Technology Inc. MT62F768M64D4EK-026 WT ES : B TR 51.0300
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ECAD 8919 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -25 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 441-TFBGA MT62F768 sdram- 모바일 lpddr5 - 441-TFBGA (14x14) - 557-MT62F768M64D4EK-026WTES : BTR 1,500 3.2GHz 휘발성 휘발성 48gbit 음주 768m x 64 평행한 -
N25Q128A13EV740 Micron Technology Inc. N25Q128A13EV740 -
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ECAD 5774 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) - - N25Q128A13 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1 108 MHz 비 비 128mbit 플래시 32m x 4 SPI 8ms, 5ms
M29F800DT70N6F TR Micron Technology Inc. M29F800DT70N6F TR -
RFQ
ECAD 3464 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M29F800 플래시 - 아니오 4.5V ~ 5.5V 48-tsop - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,500 비 비 8mbit 70 ns 플래시 1m x 8, 512k x 16 평행한 70ns
N25Q00AA13G1240F TR Micron Technology Inc. N25Q00AA13G1240F TR -
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ECAD 7257 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-lbga N25Q00AA13 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 24-LPBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 108 MHz 비 비 1gbit 플래시 256m x 4 SPI 8ms, 5ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고