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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전압 - 공급 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 시계 시계 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 액세스 액세스 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지 |
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![]() | MT29F128G08CBCEBRT-37B : e | - | ![]() | 6470 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | - | - | MT29F128G08 | 플래시 - NAND | 2.7V ~ 3.6V | - | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,520 | 267 MHz | 비 비 | 128gbit | 플래시 | 16g x 8 | 평행한 | - | |||
![]() | MT55V512V32PT-5 | 17.3600 | ![]() | 325 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | ZBT® | 대부분 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 100-lqfp | SRAM -ZBT | 2.375V ~ 2.625V | 100-TQFP (14x20.1) | 다운로드 | rohs 비준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 200MHz | 휘발성 휘발성 | 18mbit | 3.2 ns | SRAM | 512k x 32 | 평행한 | - | |||
![]() | MT55L64L32F1T-12 | 5.7500 | ![]() | 582 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | ZBT® | 대부분 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 100-lqfp | SRAM -ZBT | 3.135V ~ 3.6V | 100-TQFP (14x20.1) | 다운로드 | rohs 비준수 | 3 (168 시간) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 83MHz | 휘발성 휘발성 | 2mbit | 9 ns | SRAM | 64k x 32 | 평행한 | - | |||
![]() | MT58L512L18FF-7.5 | 16.5800 | ![]() | 96 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | SyncBurst ™ | 대부분 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 165-TBGA | sram- 표준 | 3.135V ~ 3.6V | 165-FBGA (13x15) | 다운로드 | rohs 비준수 | 3 (168 시간) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 113 MHz | 휘발성 휘발성 | 8mbit | 7.5 ns | SRAM | 512k x 18 | 평행한 | - | |||
![]() | MT58L512L18PS-6 | - | ![]() | 9880 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | SyncBurst ™ | 대부분 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 100-lqfp | MT58L512L18 | sram- 동기 | 3.135V ~ 3.6V | 100-TQFP (14x20.1) | 다운로드 | rohs 비준수 | 3 (168 시간) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 166 MHz | 휘발성 휘발성 | 8mbit | 3.5 ns | SRAM | 512k x 18 | 평행한 | - | ||
MT35XU01GBBA4G12-0SIT TR | - | ![]() | 9496 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | XCCELA ™ -MT35X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | 24-TBGA | MT35XU01 | 플래시 - 아니오 | 1.7V ~ 2V | 24-T-PBGA (6x8) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 200MHz | 비 비 | 1gbit | 플래시 | 128m x 8 | xccela 버스 | - | ||||
![]() | MT53B4DBDT-DC | - | ![]() | 9040 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 상자 | 쓸모없는 | MT53B4 | sdram- 모바일 lpddr4 | - | 쓸모없는 | 1,360 | 휘발성 휘발성 | 음주 | |||||||||||||||||
![]() | MT29VZZZBD8HQOWL-053 W.G8D TR | - | ![]() | 7345 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | MT29VZZZBD8 | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 0000.00.0000 | 1,000 | |||||||||||||||||
![]() | MTFC256GBAOANAM-WT | - | ![]() | 3335 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | 쟁반 | sic에서 중단되었습니다 | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | - | - | MTFC256 | 플래시 - NAND | - | - | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,520 | 비 비 | 2tbit | 플래시 | 256g x 8 | MMC | - | ||||
![]() | MTFC64GAJAEDQ-AIAT TR | - | ![]() | 3970 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 100-lbga | MTFC64 | 플래시 - NAND | - | 100-lbga (14x18) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 비 비 | 512gbit | 플래시 | 64g x 8 | MMC | - | ||||
![]() | MT48LC16M16A2P-6A XIT : g | - | ![]() | 6287 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) | MT48LC16M16A2 | sdram | 3V ~ 3.6V | 54-TSOP II | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,080 | 167 MHz | 휘발성 휘발성 | 256mbit | 5.4 ns | 음주 | 16m x 16 | 평행한 | 12ns | ||
![]() | EDB1332BDBH-1DIT-FD | - | ![]() | 7953 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 134-VFBGA | EDB1332 | sdram- 모바일 lpddr2 | 1.14V ~ 1.95V | 134-VFBGA (10x11.5) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0032 | 1,680 | 533 MHz | 휘발성 휘발성 | 1gbit | 음주 | 32m x 32 | 평행한 | - | |||
![]() | MT42L64M32D1TK-18 AAT : C TR | - | ![]() | 5224 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | 표면 표면 | 134-WFBGA | MT42L64M32 | sdram- 모바일 lpddr2 | 1.14V ~ 1.3V | 134-FBGA (10x11.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1,000 | 533 MHz | 휘발성 휘발성 | 2gbit | 음주 | 64m x 32 | 평행한 | - | ||||
![]() | EDB2432B4MA-1DAAT-FD | - | ![]() | 1852 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | 표면 표면 | 134-VFBGA | EDB2432 | sdram- 모바일 lpddr2 | 1.14V ~ 1.95V | 134-VFBGA (10x11.5) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 2,100 | 533 MHz | 휘발성 휘발성 | 2gbit | 음주 | 64m x 32 | 평행한 | - | |||
MT47H64M16HR-3 IT : H TR | - | ![]() | 1213 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 84-TFBGA | MT47H64M16 | sdram -ddr2 | 1.7V ~ 1.9V | 84-FBGA (8x12.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 333 MHz | 휘발성 휘발성 | 1gbit | 450 ps | 음주 | 64m x 16 | 평행한 | 15ns | |||
![]() | MT53B512M64D4NW-062 WT : C TR | - | ![]() | 5975 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - | - | MT53B512 | sdram- 모바일 lpddr4 | 1.1V | - | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 1.6GHz | 휘발성 휘발성 | 32gbit | 음주 | 512m x 64 | - | - | |||
![]() | MT29F4G08ABBDAH4 : D TR | 5.6000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 63-VFBGA | MT29F4G08 | 플래시 - NAND | 1.7V ~ 1.95V | 63-VFBGA (9x11) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 비 비 | 4gbit | 플래시 | 512m x 8 | 평행한 | - | ||||
![]() | MT53D1024M32D4NQ-062 WT : D TR | - | ![]() | 2828 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 200-VFBGA | MT53D1024 | sdram- 모바일 lpddr4 | 1.1V | 200-VFBGA (10x14.5) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.6GHz | 휘발성 휘발성 | 32gbit | 음주 | 1g x 32 | - | - | |||
![]() | MTFC8GLVEA-1M WT | - | ![]() | 1614 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | 쟁반 | 쓸모없는 | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 153-WFBGA | MTFC8 | 플래시 - NAND | 2.7V ~ 3.6V | 153-WFBGA (11.5x13) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 3A991B1A | 8523.51.0000 | 1,000 | 비 비 | 64gbit | 플래시 | 8g x 8 | MMC | - | |||||
![]() | MT47H512M4THN-25E : h | - | ![]() | 8328 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 63-TFBGA | MT47H512M4 | sdram -ddr2 | 1.7V ~ 1.9V | 63-FBGA (8x10) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 400MHz | 휘발성 휘발성 | 2gbit | 400 PS | 음주 | 512m x 4 | 평행한 | 15ns | ||
![]() | PC28F640P30T85B TR | - | ![]() | 9432 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 64-TBGA | PC28F640 | 플래시 - 아니오 | 1.7V ~ 2V | 64-ESYBGA (10x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 52MHz | 비 비 | 64mbit | 85 ns | 플래시 | 4m x 16 | 평행한 | 85ns | ||
![]() | MT29F64G08CBCABH1-12 : a | - | ![]() | 2852 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 대부분 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 100-VBGA | MT29F64G08 | 플래시 - NAND | 2.7V ~ 3.6V | 100-VBGA (12x18) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 83MHz | 비 비 | 64gbit | 플래시 | 8g x 8 | 평행한 | - | ||||
![]() | MT40A256M16GE-083E AUT : B TR | - | ![]() | 3313 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | 표면 표면 | 96-TFBGA | MT40A256M16 | sdram -ddr4 | 1.14V ~ 1.26V | 96-FBGA (9x14) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.2GHz | 휘발성 휘발성 | 4gbit | 음주 | 256m x 16 | 평행한 | - | |||
![]() | MT29F256G08CMAAAC5 : a | - | ![]() | 1251 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 52-VLGA | MT29F256G08 | 플래시 -Nand (MLC) | 2.7V ~ 3.6V | 52-VLGA (18x14) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 200MHz | 비 비 | 256gbit | 플래시 | 32g x 8 | 평행한 | - | ||||
![]() | mtfc128gazaotd-aiat tr | 40.2300 | ![]() | 3452 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | 557-MTFC128GAZAOTD-AITTR | 2,000 | |||||||||||||||||||||
![]() | M28W160CB90N6 | - | ![]() | 2333 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) | M28W160 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 48-tsop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 96 | 비 비 | 16mbit | 90 ns | 플래시 | 1m x 16 | 평행한 | 90ns | |||
MT41J256MA-093 J : e | - | ![]() | 2072 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 96-TFBGA | MT41J256M16 | sdram -ddr3 | 1.425V ~ 1.575V | 96-FBGA (8x14) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1 | 1.066 GHz | 휘발성 휘발성 | 4gbit | 20 ns | 음주 | 256m x 16 | 평행한 | - | ||||
![]() | M25PE40-VMN3TPB TR | - | ![]() | 4115 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | M25PE40 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 도 8- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 귀 99 | 8542.32.0071 | 2,500 | 75MHz | 비 비 | 4mbit | 플래시 | 512k x 8 | SPI | 15ms, 3ms | ||||
![]() | MT49H32M18BM-33 : b | - | ![]() | 8561 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 대부분 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 144-TFBGA | MT49H32M18 | 음주 | 1.7V ~ 1.9V | 144-µBGA (18.5x11) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 2266-MT49H32M18BM-33 : b | 귀 99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 300MHz | 휘발성 휘발성 | 576mbit | 20 ns | 음주 | 32m x 18 | 평행한 | - | |
![]() | MTFC64GAOAMEA-WT | 21.1200 | ![]() | 8866 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | MTFC64 | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 0000.00.0000 | 1,520 |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고