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![]() | MT29C4G48MAAGBBAKS-48 WT | - | ![]() | 6126 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 137-VFBGA | MT29C4G48 | 플래시 -Nand, n lpdram | 1.7V ~ 1.95V | 137-VFBGA (13x10.5) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,140 | 208 MHz | 비 비, 휘발성 | 4GBIT (NAND), 2GBIT (LPDRAM) | 플래시, 램 | 512m x 8 (NAND), 64m x 32 (lpdram) | 평행한 | - | ||||
![]() | MT46V64M4P-5B : g | - | ![]() | 8805 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) | MT46V64M4 | sdram -ddr | 2.5V ~ 2.7V | 66-tsop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 200MHz | 휘발성 휘발성 | 256mbit | 700 PS | 음주 | 64m x 4 | 평행한 | 15ns | ||
![]() | MT29F2G01AAAEDH4-IT : E TR | - | ![]() | 4400 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 63-VFBGA | MT29F2G01 | 플래시 - NAND | 2.7V ~ 3.6V | 63-VFBGA (9x11) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1,000 | 비 비 | 2gbit | 플래시 | 2G x 1 | SPI | - | ||||
![]() | MT29C4G48MAAGBAAKS-5 WT TR | - | ![]() | 5113 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 137-VFBGA | MT29C4G48 | 플래시 -Nand, n lpdram | 1.7V ~ 1.95V | 137-VFBGA (13x10.5) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 200MHz | 비 비, 휘발성 | 4GBIT (NAND), 2GBIT (LPDRAM) | 플래시, 램 | 512m x 8 (NAND), 64m x 32 (lpdram) | 평행한 | - | |||
![]() | MT47H128M4CB-37E : B TR | - | ![]() | 3196 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 60-FBGA | MT47H128M4 | sdram -ddr2 | 1.7V ~ 1.9V | 60-FBGA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 5 (48 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 267 MHz | 휘발성 휘발성 | 512mbit | 500 PS | 음주 | 128m x 4 | 평행한 | 15ns | ||
![]() | MT29F1T08EEHAFJ4-3ITFES : A TR | 38.9700 | ![]() | 5954 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 132-VBGA | MT29F1T08 | 플래시 - NAND | 2.5V ~ 3.6V | 132-VBGA (12x18) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | MT29F1T08EEHAFJ4-3ITFES : ATR | 8542.32.0071 | 2,000 | 333 MHz | 비 비 | 1tbit | 플래시 | 128g x 8 | 평행한 | - | |||
![]() | MT46V32M8FG-75 : G TR | - | ![]() | 9637 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 60-FBGA | MT46V32M8 | sdram -ddr | 2.3V ~ 2.7V | 60-FBGA (8x14) | 다운로드 | rohs 비준수 | 2 (1 년) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | 휘발성 휘발성 | 256mbit | 750 ps | 음주 | 32m x 8 | 평행한 | 15ns | ||
![]() | MT46V32M16P-6T : F TR | - | ![]() | 4618 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) | MT46V32M16 | sdram -ddr | 2.3V ~ 2.7V | 66-tsop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 167 MHz | 휘발성 휘발성 | 512mbit | 700 PS | 음주 | 32m x 16 | 평행한 | 15ns | ||
![]() | MT48LC16M16A2P-75 : d | - | ![]() | 3703 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) | MT48LC16M16A2 | sdram | 3V ~ 3.6V | 54-TSOP II | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | MT48LC16M16A2P75D | 귀 99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | 휘발성 휘발성 | 256mbit | 5.4 ns | 음주 | 16m x 16 | 평행한 | 15ns | |
![]() | MT46V64M8P-75Z : d | - | ![]() | 9030 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) | MT46V64M8 | sdram -ddr | 2.3V ~ 2.7V | 66-tsop | - | Rohs3 준수 | 4 (72 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | 휘발성 휘발성 | 512mbit | 750 ps | 음주 | 64m x 8 | 평행한 | 15ns | ||
MT46H64M32LFBQ-48 WT : C TR | 12.7300 | ![]() | 6626 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 90-VFBGA | MT46H64M32 | sdram- 모바일 lpddr | 1.7V ~ 1.95V | 90-VFBGA (8x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 208 MHz | 휘발성 휘발성 | 2gbit | 5 ns | 음주 | 64m x 32 | 평행한 | 14.4ns | |||
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![]() | EMFA164A2PF-DV-FD | - | ![]() | 1940 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 대부분 | 쓸모없는 | EMFA164 | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1,260 | |||||||||||||||||
![]() | MTFC32GJWEF-4M AIT Z TR | - | ![]() | 2954 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 169-TFBGA | MTFC32G | 플래시 - NAND | 2.7V ~ 3.6V | 169-TFBGA (14x18) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 비 비 | 256gbit | 플래시 | 32g x 8 | MMC | - | ||||
![]() | M29W640GSL70ZF6F TR | - | ![]() | 3105 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 64-TBGA | M29W640 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 64-TBGA (10x13) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 비 비 | 64mbit | 70 ns | 플래시 | 8m x 8, 4m x 16 | 평행한 | 70ns | |||
![]() | MT46V8M16P-6TIT : DTR | - | ![]() | 7375 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) | MT46V8M16 | sdram -ddr | 2.3V ~ 2.7V | 66-tsop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 167 MHz | 휘발성 휘발성 | 128mbit | 700 PS | 음주 | 8m x 16 | 평행한 | 15ns | ||
![]() | MT47H128M8BT-5E L : a | - | ![]() | 8225 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | sic에서 중단되었습니다 | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 92-TFBGA | MT47H128M8 | sdram -ddr2 | 1.7V ~ 1.9V | 92-FBGA (11x19) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 200MHz | 휘발성 휘발성 | 1gbit | 600 ps | 음주 | 128m x 8 | 평행한 | 15ns | ||
![]() | MT53B256M64D2PX-062 XT ES : C. | - | ![]() | 5547 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -30 ° C ~ 105 ° C (TC) | - | - | MT53B256 | sdram- 모바일 lpddr4 | 1.1V | - | - | 1 (무제한) | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1,540 | 1.6GHz | 휘발성 휘발성 | 16gbit | 음주 | 256m x 64 | - | - | |||||
![]() | MT45W1MW16BAFB-706 WT TR | - | ![]() | 1133 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 54-VFBGA | MT45W1MW16 | psram (의사 sram) | 1.7V ~ 1.95V | 54-VFBGA (6x9) | 다운로드 | rohs 비준수 | 2 (1 년) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 휘발성 휘발성 | 16mbit | 70 ns | psram | 1m x 16 | 평행한 | 70ns | |||
![]() | MT29F128G08AMAAAC5-Z : a | - | ![]() | 3409 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 52-VLGA | MT29F128G08 | 플래시 - NAND | 2.7V ~ 3.6V | 52-VLGA (18x14) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 비 비 | 128gbit | 플래시 | 16g x 8 | 평행한 | - | ||||
MT48LC16M16A2B4-7E IT : g | 8.5000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 54-VFBGA | MT48LC16M16A2 | sdram | 3V ~ 3.6V | 54-VFBGA (8x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0024 | 1,560 | 133 MHz | 휘발성 휘발성 | 256mbit | 5.4 ns | 음주 | 16m x 16 | 평행한 | 14ns | |||
![]() | MT46H64M32LFMA-6 IT : a | - | ![]() | 2543 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 168-WFBGA | MT46H64M32 | sdram- 모바일 lpddr | 1.7V ~ 1.95V | 168-WFBGA (12x12) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 166 MHz | 휘발성 휘발성 | 2gbit | 5 ns | 음주 | 64m x 32 | 평행한 | 15ns | ||
MT29F2G08ABAEAWP-AITX : e | 5.1300 | ![]() | 880 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) | MT29F2G08 | 플래시 - NAND | 2.7V ~ 3.6V | 48-tsop i | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 960 | 비 비 | 2gbit | 플래시 | 256m x 8 | 평행한 | - | |||||
MT25QL512ABA8E12-0SIT TR | - | ![]() | 3436 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 24-TBGA | MT25QL512 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 24-T-PBGA (6x8) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 133 MHz | 비 비 | 512mbit | 플래시 | 64m x 8 | SPI | 8ms, 2.8ms | |||||
![]() | MT28F800B5SG-8 B TR | - | ![]() | 6444 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 44-SOIC (0.496 ", 12.60mm 너비) | MT28F800B5 | 플래시 - 아니오 | 4.5V ~ 5.5V | 44- | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 500 | 비 비 | 8mbit | 80 ns | 플래시 | 1m x 8, 512k x 16 | 평행한 | 80ns | |||
![]() | MT46V16M8P-6T : d | - | ![]() | 1170 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) | MT46V16M8 | sdram -ddr | 2.3V ~ 2.7V | 66-tsop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 2 (1 년) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 167 MHz | 휘발성 휘발성 | 128mbit | 700 PS | 음주 | 16m x 8 | 평행한 | 15ns | ||
MT48H16M32L2F5-10 IT TR | - | ![]() | 4806 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 90-VFBGA | MT48H16M32 | sdram- 모바일 lpsdr | 1.7V ~ 1.9V | 90-VFBGA (8x13) | 다운로드 | rohs 비준수 | 2 (1 년) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 100MHz | 휘발성 휘발성 | 512mbit | 7.5 ns | 음주 | 16m x 32 | 평행한 | - | |||
![]() | MTFC2GMDEA-0M WT TR | - | ![]() | 3816 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 153-WFBGA | mtfc2g | 플래시 - NAND | 2.7V ~ 3.6V | 153-WFBGA (11.5x13) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 비 비 | 16gbit | 플래시 | 2G X 8 | MMC | - | ||||
![]() | M28W320HSB70ZA6F TR | - | ![]() | 3046 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 64-TFBGA | M28W320 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 64-TFBGA (10.5x6.39) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 비 비 | 32mbit | 70 ns | 플래시 | 2m x 16 | 평행한 | 70ns | |||
MT48H8M32LFB5-6 : h | - | ![]() | 1510 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 90-VFBGA | MT48H8M32 | sdram- 모바일 lpsdr | 1.7V ~ 1.95V | 90-VFBGA (8x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 166 MHz | 휘발성 휘발성 | 256mbit | 5 ns | 음주 | 8m x 32 | 평행한 | 15ns |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
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