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통합 통합 (ICS) (10403)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
MT61M256M32JE-10 N:A TR Micron Technology Inc. MT61M256M32JE-10 N : A TR -
RFQ
 ECAD 8950 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 180-TFBGA MT61M256 sgram -gddr6 1.21V ~ 1.29V 180-FBGA (12x14) 다운로드 귀 99 8542.32.0071 2,000 1.25GHz 휘발성 휘발성 8gbit 숫양 256m x 32 평행한 -
MT53B4DBNQ-DC Micron Technology Inc. MT53B4DBNQ-DC -
RFQ
 ECAD 8876 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 표면 표면 200-VFBGA MT53B4 sdram- 모바일 lpddr4 200-VFBGA (10x14.5) - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1,360 휘발성 휘발성 음주
M29W160ET70ZA6E Micron Technology Inc. M29W160ET70ZA6E -
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 ECAD 1772 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA M29W160 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 187 비 비 16mbit 70 ns 플래시 2m x 8, 1m x 16 평행한 70ns
MT58L64L18DT-7.5TR Micron Technology Inc. MT58L64L18DT-7.5TR 7.0500
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 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. SyncBurst ™ 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp sram- 표준 3.135V ~ 3.6V 100-TQFP (14x20.1) 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 3A991B2B 8542.32.0041 500 133 MHz 휘발성 휘발성 1mbit 4.2 ns SRAM 64k x 18 평행한 -
MT29F512G08CUEDBJ6-12IT:D TR Micron Technology Inc. MT29F512G08CUEDBJ6-12IT : D TR -
RFQ
 ECAD 9769 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 132-lbga MT29F512G08 플래시 -Nand (MLC) 2.7V ~ 3.6V 132-LBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 2,000 83MHz 비 비 512gbit 플래시 64g x 8 평행한 -
MT46H32M16LFBF-6 AT:B Micron Technology Inc. MT46H32M16LFBF-6 AT : b -
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 ECAD 7366 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 60-VFBGA MT46H32M16 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 60-VFBGA (8x9) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 166 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5 ns 음주 32m x 16 평행한 15ns
M25P05-AVMN6P Micron Technology Inc. M25P05-AVMN6P -
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 ECAD 8412 0.00000000 Micron Technology Inc. - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) M25P05-A 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 2,000 50MHz 비 비 512kbit 플래시 64k x 8 SPI 15ms, 5ms
MT58L128L18PT-7.5 Micron Technology Inc. MT58L128L18PT-7.5 5.7900
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 ECAD 2 0.00000000 Micron Technology Inc. SyncBurst ™ 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp sram- 표준 3.135V ~ 3.6V 100-TQFP (14x20.1) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 휘발성 휘발성 2mbit 4 ns SRAM 128k x 18 평행한 -
MTFC128GAPALNS-AAT ES Micron Technology Inc. MTFC128GAPALNS-AAT ES -
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 ECAD 6716 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 153-TFBGA MTFC128 플래시 - NAND - 153-TFBGA (11.5x13) - 1 (무제한) 3A991B1A 8542.32.0071 1,520 비 비 1tbit 플래시 128g x 8 MMC -
MT29TZZZ7D6JKKFB-107 W.96V TR Micron Technology Inc. MT29TZZZ7D6JKKFB-107 W.96V TR -
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 ECAD 2360 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1,000
MT53D768M64D8WF-053 WT:D TR Micron Technology Inc. MT53D768M64D8WF-053 WT : D TR -
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 ECAD 5251 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 376-WFBGA MT53D768 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 376-WFBGA (14x14) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 1.866 GHz 휘발성 휘발성 48gbit 음주 768m x 64 - -
MT62F2G32D4DS-026 AIT:B TR Micron Technology Inc. MT62F2G32D4DS-026 AIT : B TR 58.0650
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 ECAD 4615 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C 표면 표면 200-WFBGA sdram- 모바일 lpddr5 1.05V 200-WFBGA (10x14.5) - 557-MT62F2G32D4DS-026AIT : BTR 2,000 3.2GHz 휘발성 휘발성 64gbit 음주 2G X 32 평행한 -
MT28GU512AAA2EGC-0AAT Micron Technology Inc. MT28GU512AAA2EGC-0AAT -
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 ECAD 5737 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 64-TBGA MT28GU512 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 64-TBGA (10x8) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1,800 133 MHz 비 비 512mbit 96 ns 플래시 64m x 8 평행한 -
MT29F64G08AKCBBH2-12:B TR Micron Technology Inc. MT29F64G08AKCBBH2-12 : B TR -
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 ECAD 8211 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-tbga MT29F64G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 100-TBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83MHz 비 비 64gbit 플래시 8g x 8 평행한 -
MT29F512G08CUCABH3-10RZ:A Micron Technology Inc. MT29F512G08CUCABH3-10RZ : a -
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 ECAD 4274 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lbga MT29F512G08 플래시 -Nand (MLC) 2.7V ~ 3.6V 100-lbga (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 100MHz 비 비 512gbit 플래시 64g x 8 평행한 -
MT29E256G08CBHBBJ4-3ES:B Micron Technology Inc. MT29E256G08CBHBBJ4-3ES : b -
RFQ
 ECAD 7786 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 132-VBGA MT29E256G08 플래시 - NAND 2.5V ~ 3.6V 132-VBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,120 333 MHz 비 비 256gbit 플래시 32g x 8 평행한 -
M36W0R5040T5ZAQE Micron Technology Inc. M36W0R5040T5ZAQE -
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 ECAD 2196 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 88-TFBGA M36W0R 플래시 1.7V ~ 1.95V 88-TFBGA (8x10) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 -M36W0R5040T5ZAQE 3A991B1A 8542.32.0071 253 비 비 32mbit 70 ns 플래시 2m x 16 평행한 -
MT48LC16M16A2BG-7E IT:D Micron Technology Inc. MT48LC16M16A2BG-7E IT : d -
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 ECAD 9941 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-VFBGA MT48LC16M16A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-VFBGA (8x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 16m x 16 평행한 14ns
JS28F160C3TD70A Micron Technology Inc. JS28F160C3TD70A -
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 ECAD 7762 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) JS28F160C3 플래시 - 블록 부트 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 96 비 비 16mbit 70 ns 플래시 1m x 16 평행한 70ns
PC28F00BM29EWHA Micron Technology Inc. PC28F00BM29ewha -
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 ECAD 4421 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-lbga PC28F00B 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-FBGA (11x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 184 비 비 2gbit 100 ns 플래시 256m x 8, 128m x 16 평행한 100ns
M58LT128KSB8ZA6F TR Micron Technology Inc. M58LT128KSB8ZA6F TR -
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 ECAD 1059 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-TBGA M58LT128 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 64-TBGA (10x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 52MHz 비 비 128mbit 85 ns 플래시 8m x 16 평행한 85ns
MT29C1G12MAADVAMD-5 E IT TR Micron Technology Inc. MT29C1G12MAADVAMD-5 e IT TR -
RFQ
 ECAD 8952 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 130-VFBGA MT29C1G12 플래시 -Nand, n lpdram 1.7V ~ 1.95V 130-VFBGA (8x9) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200MHz 비 비, 휘발성 1GBIT (NAND), 512MBIT (LPDRAM) 플래시, 램 64m x 16 (NAND), 32m x 16 (lpdram) 평행한 -
MT46H16M16LFBF-6 IT:H TR Micron Technology Inc. MT46H16M16LFBF-6 IT : H TR -
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 ECAD 6141 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-VFBGA MT46H16M16 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 60-VFBGA (8x9) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5 ns 음주 16m x 16 평행한 12ns
MTFC4GMVEA-WT Micron Technology Inc. MTFC4GMVEA-WT -
RFQ
 ECAD 9450 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 쟁반 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 153-WFBGA MTFC4 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 153-WFBGA (11.5x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 32gbit 플래시 4G X 8 MMC -
MT29F64G08CFACBWP-12:C Micron Technology Inc. MT29F64G08CFACBWP-12 : c -
RFQ
 ECAD 9710 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F64G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83MHz 비 비 64gbit 플래시 8g x 8 평행한 -
MT25QL128ABA1EW7-0M03IT Micron Technology Inc. MT25QL128ABA1EW7-0M03IT -
RFQ
 ECAD 4289 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 MT25QL128 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-wpdfn (6x5) (MLP8) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 557-MT25QL128ABA1EW7-0M03IT 쓸모없는 2,940 133 MHz 비 비 128mbit 플래시 16m x 8 SPI 1.8ms
MT41J256M16LY-091G:N TR Micron Technology Inc. MT41J256M16LY-091G : N TR -
RFQ
 ECAD 5857 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT41J256M16 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-FBGA (7.5x13.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 2,000 1GHz 휘발성 휘발성 4gbit 음주 256m x 16 평행한 -
MT29F4G08ABBEAH4-IT:E TR Micron Technology Inc. MT29F4G08ABBEAH4-IT : E TR -
RFQ
 ECAD 6222 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA MT29F4G08 플래시 - NAND 1.7V ~ 1.95V 63-VFBGA (9x11) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 4gbit 플래시 512m x 8 평행한 -
MT40A256M16LY-062E:F TR Micron Technology Inc. MT40A256M16LY-062E : F TR 8.3250
RFQ
 ECAD 8360 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 96-FBGA (7.5x13.5) 다운로드 557-MT40A256M16LY-062E : FTR 2,000 1.6GHz 휘발성 휘발성 4gbit 19 ns 음주 256m x 16 현물 현물 지불 15ns
MT28F400B3SG-8 BET Micron Technology Inc. MT28F400B3SG-8 BET -
RFQ
 ECAD 7797 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-SOIC (0.496 ", 12.60mm 너비) MT28F400B3 플래시 - 아니오 3V ~ 3.6V 44- 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 500 비 비 4mbit 80 ns 플래시 512k x 8, 256k x 16 평행한 80ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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