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![]() | EDB1316BDBH-1DIT-FD | - | ![]() | 1783 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 134-VFBGA | EDB1316 | sdram- 모바일 lpddr2 | 1.14V ~ 1.95V | 134-VFBGA (10x11.5) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0032 | 2,100 | 533 MHz | 휘발성 휘발성 | 1gbit | 음주 | 64m x 16 | 평행한 | - | ||||
![]() | NAND512R3A2SE06 | - | ![]() | 5118 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | - | - | NAND512 | 플래시 - NAND | 1.7V ~ 1.95V | - | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 비 비 | 512mbit | 50 ns | 플래시 | 64m x 8 | 평행한 | 50ns | |||||
![]() | PC28F128J3D75E | - | ![]() | 5448 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 64-TBGA | PC28F128 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 64-ESYBGA (10x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 864 | 비 비 | 128mbit | 75 ns | 플래시 | 16m x 8, 8m x 16 | 평행한 | 75ns | ||||
MT48V8M32LFF5-10 IT | - | ![]() | 2444 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 90-VFBGA | MT48V8M32 | sdram- 모바일 lpsdr | 2.3V ~ 2.7V | 90-VFBGA (8x13) | - | rohs 비준수 | 2 (1 년) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 100MHz | 휘발성 휘발성 | 256mbit | 7 ns | 음주 | 8m x 32 | 평행한 | 15ns | ||||
![]() | MTFC256GBCAQTC-AAT ES | 99.4350 | ![]() | 4590 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 상자 | 활동적인 | - | 557-MTFC256GBCAQTC-AATES | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | MT42L32M16D1U67MWC2 | - | ![]() | 9465 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -25 ° C ~ 85 ° C (TC) | MT42L32M16 | sdram- 모바일 lpddr2 | 1.14V ~ 1.3V | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1 | 휘발성 휘발성 | 512mbit | 음주 | 32m x 16 | 평행한 | ||||||||||
![]() | MT25QL01GBB8E12E01-2SIT | - | ![]() | 7066 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 상자 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 24-TBGA | MT25QL01 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 24-T-PBGA (6x8) | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,122 | 133 MHz | 비 비 | 1gbit | 플래시 | 128m x 8 | SPI | 8ms, 2.8ms | ||||||
![]() | MT41K256M8DA-125 AIT : k | - | ![]() | 5905 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 78-TFBGA | MT41K256M8 | sdram -ddr3l | 1.283V ~ 1.45V | 78-FBGA (8x10.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1 | 800MHz | 휘발성 휘발성 | 2gbit | 13.75 ns | 음주 | 256m x 8 | 평행한 | - | |||
![]() | MT52L256M64D2PD-107 XT ES : B TR | - | ![]() | 2518 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | 표면 표면 | 216-WFBGA | MT52L256 | sdram- 모바일 lpddr3 | 1.2V | 216-FBGA (15x15) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 933 MHz | 휘발성 휘발성 | 16gbit | 음주 | 256m x 64 | - | - | ||||
![]() | MT46V64M8P-5B IT : J TR | - | ![]() | 7635 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) | MT46V64M8 | sdram -ddr | 2.5V ~ 2.7V | 66-tsop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 200MHz | 휘발성 휘발성 | 512mbit | 700 PS | 음주 | 64m x 8 | 평행한 | 15ns | |||
![]() | MT53B128M32D1NP-062 AUT : a | - | ![]() | 5229 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | 표면 표면 | 200-WFBGA | MT53B128 | sdram- 모바일 lpddr4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1,360 | 1.6GHz | 휘발성 휘발성 | 4gbit | 음주 | 128m x 32 | - | - | ||||
![]() | MTFC8GLDEA-4M IT | - | ![]() | 5799 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 153-WFBGA | MTFC8 | 플래시 - NAND | 1.65V ~ 3.6V | 153-WFBGA (11.5x13) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8523.51.0000 | 1,520 | 비 비 | 64gbit | 플래시 | 8g x 8 | MMC | - | |||||
![]() | mtfc4gmwdm-3m ait a tr | - | ![]() | 8527 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 153-TFBGA | MTFC4 | 플래시 - NAND | 2.7V ~ 3.6V | 153-TFBGA (11.5x13) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | mtfc4gmwdm-3maitatr | 쓸모없는 | 8542.32.0071 | 2,000 | 비 비 | 32gbit | 플래시 | 4G X 8 | MMC | - | ||||
![]() | M29W400DB70ZE6E | - | ![]() | 7583 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-TFBGA | M29W400 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 48-TFBGA (6x9) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 187 | 비 비 | 4mbit | 70 ns | 플래시 | 512k x 8, 256k x 16 | 평행한 | 70ns | ||||
![]() | MT29F2G08ABAGAH4-ite : g | 2.0207 | ![]() | 7844 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 63-VFBGA | MT29F2G08 | 플래시 - NAND | 2.7V ~ 3.6V | 63-VFBGA (9x11) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | -mt29f2g08abagah4- 라이트 : gtr | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,260 | 비 비 | 2gbit | 플래시 | 256m x 8 | 평행한 | - | ||||
![]() | PC28F064M29ewta | - | ![]() | 4754 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 64-lbga | PC28F064 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 64-FBGA (11x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,104 | 비 비 | 64mbit | 60 ns | 플래시 | 8m x 8, 4m x 16 | 평행한 | 60ns | ||||
![]() | PC48F4400P0VB0EE | - | ![]() | 6073 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Axcell ™ | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 64-lbga | PC48F4400 | 플래시 - 아니오 | 1.7V ~ 2V | 64-ESYBGA (10x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 136 | 52MHz | 비 비 | 512mbit | 100 ns | 플래시 | 32m x 16 | 평행한 | 100ns | |||
![]() | MT51K256M32HF-50 N : A TR | - | ![]() | 8109 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | - | - | MT51K256 | sgram -gddr5 | 1.3V ~ 1.545V | - | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 2,000 | 1.25GHz | 휘발성 휘발성 | 8gbit | 숫양 | 256m x 32 | 평행한 | - | ||||
![]() | MT48H16M32LFCM-75 IT : B TR | - | ![]() | 9457 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 90-VFBGA | MT48H16M32 | sdram- 모바일 lpsdr | 1.7V ~ 1.95V | 90-VFBGA (10x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 2 (1 년) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | 휘발성 휘발성 | 512mbit | 5.4 ns | 음주 | 16m x 32 | 평행한 | 15ns | |||
![]() | mtfc8gakajcn-4m it tr | - | ![]() | 8525 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 153-VFBGA | MTFC8 | 플래시 - NAND | 2.7V ~ 3.6V | 153-VFBGA (11.5x13) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 비 비 | 64gbit | 플래시 | 8g x 8 | MMC | - | |||||
![]() | M25PX32-VMP6E | - | ![]() | 9843 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-vdfn d 패드 | M25PX32 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 8-vdfpn (6x5) (MLP8) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,940 | 75MHz | 비 비 | 32mbit | 플래시 | 4m x 8 | SPI | 15ms, 5ms | ||||
![]() | MT46V16M16P-75 : F TR | - | ![]() | 3733 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 컷 컷 (CT) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) | MT46V16M16 | sdram -ddr | 2.3V ~ 2.7V | 66-tsop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 2 (1 년) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | 휘발성 휘발성 | 256mbit | 750 ps | 음주 | 16m x 16 | 평행한 | 15ns | |||
![]() | MT40A512M16LY-062E AIT : E TR | 9.2250 | ![]() | 3525 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 96-TFBGA | MT40A512M16 | sdram -ddr4 | 1.14V ~ 1.26V | 96-FBGA (7.5x13.5) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | MT40A512M16LY-062EAIT : ETR | 귀 99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.6GHz | 휘발성 휘발성 | 8gbit | 19 ns | 음주 | 512m x 16 | 평행한 | 15ns | ||
![]() | MT29VZZZAD8FQFSL-046 W.G8K TR | - | ![]() | 3937 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | MT29VZZZAD8 | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 557-MT29VZZZAD8FQFSL-046W.G8KTR | 쓸모없는 | 2,000 | 확인되지 확인되지 | ||||||||||||||||
MT48V8M32LFF5-8 IT | - | ![]() | 7536 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 90-VFBGA | MT48V8M32 | sdram- 모바일 lpsdr | 2.3V ~ 2.7V | 90-VFBGA (8x13) | - | rohs 비준수 | 2 (1 년) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 125MHz | 휘발성 휘발성 | 256mbit | 7 ns | 음주 | 8m x 32 | 평행한 | 15ns | ||||
![]() | mtfc8gamalna-aat es tr | - | ![]() | 2993 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 100-tbga | MTFC8 | 플래시 - NAND | - | 100-TBGA (14x18) | - | 1 (무제한) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 비 비 | 64gbit | 플래시 | 8g x 8 | MMC | - | |||||||
MT29C1G12MAADVAMD-5 IT | - | ![]() | 4208 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 130-VFBGA | MT29C1G12 | 플래시 -Nand, n lpdram | 1.7V ~ 1.95V | 130-VFBGA (8x9) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 200MHz | 비 비, 휘발성 | 1GBIT (NAND), 512MBIT (LPDRAM) | 플래시, 램 | 64m x 16 (NAND), 32m x 16 (lpdram) | 평행한 | - | ||||||
![]() | EMFA164A2PF-DV-FD | - | ![]() | 1940 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 대부분 | 쓸모없는 | EMFA164 | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1,260 | ||||||||||||||||||
![]() | MT29F2T08EMHAFJ4-3ITFES : A TR | 77.9550 | ![]() | 4182 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 132-VBGA | MT29F2T08 | 플래시 - NAND | 2.5V ~ 3.6V | 132-VBGA (12x18) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | MT29F2T08EMHAFJ4-3ITFES : ATR | 8542.32.0071 | 2,000 | 333 MHz | 비 비 | 2tbit | 플래시 | 256g x 8 | 평행한 | - | ||||
MT40A1G8SA-062E IT : E TR | 6.6000 | ![]() | 6905 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 78-TFBGA | MT40A1G8 | sdram -ddr4 | 1.14V ~ 1.26V | 78-FBGA (7.5x11) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.6GHz | 휘발성 휘발성 | 8gbit | 음주 | 1g x 8 | 평행한 | - |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
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