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EDB1316BDBH-1DIT-F-D Micron Technology Inc. EDB1316BDBH-1DIT-FD -
RFQ
ECAD 1783 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 134-VFBGA EDB1316 sdram- 모바일 lpddr2 1.14V ~ 1.95V 134-VFBGA (10x11.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 2,100 533 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 음주 64m x 16 평행한 -
NAND512R3A2SE06 Micron Technology Inc. NAND512R3A2SE06 -
RFQ
ECAD 5118 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) - - NAND512 플래시 - NAND 1.7V ~ 1.95V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 512mbit 50 ns 플래시 64m x 8 평행한 50ns
PC28F128J3D75E Micron Technology Inc. PC28F128J3D75E -
RFQ
ECAD 5448 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-TBGA PC28F128 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-ESYBGA (10x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 864 비 비 128mbit 75 ns 플래시 16m x 8, 8m x 16 평행한 75ns
MT48V8M32LFF5-10 IT Micron Technology Inc. MT48V8M32LFF5-10 IT -
RFQ
ECAD 2444 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-VFBGA MT48V8M32 sdram- 모바일 lpsdr 2.3V ~ 2.7V 90-VFBGA (8x13) - rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 100MHz 휘발성 휘발성 256mbit 7 ns 음주 8m x 32 평행한 15ns
MTFC256GBCAQTC-AAT ES Micron Technology Inc. MTFC256GBCAQTC-AAT ES 99.4350
RFQ
ECAD 4590 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 활동적인 - 557-MTFC256GBCAQTC-AATES 1
MT42L32M16D1U67MWC2 Micron Technology Inc. MT42L32M16D1U67MWC2 -
RFQ
ECAD 9465 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TC) MT42L32M16 sdram- 모바일 lpddr2 1.14V ~ 1.3V - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1 휘발성 휘발성 512mbit 음주 32m x 16 평행한
MT25QL01GBBB8E12E01-2SIT Micron Technology Inc. MT25QL01GBB8E12E01-2SIT -
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ECAD 7066 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA MT25QL01 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 24-T-PBGA (6x8) 다운로드 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 133 MHz 비 비 1gbit 플래시 128m x 8 SPI 8ms, 2.8ms
MT41K256M8DA-125 AIT:K Micron Technology Inc. MT41K256M8DA-125 AIT : k -
RFQ
ECAD 5905 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT41K256M8 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1 800MHz 휘발성 휘발성 2gbit 13.75 ns 음주 256m x 8 평행한 -
MT52L256M64D2PD-107 XT ES:B TR Micron Technology Inc. MT52L256M64D2PD-107 XT ES : B TR -
RFQ
ECAD 2518 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 표면 표면 216-WFBGA MT52L256 sdram- 모바일 lpddr3 1.2V 216-FBGA (15x15) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 933 MHz 휘발성 휘발성 16gbit 음주 256m x 64 - -
MT46V64M8P-5B IT:J TR Micron Technology Inc. MT46V64M8P-5B IT : J TR -
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ECAD 7635 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V64M8 sdram -ddr 2.5V ~ 2.7V 66-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 200MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 64m x 8 평행한 15ns
MT53B128M32D1NP-062 AUT:A Micron Technology Inc. MT53B128M32D1NP-062 AUT : a -
RFQ
ECAD 5229 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TC) 표면 표면 200-WFBGA MT53B128 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,360 1.6GHz 휘발성 휘발성 4gbit 음주 128m x 32 - -
MTFC8GLDEA-4M IT Micron Technology Inc. MTFC8GLDEA-4M IT -
RFQ
ECAD 5799 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 153-WFBGA MTFC8 플래시 - NAND 1.65V ~ 3.6V 153-WFBGA (11.5x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8523.51.0000 1,520 비 비 64gbit 플래시 8g x 8 MMC -
MTFC4GMWDM-3M AIT A TR Micron Technology Inc. mtfc4gmwdm-3m ait a tr -
RFQ
ECAD 8527 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 153-TFBGA MTFC4 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 153-TFBGA (11.5x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 mtfc4gmwdm-3maitatr 쓸모없는 8542.32.0071 2,000 비 비 32gbit 플래시 4G X 8 MMC -
M29W400DB70ZE6E Micron Technology Inc. M29W400DB70ZE6E -
RFQ
ECAD 7583 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA M29W400 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x9) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 187 비 비 4mbit 70 ns 플래시 512k x 8, 256k x 16 평행한 70ns
MT29F2G08ABAGAH4-ITE:G Micron Technology Inc. MT29F2G08ABAGAH4-ite : g 2.0207
RFQ
ECAD 7844 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA MT29F2G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 63-VFBGA (9x11) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 -mt29f2g08abagah4- 라이트 : gtr 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 비 비 2gbit 플래시 256m x 8 평행한 -
PC28F064M29EWTA Micron Technology Inc. PC28F064M29ewta -
RFQ
ECAD 4754 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-lbga PC28F064 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-FBGA (11x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,104 비 비 64mbit 60 ns 플래시 8m x 8, 4m x 16 평행한 60ns
PC48F4400P0VB0EE Micron Technology Inc. PC48F4400P0VB0EE -
RFQ
ECAD 6073 0.00000000 Micron Technology Inc. Axcell ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 64-lbga PC48F4400 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 64-ESYBGA (10x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 136 52MHz 비 비 512mbit 100 ns 플래시 32m x 16 평행한 100ns
MT51K256M32HF-50 N:A TR Micron Technology Inc. MT51K256M32HF-50 N : A TR -
RFQ
ECAD 8109 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) - - MT51K256 sgram -gddr5 1.3V ~ 1.545V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 2,000 1.25GHz 휘발성 휘발성 8gbit 숫양 256m x 32 평행한 -
MT48H16M32LFCM-75 IT:B TR Micron Technology Inc. MT48H16M32LFCM-75 IT : B TR -
RFQ
ECAD 9457 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-VFBGA MT48H16M32 sdram- 모바일 lpsdr 1.7V ~ 1.95V 90-VFBGA (10x13) 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5.4 ns 음주 16m x 32 평행한 15ns
MTFC8GAKAJCN-4M IT TR Micron Technology Inc. mtfc8gakajcn-4m it tr -
RFQ
ECAD 8525 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 153-VFBGA MTFC8 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 153-VFBGA (11.5x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 64gbit 플래시 8g x 8 MMC -
M25PX32-VMP6E Micron Technology Inc. M25PX32-VMP6E -
RFQ
ECAD 9843 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 M25PX32 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-vdfpn (6x5) (MLP8) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,940 75MHz 비 비 32mbit 플래시 4m x 8 SPI 15ms, 5ms
MT46V16M16P-75:F TR Micron Technology Inc. MT46V16M16P-75 : F TR -
RFQ
ECAD 3733 0.00000000 Micron Technology Inc. - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V16M16 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-tsop 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 750 ps 음주 16m x 16 평행한 15ns
MT40A512M16LY-062E AIT:E TR Micron Technology Inc. MT40A512M16LY-062E AIT : E TR 9.2250
RFQ
ECAD 3525 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT40A512M16 sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 96-FBGA (7.5x13.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 MT40A512M16LY-062EAIT : ETR 귀 99 8542.32.0036 2,000 1.6GHz 휘발성 휘발성 8gbit 19 ns 음주 512m x 16 평행한 15ns
MT29VZZZAD8FQFSL-046 W.G8K TR Micron Technology Inc. MT29VZZZAD8FQFSL-046 W.G8K TR -
RFQ
ECAD 3937 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 MT29VZZZAD8 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 557-MT29VZZZAD8FQFSL-046W.G8KTR 쓸모없는 2,000 확인되지 확인되지
MT48V8M32LFF5-8 IT Micron Technology Inc. MT48V8M32LFF5-8 IT -
RFQ
ECAD 7536 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-VFBGA MT48V8M32 sdram- 모바일 lpsdr 2.3V ~ 2.7V 90-VFBGA (8x13) - rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 125MHz 휘발성 휘발성 256mbit 7 ns 음주 8m x 32 평행한 15ns
MTFC8GAMALNA-AAT ES TR Micron Technology Inc. mtfc8gamalna-aat es tr -
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ECAD 2993 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 100-tbga MTFC8 플래시 - NAND - 100-TBGA (14x18) - 1 (무제한) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 64gbit 플래시 8g x 8 MMC -
MT29C1G12MAADVAMD-5 IT Micron Technology Inc. MT29C1G12MAADVAMD-5 IT -
RFQ
ECAD 4208 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 130-VFBGA MT29C1G12 플래시 -Nand, n lpdram 1.7V ~ 1.95V 130-VFBGA (8x9) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200MHz 비 비, 휘발성 1GBIT (NAND), 512MBIT (LPDRAM) 플래시, 램 64m x 16 (NAND), 32m x 16 (lpdram) 평행한 -
EMFA164A2PF-DV-F-D Micron Technology Inc. EMFA164A2PF-DV-FD -
RFQ
ECAD 1940 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 EMFA164 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,260
MT29F2T08EMHAFJ4-3ITFES:A TR Micron Technology Inc. MT29F2T08EMHAFJ4-3ITFES : A TR 77.9550
RFQ
ECAD 4182 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 132-VBGA MT29F2T08 플래시 - NAND 2.5V ~ 3.6V 132-VBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 MT29F2T08EMHAFJ4-3ITFES : ATR 8542.32.0071 2,000 333 MHz 비 비 2tbit 플래시 256g x 8 평행한 -
MT40A1G8SA-062E IT:E TR Micron Technology Inc. MT40A1G8SA-062E IT : E TR 6.6000
RFQ
ECAD 6905 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT40A1G8 sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (7.5x11) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 1.6GHz 휘발성 휘발성 8gbit 음주 1g x 8 평행한 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고