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통합 통합 (ICS) (10403)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
MT29F1T208ECHBBJ4-3RES:B TR Micron Technology Inc. MT29F1T208ECHBBJ4-3RES : B TR -
RFQ
 ECAD 1269 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 132-VBGA MT29F1T208 플래시 - NAND 2.5V ~ 3.6V 132-VBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 333 MHz 비 비 1.125tbit 플래시 144g x 8 평행한 -
MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR Micron Technology Inc. MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES : B TR -
RFQ
 ECAD 2775 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 132-VBGA MT29E1HT08 플래시 - NAND 2.5V ~ 3.6V 132-VBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 1.5tbit 플래시 192g x 8 평행한 -
MT41K2G4SN-107:A TR Micron Technology Inc. MT41K2G4SN-107 : A TR -
RFQ
 ECAD 1742 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT41K2G4 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (9x13.2) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 2,000 933 MHz 휘발성 휘발성 8gbit 20 ns 음주 2G X 4 평행한 -
MT29F32G08ABAAAWP:A Micron Technology Inc. MT29F32G08ABAAAWP : a -
RFQ
 ECAD 7924 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F32G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 32gbit 플래시 4G X 8 평행한 -
MT47H64M8CF-25E:G TR Micron Technology Inc. MT47H64M8CF-25E : G TR -
RFQ
 ECAD 3189 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 60-TFBGA MT47H64M8 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 60-FBGA (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 2,000 400MHz 휘발성 휘발성 512mbit 400 PS 음주 64m x 8 평행한 15ns
MT46H32M16LFBF-6 IT:B TR Micron Technology Inc. MT46H32M16LFBF-6 IT : B TR -
RFQ
 ECAD 8483 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-VFBGA MT46H32M16 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 60-VFBGA (8x9) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 166 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5 ns 음주 32m x 16 평행한 15ns
MT25QL512ABB8ESF-0AAT TR Micron Technology Inc. MT25QL512ABB8ESF-0AAT TR 11.5900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) MT25QL512 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 16- 형의 행위 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 133 MHz 비 비 512mbit 플래시 64m x 8 SPI 8ms, 2.8ms
MT47H32M16HR-25E AIT:G Micron Technology Inc. MT47H32M16HR-25E AIT : g -
RFQ
 ECAD 4299 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 84-TFBGA MT47H32M16 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-FBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 1,000 400MHz 휘발성 휘발성 512mbit 400 PS 음주 32m x 16 평행한 15ns
PC28F512G18FF TR Micron Technology Inc. PC28F512G18FF TR -
RFQ
 ECAD 9351 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 64-TBGA PC28F512 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 64-EASYBGA (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 133 MHz 비 비 512mbit 96 ns 플래시 32m x 16 평행한 96ns
MT41DC11TW-V88A TR Micron Technology Inc. MT41DC11TW-V88A TR -
RFQ
 ECAD 7892 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 MT41DC - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 2,000
MT29F64G08AMABAC5-IT:B Micron Technology Inc. MT29F64G08AMABAC5-IT : b -
RFQ
 ECAD 3605 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 52-VLGA MT29F64G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 52-VLGA (18x14) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 64gbit 플래시 8g x 8 평행한 -
MT41K256M16HA-125:E Micron Technology Inc. MT41K256M16HA-125 : e -
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 ECAD 4756 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT41K256M16 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (9x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 800MHz 휘발성 휘발성 4gbit 13.75 ns 음주 256m x 16 평행한 -
MT53E512M32D1ZW-046BAIT:B Micron Technology Inc. MT53E512M32D1ZW-046BAIT : b -
RFQ
 ECAD 5708 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 200-TFBGA sdram- 모바일 lpddr4x 1.06V ~ 1.17V 200-TFBGA (10x14.5) - 557-MT53E512M32D1ZW-046BAIT : b 1 2.133 GHz 휘발성 휘발성 16gbit 3.5 ns 음주 512m x 32 평행한 18ns
MT49H16M36SJ-18 IT:B TR Micron Technology Inc. MT49H16M36SJ-18 IT : B TR 63.7350
RFQ
 ECAD 8681 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 144-TFBGA MT49H16M36 음주 1.7V ~ 1.9V 144-FBGA (18.5x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0028 1,000 533 MHz 휘발성 휘발성 576mbit 15 ns 음주 16m x 36 평행한 -
MT52L1G32D4PG-093 WT ES:B Micron Technology Inc. MT52L1G32D4PG-093 WT ES : b -
RFQ
 ECAD 2029 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 178-VFBGA MT52L1G32 sdram- 모바일 lpddr3 1.2V 178-FBGA (12x11.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,680 1067 MHz 휘발성 휘발성 32gbit 음주 1g x 32 - -
MT28F800B3SG-9 BET Micron Technology Inc. MT28F800B3SG-9 BET -
RFQ
 ECAD 9228 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-SOIC (0.496 ", 12.60mm 너비) MT28F800B3 플래시 - 아니오 3V ~ 3.6V 44- 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 500 비 비 8mbit 90 ns 플래시 1m x 8, 512k x 16 평행한 90ns
MT48LC4M32LFB5-10 IT:G Micron Technology Inc. MT48LC4M32LFB5-10 IT : g -
RFQ
 ECAD 1217 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-VFBGA MT48LC4M32 sdram- 모바일 lpsdr 3V ~ 3.6V 90-VFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 100MHz 휘발성 휘발성 128mbit 7 ns 음주 4m x 32 평행한 15ns
MT46H64M32L2JG-6:A Micron Technology Inc. MT46H64M32L2JG-6 : a -
RFQ
 ECAD 5754 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 168-VFBGA MT46H64M32 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 168-VFBGA (12x12) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 166 MHz 휘발성 휘발성 2gbit 5 ns 음주 64m x 32 평행한 15ns
MT29F128G08CBCEBJ4-37ES:E TR Micron Technology Inc. MT29F128G08CBCEBJ4-37ES : E TR -
RFQ
 ECAD 5976 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 132-VBGA MT29F128G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 132-VBGA (12x18) - 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 1,000 267 MHz 비 비 128gbit 플래시 16g x 8 평행한 -
PC28F640P33BF60A Micron Technology Inc. PC28F640P33BF60A -
RFQ
 ECAD 2818 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 64-TBGA PC28F640 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 64-ESYBGA (10x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 52MHz 비 비 64mbit 60 ns 플래시 4m x 16 평행한 60ns
MT29F32G08AFABAWP-IT:B TR Micron Technology Inc. MT29F32G08AFABAWP-IT : B TR -
RFQ
 ECAD 6557 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F32G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 32gbit 플래시 4G X 8 평행한 -
MT53B384M16D1Z0APWC1 Micron Technology Inc. MT53B384M16D1Z0APWC1 -
RFQ
 ECAD 4477 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 0 ° C ~ 85 ° C (TC) - - MT53B384 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1 휘발성 휘발성 6gbit 음주 384m x 16 - -
MT48LC2M32B2P-5:J Micron Technology Inc. MT48LC2M32B2P-5 : J. -
RFQ
 ECAD 9577 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC2M32B2 sdram 3V ~ 3.6V 86-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,080 200MHz 휘발성 휘발성 64mbit 4.5 ns 음주 2m x 32 평행한 -
MT28F800B3WG-9 B Micron Technology Inc. MT28F800B3WG-9 b -
RFQ
 ECAD 2295 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT28F800B3 플래시 - 아니오 3V ~ 3.6V 48-tsop i 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,000 비 비 8mbit 90 ns 플래시 1m x 8, 512k x 16 평행한 90ns
MT41K256M16TW-107 AUT:P TR Micron Technology Inc. MT41K256M16TW-107 AUT : P TR 8.4000
RFQ
 ECAD 1632 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT41K256M16 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (9x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 933 MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 256m x 16 평행한 -
MT53E2G32D4DE-046 AIT:C Micron Technology Inc. MT53E2G32D4DE-046 AIT : C. 51.3600
RFQ
 ECAD 3421 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 상자 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 200-TFBGA sdram- 모바일 lpddr4x 1.06V ~ 1.17V 200-TFBGA (10x14.5) - 557-MT53E2G32D4DE-046AIT : c 1 2.133 GHz 휘발성 휘발성 64gbit 3.5 ns 음주 2G X 32 평행한 18ns
MT25QL128ABB8ESF-0AUT TR Micron Technology Inc. MT25QL128ABB8ESF-0AUT TR -
RFQ
 ECAD 7924 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) MT25QL128 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 16-SOP2 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 133 MHz 비 비 128mbit 플래시 16m x 8 SPI 8ms, 2.8ms
M25P10-AVMP6G Micron Technology Inc. M25P10-AVMP6G -
RFQ
 ECAD 1215 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 M25P10 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 8-VFQFPN (6x5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 490 50MHz 비 비 1mbit 플래시 128k x 8 SPI 15ms, 5ms
MTFC64GJVDN-IT Micron Technology Inc. MTFC64GJVDN-IT -
RFQ
 ECAD 1158 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 169-LFBGA MTFC64 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 169-LFBGA (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 512gbit 플래시 64g x 8 MMC -
MTFC64GAOAMEA-WT ES TR Micron Technology Inc. MTFC64GAOAMEA-WT ES TR -
RFQ
 ECAD 6892 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 MTFC64 - 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 1,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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