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통합 통합 (ICS) (10403)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
MTFC2GMVEA-0M WT TR Micron Technology Inc. MTFC2GMVEA-0M WT TR -
RFQ
 ECAD 6002 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 153-VFBGA mtfc2g 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 153-VFBGA - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 16gbit 플래시 2G X 8 MMC -
MT48LC2M32B2TG-6 IT:G Micron Technology Inc. MT48LC2M32B2TG-6 IT : g -
RFQ
 ECAD 3376 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC2M32B2 sdram 3V ~ 3.6V 86-TSOP II 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 167 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.5 ns 음주 2m x 32 평행한 12ns
MT48LC8M32LFB5-8 IT TR Micron Technology Inc. MT48LC8M32LFB5-8 IT TR -
RFQ
 ECAD 7229 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-VFBGA MT48LC8M32 sdram- 모바일 lpsdr 3V ~ 3.6V 90-VFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 125MHz 휘발성 휘발성 256mbit 7 ns 음주 8m x 32 평행한 15ns
M29F200BT70N1 Micron Technology Inc. M29F200BT70N1 -
RFQ
 ECAD 1802 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M29F200 플래시 - 아니오 4.5V ~ 5.5V 48-tsop - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 96 비 비 2mbit 70 ns 플래시 256k x 8, 128k x 16 평행한 70ns
MTFC64GAPAKEA-WT Micron Technology Inc. MTFC64GAPAKEA-WT -
RFQ
 ECAD 6282 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 쟁반 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 153-WFBGA MTFC64 플래시 - NAND - 153-WFBGA (11.5x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1,520 비 비 512gbit 플래시 64g x 8 MMC -
MT46H64M32LFMA-6 IT:A Micron Technology Inc. MT46H64M32LFMA-6 IT : a -
RFQ
 ECAD 2543 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 168-WFBGA MT46H64M32 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 168-WFBGA (12x12) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 166 MHz 휘발성 휘발성 2gbit 5 ns 음주 64m x 32 평행한 15ns
MT29F1G01ABAFD12-IT:F Micron Technology Inc. MT29F1G01ABAFD12-IT : f -
RFQ
 ECAD 5554 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA MT29F1G01 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 24-T-PBGA (6x8) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 -MT29F1G01ABAFD12-IT : FTR 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 비 비 1gbit 플래시 1g x 1 SPI -
MT46H8M32LFB5-75 IT:A TR Micron Technology Inc. MT46H8M32LFB5-75 IT : A TR -
RFQ
 ECAD 1784 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-VFBGA MT46H8M32 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 90-VFBGA (8x13) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 6 ns 음주 8m x 32 평행한 15ns
MT53B4DATT-DC Micron Technology Inc. MT53B4DATT-DC -
RFQ
 ECAD 9840 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 쓸모없는 MT53B4 sdram- 모바일 lpddr4 - 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 1,680 휘발성 휘발성 음주
MT29F4G01ADAGDSF-IT:G Micron Technology Inc. MT29F4G01ADAGDSF-IT : g -
RFQ
 ECAD 6684 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) MT29F4G01 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 16- 형의 행위 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,440 비 비 4gbit 플래시 4g x 1 SPI -
M25PE10-VMN3TPB TR Micron Technology Inc. M25PE10-VMN3TPB TR -
RFQ
 ECAD 1574 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) M25PE10 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0071 2,500 75MHz 비 비 1mbit 플래시 128k x 8 SPI 15ms, 3ms
MT41J512M4HX-187E:D Micron Technology Inc. MT41J512M4HX-187E : d -
RFQ
 ECAD 6711 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT41J512M4 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 78-FBGA (9x11.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 533 MHz 휘발성 휘발성 2gbit 13.125 ns 음주 512m x 4 평행한 -
MT29F1T08EMCAGJ4-5M:A TR Micron Technology Inc. MT29F1T08EMCAGJ4-5M : A TR -
RFQ
 ECAD 9704 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 132-VBGA MT29F1T08 플래시 - NAND 2.5V ~ 3.6V 132-VBGA (12x18) - 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 2,000 비 비 1tbit 플래시 128g x 8 평행한
N25Q128A13ESFH0F TR Micron Technology Inc. N25Q128A13ESFH0F TR -
RFQ
 ECAD 3809 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) N25Q128A13 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 16- 형의 행위 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 108 MHz 비 비 128mbit 플래시 32m x 4 SPI 8ms, 5ms
MT44K16M36RB-125E:A Micron Technology Inc. MT44K16M36RB-125E : a -
RFQ
 ECAD 4551 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 168-TBGA MT44K16M36 음주 1.28V ~ 1.42V 168-BGA (13.5x13.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,190 800MHz 휘발성 휘발성 576mbit 10 ns 음주 16m x 36 평행한 -
MT29F64G08EBAAAWP-Z:A TR Micron Technology Inc. MT29F64G08EBAAAWP-Z : A TR -
RFQ
 ECAD 2252 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F64G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 64gbit 플래시 8g x 8 평행한 -
MT29E256G08CMCDBJ5-6:D Micron Technology Inc. MT29E256G08CMCDBJ5-6 : d -
RFQ
 ECAD 8587 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 132-TBGA MT29E256G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 132-TBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 167 MHz 비 비 256gbit 플래시 32g x 8 평행한 -
MT29F128G8CBECBH6-12:C Micron Technology Inc. MT29F128G8CBECBH6-12 : c -
RFQ
 ECAD 3220 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 표면 표면 152-VBGA MT29F128G8 152-VBGA (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 980
MT29F128G08CFABBWP-12:B TR Micron Technology Inc. MT29F128G08CFABBWP-12 : B TR -
RFQ
 ECAD 4025 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F128G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83MHz 비 비 128gbit 플래시 16g x 8 평행한 -
MT46V64M8P-6T IT:F TR Micron Technology Inc. MT46V64M8P-6T IT : F TR -
RFQ
 ECAD 3320 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V64M8 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-tsop 다운로드 Rohs3 준수 4 (72 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 64m x 8 평행한 15ns
MT62F512M64D4EK-031 AIT:B TR Micron Technology Inc. MT62F512M64D4EK-031 AIT : B TR 29.6100
RFQ
 ECAD 9924 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C 표면 표면 441-TFBGA sdram- 모바일 lpddr5 - 441-TFBGA (14x14) - 557-MT62F512M64D4EK-031AIT : BTR 1,500 3.2GHz 휘발성 휘발성 32gbit 음주 512m x 64 평행한 -
MT29F8G08ABABAWP-IT:B TR Micron Technology Inc. MT29F8G08ABABAWP-IT : B TR -
RFQ
 ECAD 3435 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F8G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 8gbit 플래시 1g x 8 평행한 -
MT25QL01GBBB8ESF-0SIT TR Micron Technology Inc. MT25QL01GBB8ESF-0SIT TR 17.9500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) MT25QL01 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 16- 형의 행위 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 133 MHz 비 비 1gbit 플래시 128m x 8 SPI 8ms, 2.8ms
MT29F64G08CBAAAL74A3WC1 Micron Technology Inc. MT29F64G08CBAAAL74A3WC1 -
RFQ
 ECAD 3547 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 주사위 MT29F64G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 주사위 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1 비 비 64gbit 플래시 8g x 8 평행한 -
PC48F4400P0TB0EH Micron Technology Inc. PC48F4400P0TB0EH -
RFQ
 ECAD 9588 0.00000000 Micron Technology Inc. Axcell ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 64-lbga PC48F4400 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 64-ESYBGA (10x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 864 52MHz 비 비 512mbit 95 ns 플래시 32m x 16 평행한 95ns
JS28F512P33TFA Micron Technology Inc. JS28F512P33TFA -
RFQ
 ECAD 3084 0.00000000 Micron Technology Inc. Axcell ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) JS28F512P33 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 56-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 576 40MHz 비 비 512mbit 105 ns 플래시 32m x 16 평행한 105ns
MT29C2G24MAABAHAMD-5 IT TR Micron Technology Inc. MT29C2G24MAABAHAMD-5 IT TR -
RFQ
 ECAD 2404 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 130-VFBGA MT29C2G24 플래시 -Nand, n lpdram 1.7V ~ 1.95V 130-VFBGA (8x9) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200MHz 비 비, 휘발성 2GBIT (NAND), 1GBIT (LPDRAM) 플래시, 램 128m x 16 (NAND), 64m x 16 (lpdram) 평행한 -
MT29E768G08EEHBBJ4-3:B TR Micron Technology Inc. mt29e768g08eehbbj4-3 : b tr -
RFQ
 ECAD 6002 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 132-VBGA MT29E768G08 플래시 - NAND 2.5V ~ 3.6V 132-VBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 333 MHz 비 비 768gbit 플래시 96g x 8 평행한 -
JS28F128J3F75A Micron Technology Inc. JS28F128J3F75A -
RFQ
 ECAD 4363 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) JS28F128J3 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 56-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 576 비 비 128mbit 75 ns 플래시 16m x 8, 8m x 16 평행한 75ns
MT25TL512BBA8ESF-0AAT TR Micron Technology Inc. MT25TL512BBA8ESF-0AAT TR 10.3950
RFQ
 ECAD 8760 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) MT25TL512 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 16-SOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 133 MHz 비 비 512mbit 플래시 64m x 8 SPI 8ms, 2.8ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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