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MT48H4M16LFF4-8 | - | ![]() | 9903 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 상자 | sic에서 중단되었습니다 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 54-VFBGA | MT48H4M16 | sdram- 모바일 lpsdr | 1.7V ~ 1.9V | 54-VFBGA (8x8) | 다운로드 | rohs 비준수 | 2 (1 년) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 125MHz | 휘발성 휘발성 | 64mbit | 6 ns | 음주 | 4m x 16 | 평행한 | 15ns | |||
![]() | JS28F512P30TFA | - | ![]() | 6320 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Axcell ™ | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) | JS28F512P30 | 플래시 - 아니오 | 1.7V ~ 2V | 56-tsop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 576 | 40MHz | 비 비 | 512mbit | 110 ns | 플래시 | 32m x 16 | 평행한 | 110ns | ||
![]() | M25P05-AVMP6G | - | ![]() | 8268 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-vdfn d 패드 | M25P05-A | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 8-vdfpn (6x5) (MLP8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 2,940 | 50MHz | 비 비 | 512kbit | 플래시 | 64k x 8 | SPI | 15ms, 5ms | |||
![]() | MT29E256G08CMCDBJ5-6 : d | - | ![]() | 8587 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 132-TBGA | MT29E256G08 | 플래시 - NAND | 2.7V ~ 3.6V | 132-TBGA (12x18) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,120 | 167 MHz | 비 비 | 256gbit | 플래시 | 32g x 8 | 평행한 | - | ||||
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![]() | mtfc64gazaqhd-ait tr | 38.9100 | ![]() | 8270 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 153-VFBGA | MTFC64 | 플래시 - NAND | 2.7V ~ 3.6V | 153-VFBGA (11.5x13) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 557-MTFC64GAZAQHD-AITTR | 1 | 비 비 | 512gbit | 플래시 | 64g x 8 | EMMC | - | |||||
MT46V64M8CY-5B AIT : J TR | - | ![]() | 2993 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 60-TFBGA | MT46V64M8 | sdram -ddr | 2.5V ~ 2.7V | 60-FBGA (8x12.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 200MHz | 휘발성 휘발성 | 512mbit | 700 PS | 음주 | 64m x 8 | 평행한 | 15ns | |||
![]() | MT46V32M16TG-75E : C TR | - | ![]() | 5255 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) | MT46V32M16 | sdram -ddr | 2.3V ~ 2.7V | 66-tsop | - | rohs 비준수 | 4 (72 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | 휘발성 휘발성 | 512mbit | 750 ps | 음주 | 32m x 16 | 평행한 | 15ns | ||
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![]() | MT40A512M8RH-083E AUT : b | - | ![]() | 1079 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | 표면 표면 | 78-TFBGA | MT40A512M8 | sdram -ddr4 | 1.14V ~ 1.26V | 78-FBGA (9x10.5) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1,260 | 1.2GHz | 휘발성 휘발성 | 4gbit | 음주 | 512m x 8 | 평행한 | - | |||
![]() | MT29F4G08ABBFAH4-IASS : f | 4.1438 | ![]() | 1338 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 63-VFBGA | MT29F4G08 | 플래시 -Nand (SLC) | 1.7V ~ 1.95V | 63-VFBGA (9x11) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 0000.00.0000 | 1,260 | 비 비 | 4gbit | 플래시 | 512m x 8 | 평행한 | - | |||||
![]() | MT29F3T08EUHBBM4-3RES : B TR | - | ![]() | 6669 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | - | - | MT29F3T08 | 플래시 - NAND | 2.5V ~ 3.6V | - | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 333 MHz | 비 비 | 3tbit | 플래시 | 384g x 8 | 평행한 | - | |||
![]() | MT48LC8M8A2TG-7E L : G TR | - | ![]() | 1988 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) | MT48LC8M8A2 | sdram | 3V ~ 3.6V | 54-TSOP II | 다운로드 | rohs 비준수 | 2 (1 년) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 133 MHz | 휘발성 휘발성 | 64mbit | 5.4 ns | 음주 | 8m x 8 | 평행한 | 14ns | ||
![]() | M25P20-VMN6T TR | - | ![]() | 5587 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | M25P20 | 플래시 - 아니오 | 2.3V ~ 3.6V | 도 8- | 다운로드 | rohs 비준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 2,500 | 50MHz | 비 비 | 2mbit | 플래시 | 256k x 8 | SPI | 15ms, 5ms | |||
![]() | MT46H16M32LFCX-6 : B TR | - | ![]() | 6467 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 90-VFBGA | MT46H16M32 | sdram- 모바일 lpddr | 1.7V ~ 1.95V | 90-VFBGA (9x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 166 MHz | 휘발성 휘발성 | 512mbit | 5 ns | 음주 | 16m x 32 | 평행한 | 15ns | ||
![]() | MTFC32GAMALAM-WT ES | - | ![]() | 6074 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | 쟁반 | 쓸모없는 | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | - | - | MTFC32G | 플래시 - NAND | - | - | - | 1 (무제한) | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1,520 | 비 비 | 256gbit | 플래시 | 32g x 8 | MMC | - | ||||||
MT48LC8M16LFF4-75M IT : g | - | ![]() | 8203 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | sic에서 중단되었습니다 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 54-VFBGA | MT48LC8M16 | sdram- 모바일 lpsdr | 3V ~ 3.6V | 54-VFBGA (8x8) | 다운로드 | rohs 비준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 133 MHz | 휘발성 휘발성 | 128mbit | 5.4 ns | 음주 | 8m x 16 | 평행한 | 15ns | |||
![]() | MT46V64M4TG-5B : G TR | - | ![]() | 3168 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) | MT46V64M4 | sdram -ddr | 2.5V ~ 2.7V | 66-tsop | 다운로드 | rohs 비준수 | 2 (1 년) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 200MHz | 휘발성 휘발성 | 256mbit | 700 PS | 음주 | 64m x 4 | 평행한 | 15ns | ||
![]() | MT45W1MW16BAFB-856 WT TR | - | ![]() | 3771 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 54-VFBGA | MT45W1MW16 | psram (의사 sram) | 1.7V ~ 1.95V | 54-VFBGA (6x9) | 다운로드 | rohs 비준수 | 2 (1 년) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 휘발성 휘발성 | 16mbit | 85 ns | psram | 1m x 16 | 평행한 | 85ns | |||
![]() | MT46V16M16P-5B AIT : M TR | - | ![]() | 7946 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) | MT46V16M16 | sdram -ddr | 2.3V ~ 2.7V | 66-tsop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 200MHz | 휘발성 휘발성 | 256mbit | 700 PS | 음주 | 16m x 16 | 평행한 | 15ns | ||
![]() | MT29E1T08CMHBBJ4-3ES : B TR | - | ![]() | 7135 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 132-VBGA | MT29E1T08 | 플래시 - NAND | 2.5V ~ 3.6V | 132-VBGA (12x18) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 333 MHz | 비 비 | 1tbit | 플래시 | 128g x 8 | 평행한 | - | |||
MT46V32M16CY-5B IT : J TR | 6.2250 | ![]() | 5371 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 60-TFBGA | MT46V32M16 | sdram -ddr | 2.5V ~ 2.7V | 60-FBGA (8x12.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 200MHz | 휘발성 휘발성 | 512mbit | 700 PS | 음주 | 32m x 16 | 평행한 | 15ns | |||
![]() | MT29F512G08CUEDBJ6-12IT : D TR | - | ![]() | 9769 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 132-lbga | MT29F512G08 | 플래시 -Nand (MLC) | 2.7V ~ 3.6V | 132-LBGA (12x18) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 2,000 | 83MHz | 비 비 | 512gbit | 플래시 | 64g x 8 | 평행한 | - | ||||
![]() | MT29F32G08ABCABH1-10Z : a | - | ![]() | 6580 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 100-VBGA | MT29F32G08 | 플래시 - NAND | 2.7V ~ 3.6V | 100-VBGA (12x18) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,120 | 100MHz | 비 비 | 32gbit | 플래시 | 4G X 8 | 평행한 | - | |||
![]() | MT29E256G08CBHBBJ4-3ES : b | - | ![]() | 7786 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 132-VBGA | MT29E256G08 | 플래시 - NAND | 2.5V ~ 3.6V | 132-VBGA (12x18) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1,120 | 333 MHz | 비 비 | 256gbit | 플래시 | 32g x 8 | 평행한 | - | ||||
![]() | NAND512W4A0AN6E | - | ![]() | 9190 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) | NAND512 | 플래시 - NAND | 2.7V ~ 3.6V | 48-tsop | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 576 | 비 비 | 512mbit | 50 ns | 플래시 | 32m x 16 | 평행한 | 50ns | |||
M28W160ECT70ZB6E | - | ![]() | 6203 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 46-TFBGA | M28W160 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 46-TFBGA (6.39x6.37) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 230 | 비 비 | 16mbit | 70 ns | 플래시 | 1m x 16 | 평행한 | 70ns |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
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