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통합 통합 (ICS) (10403)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
MTFC4GMTEA-4M IT TR Micron Technology Inc. MTFC4GMTEA-4M IT TR -
RFQ
 ECAD 2750 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 153-WFBGA MTFC4 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 153-WFBGA (11.5x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 32gbit 플래시 4G X 8 MMC -
M29W400BB90N6 Micron Technology Inc. M29W400BB90N6 -
RFQ
 ECAD 3927 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M29W400 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 48-tsop - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 96 비 비 4mbit 90 ns 플래시 512k x 8, 256k x 16 평행한 90ns
MT48H4M16LFF4-8 Micron Technology Inc. MT48H4M16LFF4-8 -
RFQ
 ECAD 9903 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-VFBGA MT48H4M16 sdram- 모바일 lpsdr 1.7V ~ 1.9V 54-VFBGA (8x8) 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 125MHz 휘발성 휘발성 64mbit 6 ns 음주 4m x 16 평행한 15ns
JS28F512P30TFA Micron Technology Inc. JS28F512P30TFA -
RFQ
 ECAD 6320 0.00000000 Micron Technology Inc. Axcell ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) JS28F512P30 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 56-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 576 40MHz 비 비 512mbit 110 ns 플래시 32m x 16 평행한 110ns
M25P05-AVMP6G Micron Technology Inc. M25P05-AVMP6G -
RFQ
 ECAD 8268 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 M25P05-A 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-vdfpn (6x5) (MLP8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 2,940 50MHz 비 비 512kbit 플래시 64k x 8 SPI 15ms, 5ms
MT29E256G08CMCDBJ5-6:D Micron Technology Inc. MT29E256G08CMCDBJ5-6 : d -
RFQ
 ECAD 8587 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 132-TBGA MT29E256G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 132-TBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 167 MHz 비 비 256gbit 플래시 32g x 8 평행한 -
PN28F256M29EWHD Micron Technology Inc. PN28F256M29ewhd -
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 ECAD 4619 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) - - PN28F256M29 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V - - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 576 비 비 256mbit 100 ns 플래시 32m x 8, 16m x 16 평행한 100ns
N25Q032A13ESEC0E Micron Technology Inc. N25Q032A13ESEC0E -
RFQ
 ECAD 5577 0.00000000 Micron Technology Inc. - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) N25Q032A13 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-SOP2 - Rohs3 준수 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 1,800 108 MHz 비 비 32mbit 플래시 8m x 4 SPI 8ms, 5ms
MTFC64GAZAQHD-AIT TR Micron Technology Inc. mtfc64gazaqhd-ait tr 38.9100
RFQ
 ECAD 8270 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 153-VFBGA MTFC64 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 153-VFBGA (11.5x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 557-MTFC64GAZAQHD-AITTR 1 비 비 512gbit 플래시 64g x 8 EMMC -
MT46V64M8CY-5B AIT:J TR Micron Technology Inc. MT46V64M8CY-5B AIT : J TR -
RFQ
 ECAD 2993 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA MT46V64M8 sdram -ddr 2.5V ~ 2.7V 60-FBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 64m x 8 평행한 15ns
MT46V32M16TG-75E:C TR Micron Technology Inc. MT46V32M16TG-75E : C TR -
RFQ
 ECAD 5255 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V32M16 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-tsop - rohs 비준수 4 (72 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 750 ps 음주 32m x 16 평행한 15ns
MT29F128G08EBEBBWPES:B TR Micron Technology Inc. MT29F128G08EBEBBWPES : B TR -
RFQ
 ECAD 3153 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F128G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1,000 비 비 128gbit 플래시 16g x 8 평행한 -
MT40A512M8RH-083E AUT:B Micron Technology Inc. MT40A512M8RH-083E AUT : b -
RFQ
 ECAD 1079 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT40A512M8 sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (9x10.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,260 1.2GHz 휘발성 휘발성 4gbit 음주 512m x 8 평행한 -
MT29F4G08ABBFAH4-AITES:F Micron Technology Inc. MT29F4G08ABBFAH4-IASS : f 4.1438
RFQ
 ECAD 1338 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA MT29F4G08 플래시 -Nand (SLC) 1.7V ~ 1.95V 63-VFBGA (9x11) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 1,260 비 비 4gbit 플래시 512m x 8 평행한 -
MT29F3T08EUHBBM4-3RES:B TR Micron Technology Inc. MT29F3T08EUHBBM4-3RES : B TR -
RFQ
 ECAD 6669 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) - - MT29F3T08 플래시 - NAND 2.5V ~ 3.6V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 333 MHz 비 비 3tbit 플래시 384g x 8 평행한 -
MT48LC8M8A2TG-7E L:G TR Micron Technology Inc. MT48LC8M8A2TG-7E L : G TR -
RFQ
 ECAD 1988 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC8M8A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.4 ns 음주 8m x 8 평행한 14ns
M25P20-VMN6T TR Micron Technology Inc. M25P20-VMN6T TR -
RFQ
 ECAD 5587 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) M25P20 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 도 8- 다운로드 rohs 비준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 2,500 50MHz 비 비 2mbit 플래시 256k x 8 SPI 15ms, 5ms
MT46H16M32LFCX-6:B TR Micron Technology Inc. MT46H16M32LFCX-6 : B TR -
RFQ
 ECAD 6467 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 90-VFBGA MT46H16M32 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 90-VFBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 166 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5 ns 음주 16m x 32 평행한 15ns
MTFC32GAMALAM-WT ES Micron Technology Inc. MTFC32GAMALAM-WT ES -
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 ECAD 6074 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 쟁반 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TA) - - MTFC32G 플래시 - NAND - - - 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 1,520 비 비 256gbit 플래시 32g x 8 MMC -
MT48LC8M16LFF4-75M IT:G Micron Technology Inc. MT48LC8M16LFF4-75M IT : g -
RFQ
 ECAD 8203 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-VFBGA MT48LC8M16 sdram- 모바일 lpsdr 3V ~ 3.6V 54-VFBGA (8x8) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 8m x 16 평행한 15ns
MT46V64M4TG-5B:G TR Micron Technology Inc. MT46V64M4TG-5B : G TR -
RFQ
 ECAD 3168 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V64M4 sdram -ddr 2.5V ~ 2.7V 66-tsop 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 256mbit 700 PS 음주 64m x 4 평행한 15ns
MT45W1MW16BAFB-856 WT TR Micron Technology Inc. MT45W1MW16BAFB-856 WT TR -
RFQ
 ECAD 3771 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 54-VFBGA MT45W1MW16 psram (의사 sram) 1.7V ~ 1.95V 54-VFBGA (6x9) 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 휘발성 휘발성 16mbit 85 ns psram 1m x 16 평행한 85ns
MT46V16M16P-5B AIT:M TR Micron Technology Inc. MT46V16M16P-5B AIT : M TR -
RFQ
 ECAD 7946 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V16M16 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 256mbit 700 PS 음주 16m x 16 평행한 15ns
MT29E1T08CMHBBJ4-3ES:B TR Micron Technology Inc. MT29E1T08CMHBBJ4-3ES : B TR -
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 ECAD 7135 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 132-VBGA MT29E1T08 플래시 - NAND 2.5V ~ 3.6V 132-VBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 333 MHz 비 비 1tbit 플래시 128g x 8 평행한 -
MT46V32M16CY-5B IT:J TR Micron Technology Inc. MT46V32M16CY-5B IT : J TR 6.2250
RFQ
 ECAD 5371 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA MT46V32M16 sdram -ddr 2.5V ~ 2.7V 60-FBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 200MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 32m x 16 평행한 15ns
MT29F512G08CUEDBJ6-12IT:D TR Micron Technology Inc. MT29F512G08CUEDBJ6-12IT : D TR -
RFQ
 ECAD 9769 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 132-lbga MT29F512G08 플래시 -Nand (MLC) 2.7V ~ 3.6V 132-LBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 2,000 83MHz 비 비 512gbit 플래시 64g x 8 평행한 -
MT29F32G08ABCABH1-10Z:A Micron Technology Inc. MT29F32G08ABCABH1-10Z : a -
RFQ
 ECAD 6580 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-VBGA MT29F32G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 100-VBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 100MHz 비 비 32gbit 플래시 4G X 8 평행한 -
MT29E256G08CBHBBJ4-3ES:B Micron Technology Inc. MT29E256G08CBHBBJ4-3ES : b -
RFQ
 ECAD 7786 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 132-VBGA MT29E256G08 플래시 - NAND 2.5V ~ 3.6V 132-VBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,120 333 MHz 비 비 256gbit 플래시 32g x 8 평행한 -
NAND512W4A0AN6E Micron Technology Inc. NAND512W4A0AN6E -
RFQ
 ECAD 9190 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) NAND512 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 576 비 비 512mbit 50 ns 플래시 32m x 16 평행한 50ns
M28W160ECT70ZB6E Micron Technology Inc. M28W160ECT70ZB6E -
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 ECAD 6203 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 46-TFBGA M28W160 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 46-TFBGA (6.39x6.37) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 230 비 비 16mbit 70 ns 플래시 1m x 16 평행한 70ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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