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통합 통합 (ICS) (10403)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
MT48H8M32LFB5-75:G TR Micron Technology Inc. MT48H8M32LFB5-75 : G TR -
RFQ
 ECAD 4778 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 90-VFBGA MT48H8M32 sdram- 모바일 lpsdr 1.7V ~ 1.95V 90-VFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 8m x 32 평행한 15ns
TE28F640P33B85A Micron Technology Inc. TE28F640P33B85A -
RFQ
 ECAD 9171 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) 28F640P33 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 56-tsop 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 576 40MHz 비 비 64mbit 85 ns 플래시 4m x 16 평행한 85ns
EDFA164A2PM-JD-F-R TR Micron Technology Inc. EDFA164A2PM-JD-FR TR -
RFQ
 ECAD 4805 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - EDFA164 sdram- 모바일 lpddr3 1.14V ~ 1.95V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,000 933 MHz 휘발성 휘발성 16gbit 음주 256m x 64 평행한 -
MT29E4T08CTHBBM5-3:B TR Micron Technology Inc. MT29E4T08CTHBBM5-3 : B TR -
RFQ
 ECAD 9180 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) - - MT29E4T08 플래시 - NAND 2.5V ~ 3.6V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 333 MHz 비 비 4tbit 플래시 512g x 8 평행한 -
MT46V16M16CY-6:K TR Micron Technology Inc. MT46V16M16CY-6 : K TR -
RFQ
 ECAD 4921 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA MT46V16M16 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 60-FBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 700 PS 음주 16m x 16 평행한 15ns
MTFC32GAMALAM-WT ES TR Micron Technology Inc. MTFC32GAMALAM-WT ES TR -
RFQ
 ECAD 6852 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TA) - - MTFC32G 플래시 - NAND - - - 1 (무제한) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 256gbit 플래시 32g x 8 MMC -
MT28F640J3BS-115 GMET TR Micron Technology Inc. MT28F640J3BS-115 GMET TR -
RFQ
 ECAD 1546 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-FBGA MT28F640J3 플래시 2.7V ~ 3.6V 64-FBGA (10x13) 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 64mbit 115 ns 플래시 8m x 8, 4m x 16 평행한 -
MT62F768M64D4EK-023 WT:B TR Micron Technology Inc. MT62F768M64D4EK-023 WT : B TR 34.2750
RFQ
 ECAD 2559 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -25 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 441-TFBGA MT62F768 sdram- 모바일 lpddr5 - 441-TFBGA (14x14) - 557-MT62F768M64D4EK-023WT : BTR 1,500 3.2GHz 휘발성 휘발성 48gbit 음주 768m x 64 평행한 -
MT46H64M32LFBQ-48 IT:C Micron Technology Inc. MT46H64M32LFBQ-48 IT : c 9.6750
RFQ
 ECAD 4109 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-VFBGA MT46H64M32 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 90-VFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,440 208 MHz 휘발성 휘발성 2gbit 5 ns 음주 64m x 32 평행한 14.4ns
EDFP164A3PB-GD-F-R TR Micron Technology Inc. EDF164A3PB-GD-FR TR -
RFQ
 ECAD 2508 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 - EDFP164 sdram- 모바일 lpddr3 1.14V ~ 1.95V 216-FBGA (15x15) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,000 800MHz 휘발성 휘발성 24gbit 음주 384m x 64 평행한 -
MT47H64M8SH-25E AIT:H TR Micron Technology Inc. MT47H64M8SH-25E AIT : H TR -
RFQ
 ECAD 7114 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 60-TFBGA MT47H64M8 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 60-FBGA (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) MT47H64M8SH-25EAIT : HTR 귀 99 8542.32.0028 2,000 400MHz 휘발성 휘발성 512mbit 400 PS 음주 64m x 8 평행한 15ns
MT48LC4M32B2F5-7 IT:G TR Micron Technology Inc. MT48LC4M32B2F5-7 IT : G TR -
RFQ
 ECAD 3103 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-VFBGA MT48LC4M32B2 sdram 3V ~ 3.6V 90-VFBGA (8x13) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 143 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.5 ns 음주 4m x 32 평행한 14ns
MT46V32M4P-5B:D Micron Technology Inc. MT46V32M4P-5B : d -
RFQ
 ECAD 6556 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V32M4 sdram -ddr 2.5V ~ 2.7V 66-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 128mbit 700 PS 음주 32m x 4 평행한 15ns
MT48LC8M8A2TG-7E L:G Micron Technology Inc. MT48LC8M8A2TG-7E L : G. -
RFQ
 ECAD 2580 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC8M8A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.4 ns 음주 8m x 8 평행한 14ns
MT48LC8M32LFB5-10 Micron Technology Inc. MT48LC8M32LFB5-10 -
RFQ
 ECAD 4351 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 90-VFBGA MT48LC8M32 sdram- 모바일 lpsdr 3V ~ 3.6V 90-VFBGA (8x13) - Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 100MHz 휘발성 휘발성 256mbit 7 ns 음주 8m x 32 평행한 15ns
EDF8165A3MC-GD-F-R Micron Technology Inc. EDF8165A3MC-GD-FR -
RFQ
 ECAD 6681 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - - - EDF8165 - - - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 2,000 - - - - -
MT28F800B5SG-8 B TR Micron Technology Inc. MT28F800B5SG-8 B TR -
RFQ
 ECAD 6444 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-SOIC (0.496 ", 12.60mm 너비) MT28F800B5 플래시 - 아니오 4.5V ~ 5.5V 44- 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 500 비 비 8mbit 80 ns 플래시 1m x 8, 512k x 16 평행한 80ns
MT29F2G01ABAGDM79A3WC1 Micron Technology Inc. MT29F2G01ABAGDM79A3WC1 -
RFQ
 ECAD 6241 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 주사위 MT29F2G01 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 주사위 - 쓸모없는 1 비 비 2gbit 플래시 2G x 1 SPI -
MT48LC16M16A2P-75 L:D Micron Technology Inc. MT48LC16M16A2P-75 L : D. -
RFQ
 ECAD 7768 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC16M16A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 16m x 16 평행한 15ns
MT29F2G16ABBEAH4:E TR Micron Technology Inc. MT29F2G16ABBEAH4 : E TR -
RFQ
 ECAD 9372 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA MT29F2G16 플래시 - NAND 1.7V ~ 1.95V 63-VFBGA (9x11) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 2gbit 플래시 128m x 16 평행한 -
MT48LC32M16A2TG-75 IT:C TR Micron Technology Inc. MT48LC32MM16A2TG-75 IT : C TR -
RFQ
 ECAD 3217 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC32M16A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 rohs 비준수 4 (72 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5.4 ns 음주 32m x 16 평행한 15ns
MT53D512M64D4BP-046 WT:E Micron Technology Inc. MT53D512M64D4BP-046 WT : e -
RFQ
 ECAD 9654 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) MT53D512 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - 1 (무제한) 귀 99 8542.32.0036 1,360 1.866 GHz 휘발성 휘발성 32gbit 음주 512m x 64 - -
MT46V64M8P-6T L:F TR Micron Technology Inc. MT46V64M8P-6T L : F TR -
RFQ
 ECAD 6883 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V64M8 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-tsop 다운로드 Rohs3 준수 4 (72 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 64m x 8 평행한 15ns
MT48LC16M8A2P-75:GTR Micron Technology Inc. MT48LC16M8A2P-75 : GTR -
RFQ
 ECAD 5953 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC16M8A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 16m x 8 평행한 15ns
MT41K1G8SN-107 IT:A Micron Technology Inc. MT41K1G8SN-107 IT : a -
RFQ
 ECAD 3430 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT41K1G8 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (9x13.2) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,020 933 MHz 휘발성 휘발성 8gbit 20 ns 음주 1g x 8 평행한 -
MT29F128G08AJAAAWP-ITZ:A Micron Technology Inc. MT29F128G08AJAAAWP-ITZ : a 164.0700
RFQ
 ECAD 579 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F128G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 960 비 비 128gbit 플래시 16g x 8 평행한 -
MTFC16GAPALBH-AAT ES Micron Technology Inc. MTFC16GAPALBH-AAT ES -
RFQ
 ECAD 7507 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 153-TFBGA MTFC16 플래시 - NAND 1.7V ~ 1.9V 153-TFBGA (11.5x13) - 1 (무제한) 3A991B1A 8542.32.0071 1,520 비 비 128gbit 플래시 16g x 8 MMC -
MT29F128G08CFCGBWP-10M:G Micron Technology Inc. MT29F128G08CFCGBWP-10M : g -
RFQ
 ECAD 5732 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F128G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 960 100MHz 비 비 128gbit 플래시 16g x 8 평행한 -
MT53D1024M32D4NQ-046 WT ES:D TR Micron Technology Inc. MT53D1024M32D4NQ-046 WT ES : D TR -
RFQ
 ECAD 1818 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 200-VFBGA MT53D1024 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 200-VFBGA (10x14.5) - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 2.133 GHz 휘발성 휘발성 32gbit 음주 1g x 32 - -
ECF620AAACN-C1-Y3-ES Micron Technology Inc. ECF620AAACN-C1-Y3-ES -
RFQ
 ECAD 8126 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 활동적인 ECF620 - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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196-LFBGA 노출 패드

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