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통합 통합 (ICS) (10403)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
MT25QU256ABA8ESF-0SIT TR Micron Technology Inc. MT25QU256ABA8ESF-0SIT TR 6.4700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) MT25QU256 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 16- 형의 행위 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 133 MHz 비 비 256mbit 플래시 32m x 8 SPI 8ms, 2.8ms
M25P40-VMN6TP TR Micron Technology Inc. M25P40-VMN6TP TR -
RFQ
 ECAD 6316 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) M25P40 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 2,500 50MHz 비 비 4mbit 플래시 512k x 8 SPI 15ms, 5ms
JS28F128J3F75A Micron Technology Inc. JS28F128J3F75A -
RFQ
 ECAD 4363 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) JS28F128J3 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 56-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 576 비 비 128mbit 75 ns 플래시 16m x 8, 8m x 16 평행한 75ns
MT53D4DANW-DC Micron Technology Inc. MT53D4DANW-DC -
RFQ
 ECAD 4950 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 쓸모없는 MT53D4 - 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 1,190
MTFC16GAPALNA-AAT ES Micron Technology Inc. MTFC16GAPALNA-AAT ES -
RFQ
 ECAD 7919 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 쓸모없는 MTFC16 - 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 980
MT29F16T08GWLCEM5-QB:C TR Micron Technology Inc. MT29F16T08GWLCEM5-QB : C TR 312.5850
RFQ
 ECAD 8961 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 557-MT29F16T08GWLCEM5-QB : CTR 1,500
JR28F064M29EWHB TR Micron Technology Inc. jr28f064m29ewhb tr -
RFQ
 ECAD 4216 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) JR28F064M29 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 비 비 64mbit 70 ns 플래시 8m x 8, 4m x 16 평행한 70ns
MT53B768M64D8NK-053 WT:D Micron Technology Inc. MT53B768M64D8NK-053 WT : d -
RFQ
 ECAD 3498 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 366-WFBGA MT53B768 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 366-WFBGA (15x15) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,190 1.866 GHz 휘발성 휘발성 48gbit 음주 768m x 64 - -
M25PX32-VMP6FBA TR Micron Technology Inc. M25PX32-VMP6FBA TR -
RFQ
 ECAD 9179 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 M25PX32 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-vdfpn (6x5) (MLP8) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 75MHz 비 비 32mbit 플래시 4m x 8 SPI 15ms, 5ms
MT29F4T08GMLCEJ4-QB:C Micron Technology Inc. MT29F4T08GMLCEJ4-QB : C. 78.1500
RFQ
 ECAD 1909 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 활동적인 - 557-MT29F4T08GMLCEJ4-QB : C. 1
MT58V512V36DF-7.5 Micron Technology Inc. MT58V512V36DF-7.5 18.7900
RFQ
 ECAD 57 0.00000000 Micron Technology Inc. SyncBurst ™ 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-TBGA sram- 표준 2.375V ~ 2.625V 165-FBGA (13x15) 다운로드 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 휘발성 휘발성 18mbit 4.2 ns SRAM 512k x 36 평행한 -
MT29F2G08ABAEAWP-AITX:E Micron Technology Inc. MT29F2G08ABAEAWP-AITX : e 5.1300
RFQ
 ECAD 880 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F2G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 960 비 비 2gbit 플래시 256m x 8 평행한 -
MT48LC4M32B2F5-7 IT:G TR Micron Technology Inc. MT48LC4M32B2F5-7 IT : G TR -
RFQ
 ECAD 3103 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-VFBGA MT48LC4M32B2 sdram 3V ~ 3.6V 90-VFBGA (8x13) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 143 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.5 ns 음주 4m x 32 평행한 14ns
MT46V128M4P-5B:D TR Micron Technology Inc. MT46V128M4P-5B : D TR -
RFQ
 ECAD 3806 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V128M4 sdram -ddr 2.5V ~ 2.7V 66-tsop - Rohs3 준수 4 (72 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 128m x 4 평행한 15ns
MT48LC16M8A2P-7E:G Micron Technology Inc. MT48LC16M8A2P-7E : g -
RFQ
 ECAD 7655 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC16M8A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 16m x 8 평행한 14ns
MT28EW512ABA1LPC-0AAT TR Micron Technology Inc. Mt28ew512aba1lpc-0aat tr -
RFQ
 ECAD 8248 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 64-lbga MT28ew512 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-lbga (11x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 비 비 512mbit 105 ns 플래시 64m x 8, 32m x 16 평행한 60ns
MT46V128M4BN-5B:F Micron Technology Inc. MT46V128M4BN-5B : f -
RFQ
 ECAD 9355 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA MT46V128M4 sdram -ddr 2.5V ~ 2.7V 60-FBGA (10x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 128m x 4 평행한 15ns
MT41K256M16TW-17 XIT:P Micron Technology Inc. MT41K256M16TW-17 XIT : p -
RFQ
 ECAD 6339 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT41K256M16 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (8x14) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 1,020 휘발성 휘발성 4gbit 음주 256m x 16 평행한 -
EDFB164A1MA-GD-F-D Micron Technology Inc. EDFB164A1MA-GD-FD -
RFQ
 ECAD 2262 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TA) EDFB164 sdram- 모바일 lpddr3 1.14V ~ 1.95V - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,520 800MHz 휘발성 휘발성 32gbit 음주 512m x 64 평행한 -
MT46H32M32LFJG-6 IT:A Micron Technology Inc. MT46H32M32LFJG-6 IT : a -
RFQ
 ECAD 2453 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 168-VFBGA MT46H32M32 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 168-VFBGA (12x12) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,000 166 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 5 ns 음주 32m x 32 평행한 15ns
MT62F1G64D4EK-023 AAT:C Micron Technology Inc. MT62F1G64D4EK-023 AAT : c 63.8550
RFQ
 ECAD 4547 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 활동적인 - 557-MT62F1G64D4EK-023AAT : c 1
MT46V64M8CY-5B AIT:J TR Micron Technology Inc. MT46V64M8CY-5B AIT : J TR -
RFQ
 ECAD 2993 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA MT46V64M8 sdram -ddr 2.5V ~ 2.7V 60-FBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 64m x 8 평행한 15ns
TE28F640J3D75B TR Micron Technology Inc. TE28F640J3D75B TR -
RFQ
 ECAD 3418 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) 28F640J3 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 56-tsop 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,600 비 비 64mbit 75 ns 플래시 8m x 8, 4m x 16 평행한 75ns
MT42L256M16D1GU-18 WT:A TR Micron Technology Inc. MT42L256M16D1GU-18 WT : A TR -
RFQ
 ECAD 4402 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 134-WFBGA MT42L256M16 sdram- 모바일 lpddr2 1.14V ~ 1.3V 134-FBGA (10x11.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,000 533 MHz 휘발성 휘발성 4gbit 음주 256m x 16 평행한 -
MTFC256GASAONS-AIT TR Micron Technology Inc. MTFC256GASAONS-AIAT TR 92.5800
RFQ
 ECAD 9619 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 557-MTFC256GASAONS-AITTR 2,000
MT29F2G08ABAEAH4-AITX:E TR Micron Technology Inc. MT29F2G08ABAEAH4-AITX : E TR 5.1300
RFQ
 ECAD 642 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA MT29F2G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 63-VFBGA (9x11) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 2gbit 플래시 256m x 8 평행한 -
MTEDFAE4SCA-1P2IT Micron Technology Inc. MTEDFAE4SCA-1P2IT -
RFQ
 ECAD 5781 0.00000000 Micron Technology Inc. - 튜브 활동적인 mtedfae4 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 150
MT29F64G08CBCGBJ4-37ES:G TR Micron Technology Inc. MT29F64G08CBCGBJ4-37ES : G TR -
RFQ
 ECAD 5568 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 132-VBGA MT29F64G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 132-VBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 267 MHz 비 비 64gbit 플래시 8g x 8 평행한 -
MT29F128G08AJAAAWP:A Micron Technology Inc. MT29F128G08AJAAAWP : a -
RFQ
 ECAD 1477 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F128G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 128gbit 플래시 16g x 8 평행한 -
MT29F128G08AKEDBJ5-12:D Micron Technology Inc. MT29F128G08 KADKBJ5-12 : d -
RFQ
 ECAD 4743 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 - MT29F128G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 132-TBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 980 83MHz 비 비 128gbit 플래시 16g x 8 평행한 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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