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![]() | M25P16-VMN3TP/4 TR | - | ![]() | 6669 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Forté ™ | 컷 컷 (CT) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | M25P16 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 도 8- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 2,000 | 75MHz | 비 비 | 16mbit | 플래시 | 2m x 8 | SPI | 15ms, 5ms | |||
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![]() | M50FW040N5TG TR | - | ![]() | 1178 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -20 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 40-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) | M50FW040 | 플래시 - 아니오 | 3V ~ 3.6V | 40-tsop | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 1,500 | 33MHz | 비 비 | 4mbit | 250 ns | 플래시 | 512k x 8 | 평행한 | - | ||
MT46V16M16CY-6 : K TR | - | ![]() | 4921 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 60-TFBGA | MT46V16M16 | sdram -ddr | 2.3V ~ 2.7V | 60-FBGA (8x12.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 167 MHz | 휘발성 휘발성 | 256mbit | 700 PS | 음주 | 16m x 16 | 평행한 | 15ns | |||
![]() | MT48LC16M16A2B4-7E : g | - | ![]() | 6311 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 54-VFBGA | MT48LC16M16A2 | sdram | 3V ~ 3.6V | 54-VFBGA (8x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0024 | 1,560 | 133 MHz | 휘발성 휘발성 | 256mbit | 5.4 ns | 음주 | 16m x 16 | 평행한 | 14ns | ||
![]() | MT46V16M16P-6T L : F TR | - | ![]() | 6859 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) | MT46V16M16 | sdram -ddr | 2.3V ~ 2.7V | 66-tsop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 167 MHz | 휘발성 휘발성 | 256mbit | 700 PS | 음주 | 16m x 16 | 평행한 | 15ns | ||
![]() | MT29KZZZ6D4AGLDM-5 W.6N4 TR | - | ![]() | 2573 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | |||||||||||||||||
![]() | M25PX64S-VMF6TP TR | - | ![]() | 3130 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) | M25PX64 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 16- 형의 행위 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 75MHz | 비 비 | 64mbit | 플래시 | 8m x 8 | SPI | 15ms, 5ms | |||
MT29C1G12MAACAEAMD-6 IT | - | ![]() | 8393 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 130-VFBGA | MT29C1G12 | 플래시 -Nand, n lpdram | 1.7V ~ 1.95V | 130-VFBGA (8x9) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 166 MHz | 비 비, 휘발성 | 1GBIT (NAND), 512MBIT (LPDRAM) | 플래시, 램 | 128m x 8 (NAND), 16m x 32 (lpdram) | 평행한 | - | ||||
![]() | MT48LC16M16A2P-75 : d | - | ![]() | 3703 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) | MT48LC16M16A2 | sdram | 3V ~ 3.6V | 54-TSOP II | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | MT48LC16M16A2P75D | 귀 99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | 휘발성 휘발성 | 256mbit | 5.4 ns | 음주 | 16m x 16 | 평행한 | 15ns | |
![]() | MTFC8GLVEA-IT TR | - | ![]() | 1604 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 153-WFBGA | MTFC8 | 플래시 - NAND | 2.7V ~ 3.6V | 153-WFBGA (11.5x13) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 비 비 | 64gbit | 플래시 | 8g x 8 | MMC | - | ||||
![]() | MT29F8G08ADBDAH4-IT : d | - | ![]() | 7810 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 63-VFBGA | MT29F8G08 | 플래시 - NAND | 1.7V ~ 1.95V | 63-VFBGA (9x11) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,260 | 비 비 | 8gbit | 플래시 | 1g x 8 | 평행한 | - | ||||
![]() | MT46H16M32LFCX-6 : B TR | - | ![]() | 6467 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 90-VFBGA | MT46H16M32 | sdram- 모바일 lpddr | 1.7V ~ 1.95V | 90-VFBGA (9x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 166 MHz | 휘발성 휘발성 | 512mbit | 5 ns | 음주 | 16m x 32 | 평행한 | 15ns | ||
![]() | MT48LC8M8A2TG-7E L : G TR | - | ![]() | 1988 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) | MT48LC8M8A2 | sdram | 3V ~ 3.6V | 54-TSOP II | 다운로드 | rohs 비준수 | 2 (1 년) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 133 MHz | 휘발성 휘발성 | 64mbit | 5.4 ns | 음주 | 8m x 8 | 평행한 | 14ns | ||
![]() | MTFC64GAPAKEA-WT | - | ![]() | 6282 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | 쟁반 | 쓸모없는 | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 153-WFBGA | MTFC64 | 플래시 - NAND | - | 153-WFBGA (11.5x13) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1,520 | 비 비 | 512gbit | 플래시 | 64g x 8 | MMC | - | ||||
![]() | MT29C4G96MAAGBACKD-5 WT | - | ![]() | 1503 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 대부분 | 쓸모없는 | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 137-VFBGA | MT29C4G96 | 플래시 -Nand, n lpdram | 1.7V ~ 1.95V | 137-VFBGA (13x10.5) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 200MHz | 비 비, 휘발성 | 4GBIT (NAND), 4GBIT (LPDRAM) | 플래시, 램 | 256m x 16 (NAND), 128m x 32 (lpdram) | 평행한 | - | ||||
![]() | MT29F512G08CMECBH7-12 : c | - | ![]() | 2311 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 152-TBGA | MT29F512G08 | 플래시 -Nand (MLC) | 2.7V ~ 3.6V | 152-TBGA (14x18) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 83MHz | 비 비 | 512gbit | 플래시 | 64g x 8 | 평행한 | - | |||
![]() | MT48LC16M8A2P-7E : L. | - | ![]() | 4371 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) | MT48LC16M8A2 | sdram | 3V ~ 3.6V | 54-TSOP II | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 133 MHz | 휘발성 휘발성 | 128mbit | 5.4 ns | 음주 | 16m x 8 | 평행한 | 14ns | ||
![]() | MT29F1T08CLHBBG1-3R : b | - | ![]() | 1904 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 272-VFBGA | MT29F1T08 | 플래시 - NAND | 2.5V ~ 3.6V | 272-VBGA (14x18) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 980 | 333 MHz | 비 비 | 1tbit | 플래시 | 128g x 8 | 평행한 | - | ||||
MT41K128M16JT-125 AIT : K TR | 7.4700 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 96-TFBGA | MT41K128M16 | sdram -ddr3l | 1.283V ~ 1.45V | 96-FBGA (8x14) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 800MHz | 휘발성 휘발성 | 2gbit | 13.75 ns | 음주 | 128m x 16 | 평행한 | - | |||
![]() | MT53E256M32D2DS-046 WT : b | 15.9000 | ![]() | 6832 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 200-WFBGA | MT53E256 | sdram- 모바일 lpddr4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 557-MT53E256M32D2DS-046WT : b | 귀 99 | 8542.32.0036 | 136 | 2.133 GHz | 휘발성 휘발성 | 8gbit | 음주 | 256m x 32 | - | - | ||
![]() | MT53D384M64D4NZ-053 WT ES : C TR | - | ![]() | 3184 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - | - | MT53D384 | sdram- 모바일 lpddr4 | 1.1V | - | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.866 GHz | 휘발성 휘발성 | 24gbit | 음주 | 384m x 64 | - | - | |||
![]() | MT53D1024M32D4DT-046 WT : D TR | - | ![]() | 6930 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 200-VFBGA | MT53D1024 | sdram- 모바일 lpddr4 | 1.1V | 200-VFBGA (10x14.5) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | MT53D1024M32D4DT-046WT : DTR | 귀 99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 2.133 GHz | 휘발성 휘발성 | 32gbit | 음주 | 1g x 32 | - | - | ||
MT46H32M16LFBF-6 AT : b | - | ![]() | 7366 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 60-VFBGA | MT46H32M16 | sdram- 모바일 lpddr | 1.7V ~ 1.95V | 60-VFBGA (8x9) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 166 MHz | 휘발성 휘발성 | 512mbit | 5 ns | 음주 | 32m x 16 | 평행한 | 15ns | |||
![]() | MT53D512M32D2NP-046 AIT : d | - | ![]() | 5411 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 200-WFBGA | MT53D512 | sdram- 모바일 lpddr4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1,360 | 2.133 GHz | 휘발성 휘발성 | 16gbit | 음주 | 512m x 32 | - | - | ||||
![]() | EDFA164A2PK-GD-FR TR | - | ![]() | 5266 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | - | EDFA164 | sdram- 모바일 lpddr3 | 1.14V ~ 1.95V | 216-FBGA (12x12) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1,000 | 800MHz | 휘발성 휘발성 | 16gbit | 음주 | 256m x 64 | 평행한 | - | ||||
![]() | MT53E1536M32DDNQ-046 WT : a | 25.3950 | ![]() | 2872 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 557-MT53E1536M32DDNQ-046WT : a | 1,360 | ||||||||||||||||||
![]() | MT40A2G8AG-062E AAT : F TR | 19.8600 | ![]() | 4974 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | - | - | sdram -ddr4 | 1.14V ~ 1.26V | - | - | 557-MT40A2G8AG-062EAAT : FTR | 2,000 | 1.6GHz | 휘발성 휘발성 | 16gbit | 19 ns | 음주 | 2G X 8 | 평행한 | 15ns | |||||||
![]() | MT49H32M18FM-33 : B TR | - | ![]() | 7780 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 144-TFBGA | MT49H32M18 | 음주 | 1.7V ~ 1.9V | 144-µBGA (18.5x11) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0028 | 1,000 | 300MHz | 휘발성 휘발성 | 576mbit | 20 ns | 음주 | 32m x 18 | 평행한 | - | ||
![]() | N25Q128A13ESE40F TR | - | ![]() | 2163 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) | N25Q128A13 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 도 8- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,500 | 108 MHz | 비 비 | 128mbit | 플래시 | 32m x 4 | SPI | 8ms, 5ms |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고