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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	시계 시계	메모리 메모리	메모리 메모리	액세스 액세스	메모리 메모리	메모리 메모리	메모리 메모리	쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
MT28FW512ABA1LJS-0AAT TR	-	RFQ	2604	Micron Technology Inc.	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	표면 표면	56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	MT28FW512	플래시 - 아니오	1.7V ~ 3.6V	56-tsop	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,600		비 비	512mbit	105 ns	플래시	32m x 16	평행한	60ns
RD48F4000P0ZBQ0A	-	RFQ	6827	Micron Technology Inc.	Strataflash ™	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	88-VFBGA, CSPBGA	RD48F4000	플래시 - 아니오	1.7V ~ 2V	88-SCSP (8x11)	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,056	52MHz	비 비	256mbit	100 ns	플래시	16m x 16	평행한	100ns
MT46V32M16P-75 L : C TR	-	RFQ	8343	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비)	MT46V32M16	sdram -ddr	2.3V ~ 2.7V	66-tsop	-	Rohs3 준수	4 (72 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0024	1,000	133 MHz	휘발성 휘발성	512mbit	750 ps	음주	32m x 16	평행한	15ns
MT46V32M8P-6T : G TR	-	RFQ	8461	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비)	MT46V32M8	sdram -ddr	2.3V ~ 2.7V	66-tsop	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0024	1,000	167 MHz	휘발성 휘발성	256mbit	700 PS	음주	32m x 8	평행한	15ns
MT29E512G08CUCABJ3-10Z : A Tr	-	RFQ	3090	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	132-lbga	MT29E512G08	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	132-LBGA (12x18)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	100MHz	비 비	512gbit		플래시	64g x 8	평행한	-
MT46V32M8FG-6 : G TR	-	RFQ	2651	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	60-FBGA	MT46V32M8	sdram -ddr	2.3V ~ 2.7V	60-FBGA (8x14)	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0024	1,000	167 MHz	휘발성 휘발성	256mbit	700 PS	음주	32m x 8	평행한	15ns
MT49H16M36BM-25 IT : B TR	-	RFQ	7666	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	144-TFBGA	MT49H16M36	음주	1.7V ~ 1.9V	144-µBGA (18.5x11)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0024	1,000	400MHz	휘발성 휘발성	576mbit	20 ns	음주	16m x 36	평행한	-
MT53E256M32D2DS-053 WT : B TR	-	RFQ	8401	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	200-WFBGA	MT53E256	sdram- 모바일 lpddr4	1.1V	200-WFBGA (10x14.5)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)		MT53E256M3DS-053WT : BTR	귀 99	8542.32.0036	2,000	1.866 GHz	휘발성 휘발성	8gbit		음주	256m x 32	-	-
PC28F320J3F75D TR	-	RFQ	4903	Micron Technology Inc.	Strataflash ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	64-TBGA	PC28F320	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	64-ESYBGA (10x13)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)			3A991B1A	8542.32.0071	2,000		비 비	32mbit	75 ns	플래시	4m x 8, 2m x 16	평행한	75ns
NP8P128AE3TSM60E	-	RFQ	2855	Micron Technology Inc.	OMNEO ™	쟁반	쓸모없는	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	NP8P128A	PCM (PRAM)	2.7V ~ 3.6V	56-tsop	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)			3A991B1A	8542.32.0071	96		비 비	128mbit	135 ns	PCM (PRAM)	16m x 8	평행, SPI	135ns
MT29F8T08EWLEEM5-QA : E TR	-	RFQ	8771	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는								-				557-MT29F8T08EWLEEM5-QA : ETR	쓸모없는		1,500
MT25QL128ABA8E54-0SIT TR	-	RFQ	8806	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인				MT25QL128				-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	5,000
MT55L256L18P1T-7.5IT	2.7500	RFQ	1	Micron Technology Inc.	ZBT®	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	100-lqfp	MT55L256L	sram-동기, zbt	3.135V ~ 3.6V	100-TQFP (14x20.1)	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		3A991B2A	8542.32.0041	1	133 MHz	휘발성 휘발성	4mbit	4.2 ns	SRAM	256k x 18	평행한	-
M45PE20-VMN6P	-	RFQ	3045	Micron Technology Inc.	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	M45PE20	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	도 8-	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	-m45pe20-vmn6p	귀 99	8542.32.0071	100	75MHz	비 비	2mbit		플래시	256k x 8	SPI	15ms, 3ms
MT41K2G4TRF-107 : e	-	RFQ	2736	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	78-TFBGA	MT41K2G4	sdram -ddr3l	1.283V ~ 1.45V	78-FBGA (9.5x11.5)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)			귀 99	8542.32.0036	1,000	933 MHz	휘발성 휘발성	8gbit	20 ns	음주	2G X 4	평행한	-
M28W640HST70ZA6F TR	-	RFQ	3731	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	64-TFBGA	M28W640	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	64-TFBGA (10.5x6.39)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			쓸모없는	0000.00.0000	2,500		비 비	64mbit	70 ns	플래시	4m x 16	평행한	70ns
MT48LC8M32B2TG-6 TR	-	RFQ	4738	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비)	MT48LC8M32B2	sdram	3V ~ 3.6V	86-TSOP II	다운로드	rohs 비준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0024	1,000	166 MHz	휘발성 휘발성	256mbit	5.5 ns	음주	8m x 32	평행한	12ns
mtfc32gakaeef-ait tr	-	RFQ	7000	Micron Technology Inc.	E • MMC ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	169-TFBGA	MTFC32G	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	169-TFBGA (14x18)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	mtfc32gakaeef-aittr	쓸모없는	8542.32.0071	1,000		비 비	256gbit		플래시	32g x 8	MMC	-
MT53E128M32D2DS-053 AAT : a	12.1200	RFQ	2	Micron Technology Inc.	자동차, AEC-Q100	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TC)	표면 표면	200-WFBGA	MT53E128	sdram- 모바일 lpddr4	1.1V	200-WFBGA (10x14.5)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	1,360	1.866 GHz	휘발성 휘발성	4gbit		음주	128m x 32	-	-
MT46H16M32LFBQ-5 AAT : C TR	7.3000	RFQ	3	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	표면 표면	90-VFBGA	MT46H16M32	sdram- 모바일 lpddr	1.7V ~ 1.95V	90-VFBGA (8x13)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	1,000	200MHz	휘발성 휘발성	512mbit	5 ns	음주	16m x 32	평행한	15ns
M29W800FB7aza6f Tr	-	RFQ	7214	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	48-TFBGA	M29W800	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	48-TFBGA (6x8)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)			귀 99	8542.32.0071	2,500		비 비	8mbit	70 ns	플래시	1m x 8, 512k x 16	평행한	70ns
MT29F1G01ABAFD12-IT : f	-	RFQ	5554	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	24-TBGA	MT29F1G01	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	24-T-PBGA (6x8)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	-MT29F1G01ABAFD12-IT : FTR	3A991B1A	8542.32.0071	1,122		비 비	1gbit		플래시	1g x 1	SPI	-
MT29F1T208ECHBBJ4-3RES : B TR	-	RFQ	1269	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	132-VBGA	MT29F1T208	플래시 - NAND	2.5V ~ 3.6V	132-VBGA (12x18)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	333 MHz	비 비	1.125tbit		플래시	144g x 8	평행한	-
MT29F64G08AFAAAWP-ITZ : a	87.1200	RFQ	2	Micron Technology Inc.	-	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	MT29F64G08	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	48-tsop i	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	960		비 비	64gbit		플래시	8g x 8	평행한	-
mt29f1g08abafawp-ite : f	-	RFQ	2343	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	MT29F1G08	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	48-tsop i	-		3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	960		비 비	1gbit		플래시	128m x 8	평행한	-
MT29F32G08ABCDBJ4-6IT : D TR	-	RFQ	5061	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	132-VBGA	MT29F32G08	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	132-VBGA (12x18)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	166 MHz	비 비	32gbit		플래시	4G X 8	평행한	-
MT53D512M64D4RQ-053 WT : e	49.0500	RFQ	8896	Micron Technology Inc.	-	쟁반	활동적인	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	556-WFBGA	MT53D512	sdram- 모바일 lpddr4	1.1V	556-WFBGA (12.4x12.4)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	1,360	1.866 GHz	휘발성 휘발성	32gbit		음주	512m x 64	-	-
MT29F2G16AADWP-et : D TR	-	RFQ	9801	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	MT29F2G16	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	48-tsop i	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		비 비	2gbit		플래시	128m x 16	평행한	-
PC28F00AP30TF0	-	RFQ	4740	Micron Technology Inc.	Axcell ™	쟁반	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	64-TBGA	PC28F00A	플래시 - 아니오	1.7V ~ 2V	64-EASYBGA (8x10)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	184	52MHz	비 비	1gbit	100 ns	플래시	64m x 16	평행한	100ns
M58LR128KT85ZB5F TR	-	RFQ	8074	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-30 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	56-VFBGA	M58LR128	플래시 - 아니오	1.7V ~ 2V	56-VFBGA (7.7x9)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	2,500	66MHz	비 비	128mbit	85 ns	플래시	8m x 16	평행한	85ns

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

통합 통합 (ICS) (10403)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²