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통합 통합 (ICS) (10403)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
MT46H64M32L2JG-6:A Micron Technology Inc. MT46H64M32L2JG-6 : a -
RFQ
 ECAD 5754 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 168-VFBGA MT46H64M32 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 168-VFBGA (12x12) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 166 MHz 휘발성 휘발성 2gbit 5 ns 음주 64m x 32 평행한 15ns
MT48LC2M32B2TG-6 IT:G Micron Technology Inc. MT48LC2M32B2TG-6 IT : g -
RFQ
 ECAD 3376 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC2M32B2 sdram 3V ~ 3.6V 86-TSOP II 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 167 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.5 ns 음주 2m x 32 평행한 12ns
MT47H128M8CF-3 L:H Micron Technology Inc. MT47H128M8CF-3 L : h -
RFQ
 ECAD 8424 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 60-TFBGA MT47H128M8 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 60-FBGA (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,000 333 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 450 ps 음주 128m x 8 평행한 15ns
MTFC64GJTDN-4M IT Micron Technology Inc. MTFC64GJTDN-4M IT -
RFQ
 ECAD 5378 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 - MTFC64 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 512gbit 플래시 64g x 8 MMC -
NAND512W3A2SNXE Micron Technology Inc. NAND512W3A2SNXE -
RFQ
 ECAD 5189 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) NAND512 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 576 비 비 512mbit 50 ns 플래시 64m x 8 평행한 50ns
MT49H16M36BM-25 IT:B TR Micron Technology Inc. MT49H16M36BM-25 IT : B TR -
RFQ
 ECAD 7666 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 144-TFBGA MT49H16M36 음주 1.7V ~ 1.9V 144-µBGA (18.5x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 400MHz 휘발성 휘발성 576mbit 20 ns 음주 16m x 36 평행한 -
MT40A4G4NRE-083E:B Micron Technology Inc. MT40A4G4NRE-083E : b -
RFQ
 ECAD 7366 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT40A4G4 sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (8x12) - 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,140 1.2GHz 휘발성 휘발성 16gbit 음주 4G X 4 평행한 -
MTFC16GAPALBH-AAT Micron Technology Inc. MTFC16GAPALBH-AAT -
RFQ
 ECAD 1589 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 153-TFBGA MTFC16 플래시 - NAND 1.7V ~ 1.9V 153-TFBGA (11.5x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,520 비 비 128gbit 플래시 16g x 8 MMC -
MT48V8M32LFB5-10 IT Micron Technology Inc. MT48V8M32LFB5-10 IT -
RFQ
 ECAD 6315 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-VFBGA MT48V8M32 sdram- 모바일 lpsdr 2.3V ~ 2.7V 90-VFBGA (8x13) - Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 100MHz 휘발성 휘발성 256mbit 7 ns 음주 8m x 32 평행한 15ns
MT52L256M64D2PD-107 WT:B Micron Technology Inc. MT52L256M64D2PD-107 WT : b -
RFQ
 ECAD 6361 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 216-WFBGA MT52L256 sdram- 모바일 lpddr3 1.2V 216-FBGA (15x15) - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,190 933 MHz 휘발성 휘발성 16gbit 음주 256m x 64 - -
MT48LC32M8A2P-75 IT:D TR Micron Technology Inc. MT48LC32M8A2P-75 IT : D TR -
RFQ
 ECAD 4560 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC32M8A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 32m x 8 평행한 15ns
MT28F400B5SG-8 B TR Micron Technology Inc. MT28F400B5SG-8 B TR -
RFQ
 ECAD 4406 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-SOIC (0.496 ", 12.60mm 너비) MT28F400B5 플래시 - 아니오 4.5V ~ 5.5V 44- 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 500 비 비 4mbit 80 ns 플래시 512k x 8, 256k x 16 평행한 80ns
MT29F512G08CECBBJ4-37:B Micron Technology Inc. MT29F512G08CECBBJ4-37 : b -
RFQ
 ECAD 4584 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 132-VBGA MT29F512G08 플래시 -Nand (MLC) 2.7V ~ 3.6V 132-VBGA (12x18) - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 267 MHz 비 비 512gbit 플래시 64g x 8 평행한 -
MT46V64M8P-6T:D Micron Technology Inc. MT46V64M8P-6T : d -
RFQ
 ECAD 6250 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V64M8 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-tsop - Rohs3 준수 4 (72 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 64m x 8 평행한 15ns
MT46V32M8P-5B IT:M TR Micron Technology Inc. MT46V32M8P-5B IT : M TR -
RFQ
 ECAD 6854 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V32M8 sdram -ddr 2.5V ~ 2.7V 66-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 256mbit 700 PS 음주 32m x 8 평행한 15ns
PC28F00AP33BF0 Micron Technology Inc. PC28F00AP33BF0 -
RFQ
 ECAD 9465 0.00000000 Micron Technology Inc. Axcell ™ 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-TBGA PC28F00A 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 64-EASYBGA (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 184 52MHz 비 비 1gbit 95 ns 플래시 64m x 16 평행한 95ns
MT29F16G08DAAWP-ET:A TR Micron Technology Inc. MT29F16G08DAAWP-et : A TR -
RFQ
 ECAD 9237 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F16G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 16gbit 플래시 2G X 8 평행한 -
PC28F128P33T85D Micron Technology Inc. PC28F128P33T85D -
RFQ
 ECAD 1809 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 64-TBGA PC28F128 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 64-EASYBGA (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 52MHz 비 비 128mbit 85 ns 플래시 8m x 16 평행한 85ns
MT29F64G08AKCBBH2-12:B Micron Technology Inc. MT29F64G08AKCBBH2-12 : b -
RFQ
 ECAD 5057 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-tbga MT29F64G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 100-TBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83MHz 비 비 64gbit 플래시 8g x 8 평행한 -
MT53E256M32D1KS-046 IT:L TR Micron Technology Inc. MT53E256M32D1KS-046 IT : L TR 11.6800
RFQ
 ECAD 1641 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 200-VFBGA 200-VFBGA (10x14.5) - 영향을받지 영향을받지 557-MT53E256M32D1KS-046IT : LTR 1
MT29C4G96MAYBACKD-5 WT TR Micron Technology Inc. MT29C4G96MAYBACKD-5 WT TR -
RFQ
 ECAD 8496 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 137-TFBGA MT29C4G96 플래시 -Nand, n lpdram 1.7V ~ 1.95V 137-TFBGA (10.5x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200MHz 비 비, 휘발성 4GBIT (NAND), 4GBIT (LPDRAM) 플래시, 램 512m x 8 (NAND), 128m x 32 (lpdram) 평행한 -
EDW4032CABG-50-N-F-D Micron Technology Inc. EDW4032CABG-50-NFD -
RFQ
 ECAD 1804 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) - - EDW4032 sgram -gddr5 1.31V ~ 1.39V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,440 1.25GHz 휘발성 휘발성 4gbit 숫양 128m x 32 평행한 -
MT29F1G08ABADAH4-ITE:D TR Micron Technology Inc. MT29F1G08ABADAH4- 라이트 : D TR -
RFQ
 ECAD 6982 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA MT29F1G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 63-VFBGA (9x11) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 1gbit 플래시 128m x 8 평행한 -
N25Q00AA13G1241F TR Micron Technology Inc. N25Q00AA13G1241F TR -
RFQ
 ECAD 4398 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-lbga N25Q00AA13 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 24-LPBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 108 MHz 비 비 1gbit 플래시 256m x 4 SPI 8ms, 5ms
MT40A512M16LY-062E:E TR Micron Technology Inc. MT40A512M16LY-062E : E TR 6.0000
RFQ
 ECAD 7311 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT40A512M16 sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 96-FBGA (7.5x13.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 1.6GHz 휘발성 휘발성 8gbit 음주 512m x 16 평행한 -
MT28EW512ABA1HJS-0SIT TR Micron Technology Inc. Mt28ew512aba1hjs-0sit tr 8.4750
RFQ
 ECAD 1157 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT28ew512 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 56-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,600 비 비 512mbit 95 ns 플래시 64m x 8, 32m x 16 평행한 60ns
MT29F32G08ABAAAWP-ITZ:A Micron Technology Inc. MT29F32G08ABAAAWP-ITZ : a 46.5700
RFQ
 ECAD 657 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F32G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 960 비 비 32gbit 플래시 4G X 8 평행한 -
MT48V4M32LFB5-8:G TR Micron Technology Inc. MT48V4M32LFB5-8 : G TR -
RFQ
 ECAD 9279 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 90-VFBGA MT48V4M32 sdram- 모바일 lpsdr 2.3V ~ 2.7V 90-VFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 125MHz 휘발성 휘발성 128mbit 7 ns 음주 4m x 32 평행한 15ns
M25P10-AVMP6G Micron Technology Inc. M25P10-AVMP6G -
RFQ
 ECAD 1215 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 M25P10 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 8-VFQFPN (6x5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 490 50MHz 비 비 1mbit 플래시 128k x 8 SPI 15ms, 5ms
MT46V32M8FG-75E:G TR Micron Technology Inc. MT46V32M8FG-75E : G TR -
RFQ
 ECAD 7470 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 60-FBGA MT46V32M8 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 60-FBGA (8x14) 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 750 ps 음주 32m x 8 평행한 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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