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통합 통합 (ICS) (10403)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
MT29F4G08ABADAWP-AITX:D Micron Technology Inc. mt29f4g08abadawp-aitx : d 7.1900
RFQ
 ECAD 256 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F4G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 960 비 비 4gbit 플래시 512m x 8 평행한 -
MT46H128M32L2KQ-48 WT:C TR Micron Technology Inc. MT46H128M32L2KQ-48 WT : C TR -
RFQ
 ECAD 1172 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 168-WFBGA MT46H128M32 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 168-WFBGA (12x12) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 208 MHz 휘발성 휘발성 4gbit 5 ns 음주 128m x 32 평행한 14.4ns
MT41K256M8DA-125 AUT:K Micron Technology Inc. MT41K256M8DA-125 AUT : k 6.7739
RFQ
 ECAD 3967 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 대부분 마지막으로 마지막으로 -40 ° C ~ 125 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT41K256M8 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,440 800MHz 휘발성 휘발성 2gbit 13.75 ns 음주 256m x 8 평행한 -
MT29C1G12MAACAEAKC-6 IT Micron Technology Inc. MT29C1G12MAACAEAKC-6 IT -
RFQ
 ECAD 7553 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 107-VFBGA MT29C1G12 플래시 -Nand, n lpdram 1.7V ~ 1.95V 107-VFBGA 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 166 MHz 비 비, 휘발성 1GBIT (NAND), 512MBIT (LPDRAM) 플래시, 램 128m x 8 (NAND), 16m x 32 (lpdram) 평행한 -
MTFC128GBCAQTC-AIT Micron Technology Inc. MTFC128GBCAQTC-ait 57.6200
RFQ
 ECAD 7241 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 557-MTFC128GBCAQTC-ait 1,520
MT52L256M64D2LZ-107 XT:B TR Micron Technology Inc. MT52L256M64D2LZ-107 XT : B TR -
RFQ
 ECAD 6800 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 216-WFBGA MT52L256 sdram- 모바일 lpddr3 1.2V 216-FBGA (12x12) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 933 MHz 휘발성 휘발성 16gbit 음주 256m x 64 - -
MT29F512G08CKCBBH7-6R:B TR Micron Technology Inc. MT29F512G08CKCBBH7-6R : B TR -
RFQ
 ECAD 9539 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 152-TBGA MT29F512G08 플래시 -Nand (MLC) 2.7V ~ 3.6V 152-TBGA (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,000 166 MHz 비 비 512gbit 플래시 64g x 8 평행한 -
MT58L512Y36FT-6.8 Micron Technology Inc. MT58L512Y36ft-6.8 18.6700
RFQ
 ECAD 607 0.00000000 Micron Technology Inc. SyncBurst ™ 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp sram- 표준 3.135V ~ 3.465V 100-TQFP (14x20.1) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 휘발성 휘발성 18mbit 6.8 ns SRAM 512k x 36 평행한 -
MT41K256M16HA-125 XIT:E TR Micron Technology Inc. MT41K256MA-125 XIT : E TR -
RFQ
 ECAD 9742 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT41K256M16 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (9x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0036 2,000 800MHz 휘발성 휘발성 4gbit 13.75 ns 음주 256m x 16 평행한 -
MT29F256G08CMCABJ2-10RZ:A TR Micron Technology Inc. MT29F256G08CMCABJ2-10RZ : A TR -
RFQ
 ECAD 6778 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 - MT29F256G08 플래시 -Nand (MLC) 2.7V ~ 3.6V 132-TBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100MHz 비 비 256gbit 플래시 32g x 8 평행한 -
MT41K256M4JP-125:G Micron Technology Inc. MT41K256M4JP-125 : g -
RFQ
 ECAD 8838 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT41K256M4 sdram -ddr3 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (8x11.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,000 800MHz 휘발성 휘발성 1gbit 13.75 ns 음주 256m x 4 평행한 -
MT48LC16M4A2TG-75:G TR Micron Technology Inc. MT48LC16M4A2TG-75 : G TR -
RFQ
 ECAD 1622 0.00000000 Micron Technology Inc. - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC16M4A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.4 ns 음주 16m x 4 평행한 15ns
EDF8164A3PF-GD-F-R TR Micron Technology Inc. EDF8164A3PF-GD-FR TR -
RFQ
 ECAD 1083 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 - EDF8164 sdram- 모바일 lpddr3 1.14V ~ 1.95V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1,000 800MHz 휘발성 휘발성 8gbit 음주 128m x 64 평행한 -
RC28F256J3F95A Micron Technology Inc. RC28F256J3F95A -
RFQ
 ECAD 8760 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-TBGA RC28F256 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-ESYBGA (10x13) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0051 864 비 비 256mbit 95 ns 플래시 32m x 8, 16m x 16 평행한 95ns
N25Q512A13G1240E Micron Technology Inc. N25Q512A13G1240E -
RFQ
 ECAD 8918 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA N25Q512A13 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 24-T-PBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 557-1568 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 108 MHz 비 비 512mbit 플래시 128m x 4 SPI 8ms, 5ms
MT28F640J3RP-115 ET Micron Technology Inc. MT28F640J3RP-115 ET -
RFQ
 ECAD 7971 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT28F640J3 플래시 2.7V ~ 3.6V 56-tsop 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 64mbit 115 ns 플래시 8m x 8, 4m x 16 평행한 -
MT40A1G4RH-075E:B Micron Technology Inc. MT40A1G4RH-075E : b -
RFQ
 ECAD 1551 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT40A1G4 sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (9x10.5) - 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,260 1.33 GHz 휘발성 휘발성 4gbit 음주 1g x 4 평행한 -
MT29F512G08CUCDBJ6-6R:D Micron Technology Inc. MT29F512G08CUCDBJ6-6R : d -
RFQ
 ECAD 5708 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 132-lbga MT29F512G08 플래시 -Nand (MLC) 2.7V ~ 3.6V 132-LBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 166 MHz 비 비 512gbit 플래시 64g x 8 평행한 -
MT53D2048M32D8QD-046 WT ES:D TR Micron Technology Inc. MT53D2048M32D8QD-046 WT ES : D TR -
RFQ
 ECAD 6127 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - MT53D2048 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 2.133 GHz 휘발성 휘발성 64gbit 음주 2G X 32 - -
MT28EW01GABA1HJS-0AAT Micron Technology Inc. mt28ew01gaba1hjs-0aat 16.4250
RFQ
 ECAD 3072 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT28ew01 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 56-tsop - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 576 비 비 1gbit 105 ns 플래시 128m x 8, 64m x 16 평행한 60ns
MT29C1G12MAADAFAKD-6 IT TR Micron Technology Inc. MT29C1G12MAADAFAKD-6 IT TR -
RFQ
 ECAD 9918 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 137-TFBGA MT29C1G12 플래시 -Nand, n lpdram 1.7V ~ 1.95V 137-TFBGA (10.5x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 166 MHz 비 비, 휘발성 1gbit (nand), 1gbit (lpdram) 플래시, 램 128m x 8 (NAND), 32m x 32 (lpdram) 평행한 -
N25Q00AA13G1240F TR Micron Technology Inc. N25Q00AA13G1240F TR -
RFQ
 ECAD 7257 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-lbga N25Q00AA13 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 24-LPBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 108 MHz 비 비 1gbit 플래시 256m x 4 SPI 8ms, 5ms
MT47H64M16HR-3:H Micron Technology Inc. MT47H64M16HR-3 : h -
RFQ
 ECAD 8949 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 84-TFBGA MT47H64M16 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-FBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,000 333 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 450 ps 음주 64m x 16 평행한 15ns
N28H00CB03JDK11E Micron Technology Inc. N28H00CB03JDK11E -
RFQ
 ECAD 7241 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 270
MT53D768M64D8SQ-053 WT ES:E TR Micron Technology Inc. MT53D768M64D8SQ-053 WT ES : E TR -
RFQ
 ECAD 6296 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 556-VFBGA MT53D768 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 556-VFBGA (12.4x12.4) - 1 (무제한) 귀 99 8542.32.0036 2,000 1.866 GHz 휘발성 휘발성 48gbit 음주 768m x 64 - -
MT46H256M32L4JV-5 IT:A Micron Technology Inc. MT46H256M32L4JV-5 IT : a -
RFQ
 ECAD 5199 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 168-VFBGA MT46H256M32 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 168-VFBGA (12x12) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 8gbit 5 ns 음주 256m x 32 평행한 15ns
MT29F256G08AUCABH3-10ITZ:A Micron Technology Inc. MT29F256G08AUCABH3-10ITZ : a 252.4600
RFQ
 ECAD 247 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lbga MT29F256G08 플래시 -Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V 100-lbga (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 100MHz 비 비 256gbit 플래시 32g x 8 평행한 -
MT53E256M32D1KS-046 AIT:L TR Micron Technology Inc. MT53E256M32D1KS-046 AIT : L TR 11.6800
RFQ
 ECAD 8256 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 200-VFBGA 200-VFBGA (10x14.5) - 영향을받지 영향을받지 557-MT53E256M32D1KS-046AIT : LTR 1
M29F800DT70N6F TR Micron Technology Inc. M29F800DT70N6F TR -
RFQ
 ECAD 3464 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M29F800 플래시 - 아니오 4.5V ~ 5.5V 48-tsop - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,500 비 비 8mbit 70 ns 플래시 1m x 8, 512k x 16 평행한 70ns
MT48LC32M16A2P-75 L:C Micron Technology Inc. MT48LC32M16A2P-75 L : C. -
RFQ
 ECAD 3615 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC32M16A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 4 (72 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5.4 ns 음주 32m x 16 평행한 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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