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통합 통합 (ICS) (10403)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
N25Q128A21BF840F TR Micron Technology Inc. N25Q128A21BF840F TR -
RFQ
 ECAD 1889 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 N25Q128A21 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 8-vdfpn (mlp8) (8x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 108 MHz 비 비 128mbit 플래시 16m x 8 SPI 8ms, 5ms
MT61K512M32KPA-14:B Micron Technology Inc. MT61K512M32KPA-14 : b -
RFQ
 ECAD 9640 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 180-TFBGA MT61K512 sgram -gddr6 1.31V ~ 1.391V 180-FBGA (12x14) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0036 1,260 7GHz 휘발성 휘발성 16gbit 음주 512m x 32 평행한 -
EDF8164A3PF-GD-F-D Micron Technology Inc. EDF8164A3PF-GD-FD -
RFQ
 ECAD 7427 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 - EDF8164 sdram- 모바일 lpddr3 1.14V ~ 1.95V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,260 800MHz 휘발성 휘발성 8gbit 음주 128m x 64 평행한 -
MT53B512M64D4NZ-062 WT:D Micron Technology Inc. MT53B512M64D4NZ-062 WT : d -
RFQ
 ECAD 8095 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - MT53B512 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,190 1.6GHz 휘발성 휘발성 32gbit 음주 512m x 64 - -
M29DW128F70NF6E Micron Technology Inc. M29DW128F70NF6E -
RFQ
 ECAD 6147 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M29DW128 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 56-tsop - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 96 비 비 128mbit 70 ns 플래시 16m x 8, 8m x 16 평행한 70ns
MT29F2G08ABAEAWP-ITX:E TR Micron Technology Inc. MT29F2G08ABAEAWP-ITX : E TR -
RFQ
 ECAD 5731 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F2G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 2gbit 플래시 256m x 8 평행한 -
MTFC8GLDEA-4M IT TR Micron Technology Inc. MTFC8GLDEA-4M IT TR -
RFQ
 ECAD 8117 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 153-WFBGA MTFC8 플래시 - NAND 1.65V ~ 3.6V 153-WFBGA (11.5x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 64gbit 플래시 8g x 8 MMC -
JS28F160C3TD70A Micron Technology Inc. JS28F160C3TD70A -
RFQ
 ECAD 7762 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) JS28F160C3 플래시 - 블록 부트 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 96 비 비 16mbit 70 ns 플래시 1m x 16 평행한 70ns
MT44K64M18RB-093E:A Micron Technology Inc. MT44K64M18RB-093E : a 80.5650
RFQ
 ECAD 4402 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 168-TBGA MT44K64M18 rldram 3 1.28V ~ 1.42V 168-BGA (13.5x13.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 2832-MT44K64M18RB-093E : a 귀 99 8542.32.0036 1,190 1.066 GHz 휘발성 휘발성 1.125gbit 8 ns 음주 64m x 18 평행한 -
MT28F640J3RG-115 GMET Micron Technology Inc. MT28F640J3RG-115 GMET -
RFQ
 ECAD 8505 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT28F640J3 플래시 2.7V ~ 3.6V 56-tsop 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 64mbit 115 ns 플래시 8m x 8, 4m x 16 평행한 -
PF48F4400P0VBQ2F TR Micron Technology Inc. PF48F4400P0VBQ2F TR -
RFQ
 ECAD 2635 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 88-TFBGA, CSPBGA 48F4400p0 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 88-SCSP (8x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 52MHz 비 비 512mbit 85 ns 플래시 32m x 16 평행한 85ns
MT29F64G08AFAAAWP-IT:A TR Micron Technology Inc. MT29F64G08AFAAAWP-IT : A TR -
RFQ
 ECAD 8234 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F64G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 64gbit 플래시 8g x 8 평행한 -
JS28F320J3D75A Micron Technology Inc. JS28F320J3D75A -
RFQ
 ECAD 6854 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) JS28F320J3 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 56-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 576 비 비 32mbit 75 ns 플래시 4m x 8, 2m x 16 평행한 75ns
MT46H128M32L2KQ-6 IT:B TR Micron Technology Inc. MT46H128M32L2KQ-6 IT : B TR -
RFQ
 ECAD 4696 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 168-WFBGA MT46H128M32 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 168-WFBGA (12x12) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0036 1,000 166 MHz 휘발성 휘발성 4gbit 5 ns 음주 128m x 32 평행한 15ns
MT53E512M32D2NP-046 Micron Technology Inc. MT53E512M32D2NP-046 -
RFQ
 ECAD 1305 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C 표면 표면 200-WFBGA MT53E512 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 1,360 2.133 GHz 휘발성 휘발성 16gbit 음주 512m x 32 - -
MT62F4G32D8DV-023 WT:B TR Micron Technology Inc. MT62F4G32D8DV-023 WT : B TR 90.4650
RFQ
 ECAD 1619 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -25 ° C ~ 85 ° C - - sdram- 모바일 lpddr5 - - - 557-MT62F4G32D8DV-023WT : BTR 2,000 4.266 GHz 휘발성 휘발성 128gbit 음주 4G X 32 평행한 -
MT41K128M16JT-107 AAT:K TR Micron Technology Inc. MT41K128M16JT-107 AAT : K TR 5.3633
RFQ
 ECAD 1222 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT41K128M16 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (8x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 MT41K128M16JT-107AAT : KTR 귀 99 8542.32.0036 2,000 933 MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 128m x 16 평행한 15ns
MT25QU128ABA1ESE-0SIT Micron Technology Inc. mt25qu128aba1ese-0sit 4.1200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) MT25QU128 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 133 MHz 비 비 128mbit 플래시 16m x 8 SPI 8ms, 2.8ms
M25P32-VMF6P Micron Technology Inc. M25P32-VMF6P -
RFQ
 ECAD 3427 0.00000000 Micron Technology Inc. - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) M25P32 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 16-SOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,225 75MHz 비 비 32mbit 플래시 4m x 8 SPI 15ms, 5ms
MT46H64M32L2CG-5 IT:A TR Micron Technology Inc. MT46H64M32L2CG-5 IT : A TR -
RFQ
 ECAD 8389 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 152-VFBGA MT46H64M32 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 152-VFBGA (14x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 2gbit 5 ns 음주 64m x 32 평행한 15ns
MT46V256M4TG-6T:A Micron Technology Inc. MT46V256M4TG-6T : a -
RFQ
 ECAD 5031 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V256M4 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-tsop 다운로드 rohs 비준수 5 (48 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,000 167 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 700 PS 음주 256m x 4 평행한 15ns
MTFC128GAXAUEA-WT Micron Technology Inc. MTFC128GAXAUEA-WT 14.0250
RFQ
 ECAD 1322 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 활동적인 - 557-MTFC128GAXAUEA-WT 1
MT47H64M8SH-25E AAT:H TR Micron Technology Inc. MT47H64M8SH-25E AAT : H TR -
RFQ
 ECAD 3819 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA MT47H64M8 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 60-FBGA (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 2,000 400MHz 휘발성 휘발성 512mbit 400 PS 음주 64m x 8 평행한 15ns
MT29F128G08AKAAAC5-ITZ:A Micron Technology Inc. MT29F128G08AKAAAC5-ITZ : a -
RFQ
 ECAD 5021 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 52-VLGA MT29F128G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 52-VLGA (18x14) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 128gbit 플래시 16g x 8 평행한 -
MT48LC2M32B2TG-6 IT:G Micron Technology Inc. MT48LC2M32B2TG-6 IT : g -
RFQ
 ECAD 3376 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC2M32B2 sdram 3V ~ 3.6V 86-TSOP II 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 167 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.5 ns 음주 2m x 32 평행한 12ns
MTFC256GAVATTC-AAT Micron Technology Inc. MTFC256GAVATTC-AAT 90.4350
RFQ
 ECAD 2840 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 활동적인 - 557-MTFC256GAVATTC-AAT 1
MT40A256M16GE-083E:B TR Micron Technology Inc. MT40A256M16GE-083E : B TR -
RFQ
 ECAD 9247 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT40A256M16 sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 96-FBGA (9x14) - Rohs3 준수 3 (168 시간) MT40A256M16GE-083E : BTR 쓸모없는 2,000 1.2GHz 휘발성 휘발성 4gbit 19 ns 음주 256m x 16 평행한 15ns
M25PE20-VMP6TG TR Micron Technology Inc. M25PE20-VMP6TG TR -
RFQ
 ECAD 7188 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 M25PE20 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-vdfpn (6x5) (MLP8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 4,000 75MHz 비 비 2mbit 플래시 256k x 8 SPI 15ms, 3ms
MT46V64M8FN-6:D TR Micron Technology Inc. MT46V64M8FN-6 : D TR -
RFQ
 ECAD 8481 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA MT46V64M8 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 60-FBGA (10x12.5) 다운로드 rohs 비준수 5 (48 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 64m x 8 평행한 15ns
MT46V32M8FG-75:G TR Micron Technology Inc. MT46V32M8FG-75 : G TR -
RFQ
 ECAD 9637 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 60-FBGA MT46V32M8 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 60-FBGA (8x14) 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 750 ps 음주 32m x 8 평행한 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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