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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전압 - 공급 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 시계 시계 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 액세스 액세스 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지 |
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MT29F2G08ABAGAWP-ait : G TR | 2.5267 | ![]() | 9166 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) | MT29F2G08 | 플래시 -Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 48-tsop i | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 557-MT29F2G08ABAGAWP-AIAT : GTR | 8542.32.0071 | 1,000 | 비 비 | 2gbit | 20 ns | 플래시 | 256m x 8 | 평행한 | 20ns | ||||
![]() | MT53D512M32D2DS-053 AAT : d | 23.6700 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 쟁반 | 마지막으로 마지막으로 | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | 표면 표면 | 200-WFBGA | MT53D512 | sdram- 모바일 lpddr4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1,360 | 1.866 GHz | 휘발성 휘발성 | 16gbit | 음주 | 512m x 32 | - | - | |||
![]() | MTFC32GJDDQ-4M IT | - | ![]() | 4054 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 100-lbga | MTFC32G | 플래시 - NAND | 1.65V ~ 3.6V | 100-lbga (14x18) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 비 비 | 256gbit | 플래시 | 32g x 8 | MMC | - | ||||
![]() | MT29F64G08CBCABH1-10Z : a | - | ![]() | 8804 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 튜브 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 100-VBGA | MT29F64G08 | 플래시 - NAND | 2.7V ~ 3.6V | 100-VBGA (12x18) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,120 | 100MHz | 비 비 | 64gbit | 플래시 | 8g x 8 | 평행한 | - | |||
![]() | M29F400FB55M3E2 | - | ![]() | 4282 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 표면 표면 | 44-SOIC (0.496 ", 12.60mm 너비) | M29F400 | 플래시 - 아니오 | 4.5V ~ 5.5V | 44- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 40 | 비 비 | 4mbit | 55 ns | 플래시 | 512k x 8, 256k x 16 | 평행한 | 55ns | |||
![]() | MT44K32M18RB-093 IT : a | - | ![]() | 9130 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 168-TBGA | MT44K32M18 | 음주 | 1.28V ~ 1.42V | 168-BGA (13.5x13.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 귀 99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 1.066 GHz | 휘발성 휘발성 | 576mbit | 10 ns | 음주 | 32m x 18 | 평행한 | - | |||
![]() | MT29F2G08ABAEAH4-AITX : E TR | 5.1300 | ![]() | 642 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 63-VFBGA | MT29F2G08 | 플래시 - NAND | 2.7V ~ 3.6V | 63-VFBGA (9x11) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 비 비 | 2gbit | 플래시 | 256m x 8 | 평행한 | - | ||||
![]() | MT46V64M4P-5B : m | - | ![]() | 2005 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 대부분 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) | MT46V64M4 | sdram -ddr | 2.5V ~ 2.7V | 66-tsop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 귀 99 | 8542.32.0028 | 1,000 | 200MHz | 휘발성 휘발성 | 256mbit | 700 PS | 음주 | 64m x 4 | 평행한 | 15ns | |||
![]() | MT62F2G64D8EK-026 WT : B TR | 90.4650 | ![]() | 9963 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -25 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | 441-TFBGA | sdram- 모바일 lpddr5 | 1.05V | 441-TFBGA (14x14) | - | 557-MT62F2G64D8EK-026WT : BTR | 2,000 | 3.2GHz | 휘발성 휘발성 | 128gbit | 음주 | 2G X 64 | 평행한 | - | ||||||||
![]() | MT42L32M32D2AC-25 AIT : A TR | - | ![]() | 3807 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -25 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 134-VFBGA | MT42L32M32 | sdram- 모바일 lpddr2 | 1.14V ~ 1.95V | 134-FBGA (10x11.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 400MHz | 휘발성 휘발성 | 1gbit | 음주 | 32m x 32 | 평행한 | - | |||
![]() | MT46V128M4FN-75Z : d | - | ![]() | 3780 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 60-TFBGA | MT46V128M4 | sdram -ddr | 2.3V ~ 2.7V | 60-FBGA (10x12.5) | - | rohs 비준수 | 5 (48 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | 휘발성 휘발성 | 512mbit | 750 ps | 음주 | 128m x 4 | 평행한 | 15ns | ||
![]() | M29W640FB70N6E | - | ![]() | 5353 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) | M29W640 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 48-tsop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 576 | 비 비 | 64mbit | 70 ns | 플래시 | 8m x 8, 4m x 16 | 평행한 | 70ns | |||
![]() | MT29F768G08EEHBBJ4-3R : b | - | ![]() | 9583 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 132-VBGA | MT29F768G08 | 플래시 - NAND | 2.5V ~ 3.6V | 132-VBGA (12x18) | - | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,120 | 333 MHz | 비 비 | 768gbit | 플래시 | 96g x 8 | 평행한 | - | |||||
![]() | MT29E256G08CBHBBJ4-3ES : b | - | ![]() | 7786 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 132-VBGA | MT29E256G08 | 플래시 - NAND | 2.5V ~ 3.6V | 132-VBGA (12x18) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1,120 | 333 MHz | 비 비 | 256gbit | 플래시 | 32g x 8 | 평행한 | - | ||||
![]() | MT29F512G08CKCCBH7-6R : c | - | ![]() | 5136 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 152-TBGA | MT29F512G08 | 플래시 -Nand (MLC) | 2.7V ~ 3.6V | 152-TBGA (14x18) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 166 MHz | 비 비 | 512gbit | 플래시 | 64g x 8 | 평행한 | - | |||
![]() | MT48LC16M16A2B4-7E : g | - | ![]() | 6311 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 54-VFBGA | MT48LC16M16A2 | sdram | 3V ~ 3.6V | 54-VFBGA (8x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0024 | 1,560 | 133 MHz | 휘발성 휘발성 | 256mbit | 5.4 ns | 음주 | 16m x 16 | 평행한 | 14ns | ||
![]() | MT47H32M16BN-3 IT : D TR | - | ![]() | 8812 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 84-TFBGA | MT47H32M16 | sdram -ddr2 | 1.7V ~ 1.9V | 84-FBGA (10x12.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 333 MHz | 휘발성 휘발성 | 512mbit | 450 ps | 음주 | 32m x 16 | 평행한 | 15ns | ||
![]() | M29F800FT5AN6E2 | - | ![]() | 4206 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) | M29F800 | 플래시 - 아니오 | 4.5V ~ 5.5V | 48-tsop i | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 96 | 비 비 | 8mbit | 55 ns | 플래시 | 1m x 8, 512k x 16 | 평행한 | 55ns | |||
![]() | MT58L256V36PS-6 TR | 5.9800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | SyncBurst ™ | 대부분 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 100-lqfp | sram- 표준 | 3.135V ~ 3.6V | 100-TQFP (14x20.1) | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 100 | 166 MHz | 휘발성 휘발성 | 8mbit | 3.5 ns | SRAM | 256k x 36 | 평행한 | - | |||
![]() | MT29VZZZCD9FQKPR-046 W.G9L | - | ![]() | 2166 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | MT29VZZZCD9 | - | Rohs3 준수 | 557-MT29VZZZCD9FQKPR-046W.G9L | 쓸모없는 | 152 | ||||||||||||||||||
![]() | MT53D256M16D1NY-046 XT ES : B TR | - | ![]() | 8212 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -30 ° C ~ 105 ° C (TC) | MT53D256 | sdram- 모바일 lpddr4 | 1.1V | - | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 2.133 GHz | 휘발성 휘발성 | 16gbit | 음주 | 256m x 64 | - | - | |||||||
![]() | MT46V32M16FN-75 : C TR | - | ![]() | 8320 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 60-TFBGA | MT46V32M16 | sdram -ddr | 2.3V ~ 2.7V | 60-FBGA (10x12.5) | - | rohs 비준수 | 5 (48 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | 휘발성 휘발성 | 512mbit | 750 ps | 음주 | 32m x 16 | 평행한 | 15ns | ||
MT46H8M32LFB5-6 IT : h | - | ![]() | 2182 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 90-VFBGA | MT46H8M32 | sdram- 모바일 lpddr | 1.7V ~ 1.95V | 90-VFBGA (8x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 166 MHz | 휘발성 휘발성 | 256mbit | 5 ns | 음주 | 8m x 32 | 평행한 | 12ns | |||
![]() | MT53E768M64D4HJ-046 AAT : b | 47.8950 | ![]() | 5745 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 상자 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | 표면 표면 | 556-TFBGA | sdram- 모바일 lpddr4x | 1.06V ~ 1.17V | 556-WFBGA (12.4x12.4) | - | 557-MT53E768M64D4HJ-046AAT : b | 1 | 2.133 GHz | 휘발성 휘발성 | 48gbit | 3.5 ns | 음주 | 768m x 64 | 평행한 | 18ns | |||||||
![]() | MT29C4G96MAZBBCJG-48 IT | - | ![]() | 5911 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 168-WFBGA | MT29C4G96 | 플래시 -Nand, n lpdram | 1.7V ~ 1.95V | 168-WFBGA (12x12) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 208 MHz | 비 비, 휘발성 | 4GBIT (NAND), 4GBIT (LPDRAM) | 플래시, 램 | 256m x 16 (NAND), 128m x 32 (lpdram) | 평행한 | - | |||
![]() | MT48LC16M16A2P-7E IT : d | - | ![]() | 5261 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) | MT48LC16M16A2 | sdram | 3V ~ 3.6V | 54-TSOP II | 다운로드 | Rohs3 준수 | 2 (1 년) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | 휘발성 휘발성 | 256mbit | 5.4 ns | 음주 | 16m x 16 | 평행한 | 14ns | ||
![]() | MT62F1536M64D8EK-023 AUT : B TR | 109.0500 | ![]() | 2022 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | 표면 표면 | 441-TFBGA | sdram- 모바일 lpddr5 | - | 441-TFBGA (14x14) | - | 557-MT62F1536M64D8EK-023AUT : BTR | 1,500 | 4.266 GHz | 휘발성 휘발성 | 96gbit | 음주 | 1.5GX 64 | 평행한 | - | ||||||||
![]() | M25P40-VMN3TPB TR | - | ![]() | 8712 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | M25P40 | 플래시 - 아니오 | 2.3V ~ 3.6V | 도 8- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 2,500 | 75MHz | 비 비 | 4mbit | 플래시 | 512k x 8 | SPI | 15ms, 5ms | |||
![]() | MT46V64M8TG-75 IT : D TR | - | ![]() | 4811 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) | MT46V64M8 | sdram -ddr | 2.3V ~ 2.7V | 66-tsop | - | rohs 비준수 | 4 (72 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | 휘발성 휘발성 | 512mbit | 750 ps | 음주 | 64m x 8 | 평행한 | 15ns | ||
![]() | MT42L64M32D1TK-18 IT : C TR | - | ![]() | 4742 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -25 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 134-WFBGA | MT42L64M32 | sdram- 모바일 lpddr2 | 1.14V ~ 1.3V | 134-FBGA (10x11.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1,000 | 533 MHz | 휘발성 휘발성 | 2gbit | 음주 | 64m x 32 | 평행한 | - |
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