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MT48LC4M32B2P-6:G TR Micron Technology Inc. MT48LC4M32B2P-6 : G TR -
RFQ
ECAD 4137 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC4M32B2 sdram 3V ~ 3.6V 86-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 167 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.5 ns 음주 4m x 32 평행한 12ns
MT44K16M36RB-107:A Micron Technology Inc. MT44K16M36RB-107 : a -
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ECAD 2021 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 168-TBGA MT44K16M36 음주 1.28V ~ 1.42V 168-BGA (13.5x13.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0024 1,000 933 MHz 휘발성 휘발성 576mbit 10 ns 음주 16m x 36 평행한 -
M29W400DT55N6 Micron Technology Inc. M29W400DT55N6 -
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ECAD 9062 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M29W400 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 96 비 비 4mbit 55 ns 플래시 512k x 8, 256k x 16 평행한 55ns
N25Q256A13ESF40F TR Micron Technology Inc. N25Q256A13ESF40F TR -
RFQ
ECAD 7788 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) N25Q256A13 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 16-SOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 108 MHz 비 비 256mbit 플래시 64m x 4 SPI 8ms, 5ms
MT45W256KW16PEGA-70 WT TR Micron Technology Inc. MT45W256KW16PEGA-70 WT TR -
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ECAD 8830 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 48-VFBGA MT45W256KW16 psram (의사 sram) 1.7V ~ 1.95V 48-VFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 4mbit 70 ns psram 256k x 16 평행한 70ns
MT53E4G32D8GS-046 WT ES:C TR Micron Technology Inc. MT53E4G32D8GS-046 WT ES : C TR 127.0200
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ECAD 5172 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -25 ° C ~ 85 ° C - - sdram- 모바일 lpddr4 - - - 557-MT53E4G32D8GS-046WTES : CTR 2,000 2.133 GHz 휘발성 휘발성 128gbit 음주 4G X 32 평행한 -
N25Q128A13EF8A0F TR Micron Technology Inc. N25Q128A13EF8A0F TR -
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ECAD 9470 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 N25Q128A13 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-vdfpn (mlp8) (8x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 108 MHz 비 비 128mbit 플래시 32m x 4 SPI 8ms, 5ms
MT29F1T08CPCBBH8-6C:B Micron Technology Inc. MT29F1T08CPCBBH8-6C : b -
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ECAD 4914 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 152-lbga MT29F1T08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 152-lbga (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 980 167 MHz 비 비 1tbit 플래시 128g x 8 평행한 -
MT53E256M32D1KS-046 WT:L Micron Technology Inc. MT53E256M32D1KS-046 WT : L. 9.6500
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ECAD 4709 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 표면 표면 200-VFBGA 200-VFBGA (10x14.5) - 영향을받지 영향을받지 557-MT53E256M32D1KS-046WT : l 1
MT29F4G16ABADAWP-IT:D TR Micron Technology Inc. MT29F4G16ABADAWP-IT : D TR -
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ECAD 5344 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F4G16 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 4gbit 플래시 256m x 16 평행한 -
MT29F512G08EBLEEJ4-QJ:E Micron Technology Inc. MT29F512G08EBLEEJ4-QJ : e 13.2450
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ECAD 6614 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 활동적인 - 557-MT29F512G08EBLEEJ4-QJ : e 1
MT53D512M32D2NP-046 AAT:D TR Micron Technology Inc. MT53D512M32D2NP-046 AAT : D TR -
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ECAD 1412 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 200-WFBGA MT53D512 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 2,000 2.133 GHz 휘발성 휘발성 16gbit 음주 512m x 32 - -
MT29F256G08CMCABH2-12Z:A TR Micron Technology Inc. MT29F256G08CMCABH2-12Z : A TR -
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ECAD 9450 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-tbga MT29F256G08 플래시 -Nand (MLC) 2.7V ~ 3.6V 100-TBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1,000 83MHz 비 비 256gbit 플래시 32g x 8 평행한 -
PC28F512P33BFD Micron Technology Inc. PC28F512P33BFD -
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ECAD 8900 0.00000000 Micron Technology Inc. Axcell ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-TBGA PC28F512 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 64-EASYBGA (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 52MHz 비 비 512mbit 95 ns 플래시 32m x 16 평행한 95ns
MT47H16M16BG-37V:B Micron Technology Inc. MT47H16M16BG-37V : b -
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ECAD 7725 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 84-FBGA MT47H16M16 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-FBGA (8x14) - Rohs3 준수 5 (48 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 267 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 500 PS 음주 16m x 16 평행한 15ns
MT28HL08GNBB3EBK-0GCT Micron Technology Inc. MT28HL08GNBB3EBK-0GCT 33.0000
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ECAD 8772 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 활동적인 MT28HL08 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 270
MT29F32G08CBECBL73A3WC1P Micron Technology Inc. MT29F32G08CBECBL73A3WC1P -
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ECAD 3610 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 주사위 MT29F32G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 주사위 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1 비 비 32gbit 플래시 4G X 8 평행한 -
MT29F64G08CFACAWP-Z:C Micron Technology Inc. MT29F64G08CFACAWP-Z : c -
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ECAD 7885 0.00000000 Micron Technology Inc. - 튜브 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F64G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 960 비 비 64gbit 플래시 8g x 8 평행한 -
MT40A1G8AG-062E AUT:R TR Micron Technology Inc. MT40A1G8AG-062E AUT : R TR -
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ECAD 7620 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 영향을받지 영향을받지 557-MT40A1G8AG-062EAUT : RTR 1
MT29F256G08CECEBJ4-37ITR:E Micron Technology Inc. MT29F256G08CECEBJ4-37ITR : e 22.0500
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ECAD 7064 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 132-VBGA MT29F256G08 플래시 -Nand (MLC) 2.7V ~ 3.6V 132-VBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 8542.32.0071 1,120 267 MHz 비 비 256gbit 플래시 32g x 8 평행한 -
MT58L32L32PT-10 Micron Technology Inc. MT58L32L32PT-10 6.5300
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ECAD 28 0.00000000 Micron Technology Inc. SyncBurst ™ 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp MT58L32L32 SRAM 3.135V ~ 3.6V 100-TQFP (14x20.1) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 3A991B2B 8542.32.0041 1 100MHz 휘발성 휘발성 1mbit 5 ns SRAM 32k x 32 평행한 -
MT58L1MY18FT-6.8 Micron Technology Inc. MT58L1MY18ft-6.8 31.1000
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ECAD 11 0.00000000 Micron Technology Inc. SyncBurst ™ 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp sram- 표준 3.135V ~ 3.465V 100-TQFP (14x20.1) 다운로드 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 휘발성 휘발성 18mbit 6.8 ns SRAM 1m x 18 평행한 -
EDB4064B3PP-1D-F-D Micron Technology Inc. EDB4064B3PP-1D-FD -
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ECAD 3038 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 240-WFBGA EDB4064 sdram- 모바일 lpddr2 1.14V ~ 1.95V 240-FBGA (14x14) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0036 1,260 533 MHz 휘발성 휘발성 4gbit 음주 64m x 64 평행한 -
M29F400BT90N6T TR Micron Technology Inc. M29F400BT90N6T TR -
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ECAD 5976 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M29F400 플래시 - 아니오 4.5V ~ 5.5V 48-tsop - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,500 비 비 4mbit 90 ns 플래시 512k x 8, 256k x 16 평행한 90ns
MT53D768M64D4SB-046 XT ES:A Micron Technology Inc. MT53D768M64D4SB-046 XT ES : a -
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ECAD 2737 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 쓸모없는 -30 ° C ~ 105 ° C (TC) MT53D768 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - 쓸모없는 1,190 2.133 GHz 휘발성 휘발성 48gbit 음주 768m x 64 - -
M29W640GT70NA6F TR Micron Technology Inc. M29W640GT70NA6F TR -
RFQ
ECAD 4233 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M29W640 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,500 비 비 64mbit 70 ns 플래시 8m x 8, 4m x 16 평행한 70ns
MT46H64M16LFCK-6:A TR Micron Technology Inc. MT46H64M16LFCK-6 : A TR -
RFQ
ECAD 6233 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 60-VFBGA MT46H64M16 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 60-VFBGA (10x11.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,000 166 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 5 ns 음주 64m x 16 평행한 15ns
MT40A256M16GE-062E:B Micron Technology Inc. MT40A256M16GE-062E : b -
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ECAD 1604 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT40A256M16 sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 96-FBGA (9x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,020 1.6GHz 휘발성 휘발성 4gbit 음주 256m x 16 평행한 -
MT53E2G64D8EG-046 WT:C TR Micron Technology Inc. MT53E2G64D8EG-046 WT : C TR -
RFQ
ECAD 3307 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 557-MT53E2G64D8EG-046WT : CTR 2,000
MT29F1T08CUCBBH8-6R:B Micron Technology Inc. MT29F1T08CUCBBH8-6R : b -
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ECAD 9836 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 152-lbga MT29F1T08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 152-lbga (14x18) - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 980 167 MHz 비 비 1tbit 플래시 128g x 8 평행한 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고