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통합 통합 (ICS) (10403)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
MT54W512H36JF-6 Micron Technology Inc. MT54W512H36JF-6 23.0000
RFQ
 ECAD 753 0.00000000 Micron Technology Inc. QDR ™ 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-TBGA MT54W512H sram-쿼드-, 동기 1.7V ~ 1.9V 165-FBGA (13x15) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1 167 MHz 휘발성 휘발성 18mbit 6 ns SRAM 512k x 36 평행한 -
MTFC8GAMALNA-AAT ES TR Micron Technology Inc. mtfc8gamalna-aat es tr -
RFQ
 ECAD 2993 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 100-tbga MTFC8 플래시 - NAND - 100-TBGA (14x18) - 1 (무제한) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 64gbit 플래시 8g x 8 MMC -
MT40A1G16KNR-075 IT:E Micron Technology Inc. MT40A1G16KNR-075 IT : e 23.9400
RFQ
 ECAD 9114 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 96-FBGA (7.5x13.5) - 557-MT40A1G16KNR-075IT : e 1 1.333 GHz 휘발성 휘발성 16gbit 19 ns 음주 1g x 16 평행한 15ns
MT46V16M16P-5B IT:M Micron Technology Inc. MT46V16M16P-5B IT : m -
RFQ
 ECAD 7688 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V16M16 sdram -ddr 2.5V ~ 2.7V 66-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 1,080 200MHz 휘발성 휘발성 256mbit 700 PS 음주 16m x 16 평행한 15ns
MTFC8GLDEA-1M WT TR Micron Technology Inc. MTFC8GLDEA-1M WT TR -
RFQ
 ECAD 8567 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 153-WFBGA MTFC8 플래시 - NAND 1.65V ~ 3.6V 153-WFBGA (11.5x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 64gbit 플래시 8g x 8 MMC -
MT29F1G01ABAFD12-AAT:F TR Micron Technology Inc. MT29F1G01ABAFD12-AAT : F TR 4.1500
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 ECAD 5438 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA MT29F1G01 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 24-T-PBGA (6x8) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 1gbit 플래시 1g x 1 SPI -
MT29F256G08CEEABH6-12:A TR Micron Technology Inc. MT29F256G08CEABH6-12 : A TR -
RFQ
 ECAD 1613 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 152-VBGA MT29F256G08 플래시 -Nand (MLC) 2.5V ~ 3.6V 152-VBGA (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,000 83MHz 비 비 256gbit 플래시 32g x 8 평행한 -
MT28FW512ABA1HPC-0AAT TR Micron Technology Inc. MT28FW512ABA1HPC -0AAT TR -
RFQ
 ECAD 4991 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 64-lbga MT28FW512 플래시 - 아니오 1.7V ~ 3.6V 64-lbga (11x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 비 비 512mbit 105 ns 플래시 32m x 16 평행한 60ns
MTFC4GLGDQ-AIT TR Micron Technology Inc. mtfc4glgdq-ait tr -
RFQ
 ECAD 7626 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) - - MTFC4 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 32gbit 플래시 4G X 8 MMC -
MT53E256M32D2DS-053 AIT:B Micron Technology Inc. MT53E256M32D2DS-053 AIT : b 19.2500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 200-WFBGA MT53E256 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 MT53E256M32D2DS-053AIT : b 귀 99 8542.32.0036 1,360 1.866 GHz 휘발성 휘발성 8gbit 음주 256m x 32 - -
MTFC64GAZAQHD-AAT Micron Technology Inc. mtfc64gazaqhd-aat 38.9100
RFQ
 ECAD 7567 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 153-VFBGA MTFC64 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 153-VFBGA (11.5x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 557-MTFC64GAZAQHD-AAT 1 비 비 512gbit 플래시 64g x 8 EMMC -
MT53E768M64D4HJ-046 AIT:B TR Micron Technology Inc. MT53E768M64D4HJ-046 AIT : B TR 44.2350
RFQ
 ECAD 8810 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 556-TFBGA sdram- 모바일 lpddr4x 1.06V ~ 1.17V 556-WFBGA (12.4x12.4) - 557-MT53E768M64D4HJ-046AIT : BTR 2,000 2.133 GHz 휘발성 휘발성 48gbit 3.5 ns 음주 768m x 64 평행한 18ns
MT40A512M16AD-062E AUT:E Micron Technology Inc. MT40A512M16AD-062E AUT : e 11.6400
RFQ
 ECAD 6256 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 활동적인 다운로드 557-MT40A512M16AD-062EAUT : e 1
MT53D1024M32D4DT-053 AIT:D Micron Technology Inc. MT53D1024M32D4DT-053 AIT : d 35.5500
RFQ
 ECAD 6354 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 마지막으로 마지막으로 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 200-VFBGA MT53D1024 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 200-VFBGA (10x14.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,360 1.866 GHz 휘발성 휘발성 32gbit 음주 1g x 32 - -
MT29RZ1BVCZZHGTN-25 W.4M0 TR Micron Technology Inc. MT29RZ1BVCZZHGTN-25 W.4M0 TR -
RFQ
 ECAD 3770 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000
MT29F4G16AACWC-ET:C TR Micron Technology Inc. MT29F4G16AACWC-ET : C TR -
RFQ
 ECAD 4719 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F4G16 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 4gbit 플래시 256m x 16 평행한 -
JS28F128J3D75A Micron Technology Inc. JS28F128J3D75A -
RFQ
 ECAD 5540 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) JS28F128J3 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 56-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 576 비 비 128mbit 75 ns 플래시 16m x 8, 8m x 16 평행한 75ns
MT35XL256ABA1GSF-0AAT TR Micron Technology Inc. MT35XL256ABA1GSF-0AAT TR -
RFQ
 ECAD 8752 0.00000000 Micron Technology Inc. XCCELA ™ -MT35X 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 24-TBGA MT35XL256 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 24-T-PBGA (6x8) - 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 1,000 133 MHz 비 비 256mbit 플래시 32m x 8 xccela 버스 -
N25Q128A13ESF40F TR Micron Technology Inc. N25Q128A13ESF40F TR -
RFQ
 ECAD 7145 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) N25Q128A13 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 16- 형의 행위 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 108 MHz 비 비 128mbit 플래시 32m x 4 SPI 8ms, 5ms
MT53D768M64D8JS-053 WT:D Micron Technology Inc. MT53D768M64D8JS-053 WT : d -
RFQ
 ECAD 5397 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 366-VFBGA MT53D768 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 366-VFBGA (12x12.7) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,360 1.866 GHz 휘발성 휘발성 48gbit 음주 768m x 64 - -
MT29TZZZ8D5JKEZB-107 W.95Q TR Micron Technology Inc. MT29TZZZ8D5JKEZB-107 W.95Q TR -
RFQ
 ECAD 9980 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 221-WFBGA MT29TZZZ8 -Nand, DRAM -lpddr3 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V 221-WFBGA (13x11.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 933 MHz 비 비, 휘발성 64gbit (NAND), 8GBIT (LPDDR3) 플래시, 램 68G X 8 (NAND), 256M X 32 (LPDDR3) MMC, LPDRAM -
MT29RZ4B2DZZHHTB-18W.80F TR Micron Technology Inc. MT29RZ4B2DZZHHTB-18W.80F TR -
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 ECAD 6475 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 MT29RZ4 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 1,000
M29W400DB70N6T TR Micron Technology Inc. M29W400DB70N6T TR -
RFQ
 ECAD 7339 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M29W400 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,500 비 비 4mbit 70 ns 플래시 512k x 8, 256k x 16 평행한 70ns
M25P16-VMN3TP/4 TR Micron Technology Inc. M25P16-VMN3TP/4 TR -
RFQ
 ECAD 6669 0.00000000 Micron Technology Inc. Forté ™ 컷 컷 (CT) 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) M25P16 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 2,000 75MHz 비 비 16mbit 플래시 2m x 8 SPI 15ms, 5ms
MT29KZZZ6D4AGLDM-5 W.6N4 TR Micron Technology Inc. MT29KZZZ6D4AGLDM-5 W.6N4 TR -
RFQ
 ECAD 2573 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000
M25PX64S-VMF6TP TR Micron Technology Inc. M25PX64S-VMF6TP TR -
RFQ
 ECAD 3130 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) M25PX64 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 16- 형의 행위 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 75MHz 비 비 64mbit 플래시 8m x 8 SPI 15ms, 5ms
MT29C1G12MAACAEAMD-6 IT Micron Technology Inc. MT29C1G12MAACAEAMD-6 IT -
RFQ
 ECAD 8393 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 130-VFBGA MT29C1G12 플래시 -Nand, n lpdram 1.7V ~ 1.95V 130-VFBGA (8x9) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 166 MHz 비 비, 휘발성 1GBIT (NAND), 512MBIT (LPDRAM) 플래시, 램 128m x 8 (NAND), 16m x 32 (lpdram) 평행한 -
MTFC8GLVEA-IT TR Micron Technology Inc. MTFC8GLVEA-IT TR -
RFQ
 ECAD 1604 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 153-WFBGA MTFC8 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 153-WFBGA (11.5x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 64gbit 플래시 8g x 8 MMC -
MT29F8G08ADBDAH4-IT:D Micron Technology Inc. MT29F8G08ADBDAH4-IT : d -
RFQ
 ECAD 7810 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA MT29F8G08 플래시 - NAND 1.7V ~ 1.95V 63-VFBGA (9x11) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 비 비 8gbit 플래시 1g x 8 평행한 -
MT48LC16M8A2P-7E:L Micron Technology Inc. MT48LC16M8A2P-7E : L. -
RFQ
 ECAD 4371 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC16M8A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 16m x 8 평행한 14ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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