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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	시계 시계	메모리 메모리	메모리 메모리	액세스 액세스	메모리 메모리	메모리 메모리	메모리 메모리	쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
MT46V64M8TG-75Z : d	-	RFQ	7916	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비)	MT46V64M8	sdram -ddr	2.3V ~ 2.7V	66-tsop	-	rohs 비준수	4 (72 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0024	1,000	133 MHz	휘발성 휘발성	512mbit	750 ps	음주	64m x 8	평행한	15ns
MT53D384M32D2DS-053 AAT ES : C.	-	RFQ	1934	Micron Technology Inc.	자동차, AEC-Q100	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 105 ° C (TC)	표면 표면	200-WFBGA	MT53D384	sdram- 모바일 lpddr4	1.1V	200-WFBGA (10x14.5)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			쓸모없는	0000.00.0000	1,360	1.866 GHz	휘발성 휘발성	12gbit		음주	384m x 32	-	-
MT29C4G48MAAGBAAKS-5 WT TR	-	RFQ	5113	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-25 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	137-VFBGA	MT29C4G48	플래시 -Nand, n lpdram	1.7V ~ 1.95V	137-VFBGA (13x10.5)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	200MHz	비 비, 휘발성	4GBIT (NAND), 2GBIT (LPDRAM)		플래시, 램	512m x 8 (NAND), 64m x 32 (lpdram)	평행한	-
JS28F256P33BFE	-	RFQ	2734	Micron Technology Inc.	Axcell ™	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	JS28F256P33	플래시 - 아니오	2.3V ~ 3.6V	56-tsop	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	576	40MHz	비 비	256mbit	105 ns	플래시	16m x 16	평행한	105ns
M58WR032KB70ZQ6W TR	-	RFQ	5853	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	88-VFBGA	M58WR032	플래시 - 아니오	1.7V ~ 2V	88-VFBGA (8x10)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	2,500	66MHz	비 비	32mbit	70 ns	플래시	2m x 16	평행한	70ns
MT53D4DCFL-DC	-	RFQ	9180	Micron Technology Inc.	-	상자	sic에서 중단되었습니다				MT53D4				-			영향을받지 영향을받지			0000.00.0000	1,120
MT29F4G16ABAEAWP : e	-	RFQ	2871	Micron Technology Inc.	-	대부분	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	MT29F4G16	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	48-tsop i	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	960		비 비	4gbit		플래시	256m x 16	평행한	-
MT29F32G08CFACAWP : C TR	-	RFQ	6918	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	MT29F32G08	플래시 -Nand (MLC)	2.7V ~ 3.6V	48-tsop i	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)		MT29F32G08CFACAWP : CTR	쓸모없는	0000.00.0000	1,000		비 비	32gbit		플래시	4G X 8	평행한	-
M29F160FB5AN6F2 TR	-	RFQ	5917	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	M29F160	플래시 - 아니오	4.5V ~ 5.5V	48-tsop i	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0071	1,500		비 비	16mbit	55 ns	플래시	2m x 8, 1m x 16	평행한	55ns
PC28F064M29EWTX	-	RFQ	7493	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	64-lbga	PC28F064	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	64-FBGA (11x13)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)			3A991B1A	8542.32.0071	184		비 비	64mbit	60 ns	플래시	8m x 8, 4m x 16	평행한	60ns
M29W128GSH70ZA6E	-	RFQ	7518	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	64-TBGA	M29W128	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	64-TBGA (10x13)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	816		비 비	128mbit	70 ns	플래시	16m x 8, 8m x 16	평행한	70ns
MT29GZ5A5BPGGA-53ITES.87J TR	-	RFQ	8413	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	149-WFBGA	MT29GZ5A5	-Nand, dram -lpddr4	1.8V	149-WFBGA (8x9.5)	-		3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	2,000	1866 MHz	비 비, 휘발성	4GBIT (NAND), 4GBIT (LPDDR4)		플래시, 램	512m x 8 (NAND), 128m x 32 (LPDDR4)	평행한	-
MTFC128GAXATEA-WT TR	20.4900	RFQ	6379	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-25 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	153-VFBGA		플래시 -Nand (SLC)	-	153-VFBGA (11.5x13)	-				557-MTFC128GAXATEA-WTTR			2,000		비 비	1tbit		플래시	128g x 8	UFS 3.1	-
RC28F640J3D75D	-	RFQ	9581	Micron Technology Inc.	Strataflash ™	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	64-TBGA	RC28F640	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	64-ESYBGA (10x13)	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	864		비 비	64mbit	75 ns	플래시	8m x 8, 4m x 16	평행한	75ns
MT41J128M16JT-107 : k	-	RFQ	5378	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	96-TFBGA	MT41J128M16	sdram -ddr3	1.425V ~ 1.575V	96-FBGA (8x14)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	1,368	933 MHz	휘발성 휘발성	2gbit	20 ns	음주	128m x 16	평행한	-
MT29RZ4C4DZZMGMF-18 W.80U TR	-	RFQ	3056	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는				MT29RZ4				-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			쓸모없는	0000.00.0000	1,000
MT29F2G16ABAEAWP-ait : e	4.2900	RFQ	215	Micron Technology Inc.	-	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	MT29F2G16	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	48-tsop i	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	960		비 비	2gbit		플래시	128m x 16	평행한	-
JS28F160C3BD70A	-	RFQ	7542	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	JS28F160C3	플래시 - 블록 부트	2.7V ~ 3.6V	48-tsop i	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0071	96		비 비	16mbit	70 ns	플래시	1m x 16	평행한	70ns
MT48LC8M16A2TG-75 : g	-	RFQ	2535	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비)	MT48LC8M16A2	sdram	3V ~ 3.6V	54-TSOP II	다운로드	rohs 비준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0002	1,000	133 MHz	휘발성 휘발성	128mbit	5.4 ns	음주	8m x 16	평행한	15ns
N25Q008A11ESC40FS02 TR	-	RFQ	6925	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)			N25Q008A11	플래시 - 아니오	1.7V ~ 2V		-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		쓸모없는	0000.00.0000	2,500	108 MHz	비 비	8mbit		플래시	1m x 8	SPI	8ms, 5ms
mtfc4gludm-ait	-	RFQ	4664	Micron Technology Inc.	E • MMC ™	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	169-TFBGA	MTFC4	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	169-TFBGA (14x18)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			3A991B1A	8542.32.0071	1,000		비 비	32gbit		플래시	4G X 8	MMC	-
MT29VZZZAC8FQKSL-053 W ES.G8F TR	-	RFQ	3414	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인				MT29VZZZAC8				-		3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지			0000.00.0000	1,000
MT29F1G08ABADAWP-E : D TR	-	RFQ	1963	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	MT29F1G08	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	48-tsop i	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		쓸모없는	0000.00.0000	1,000		비 비	1gbit		플래시	128m x 8	평행한	-
MT41J256M8DA-107 : K TR	-	RFQ	7895	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	78-TFBGA	MT41J256M8	sdram -ddr3	1.425V ~ 1.575V	78-FBGA (8x10.5)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	1,000	933 MHz	휘발성 휘발성	2gbit	20 ns	음주	256m x 8	평행한	-
MT62F2G64D8EK-023 AIT : C TR	114.9600	RFQ	3245	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인								-				557-MT62F2G64D8EK-023AIT : CTR			2,000
MT53E1G32D2FW-046 AUT : a	37.7850	RFQ	2806	Micron Technology Inc.	자동차, AEC-Q100	상자	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TC)	표면 표면	200-TFBGA		sdram- 모바일 lpddr4x	1.06V ~ 1.17V	200-TFBGA (10x14.5)	다운로드				557-MT53E1G32D2FW-046AUT : a			1	2.133 GHz	휘발성 휘발성	32gbit		음주	1g x 32	평행한	18ns
MT53B768M64D8NK-053 WT : d	-	RFQ	3498	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	366-WFBGA	MT53B768	sdram- 모바일 lpddr4	1.1V	366-WFBGA (15x15)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	1,190	1.866 GHz	휘발성 휘발성	48gbit		음주	768m x 64	-	-
MT41K512M16TNA-125 : e	-	RFQ	7244	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	96-TFBGA	MT41K512M16	sdram -ddr3l	1.283V ~ 1.45V	96-FBGA (10x14)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	1,000	800MHz	휘발성 휘발성	8gbit	13.5 ns	음주	512m x 16	평행한	-
MT29TZZZ5D6DKFRL-093 W.9A6 TR	50.9250	RFQ	2207	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인				MT29TZZZ5				-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	mt29tzzzz5d6dkfrl-093w.9a6tr		0000.00.0000	1,000
MTFC64GAPAKEA-WT ES	-	RFQ	9268	Micron Technology Inc.	E • MMC ™	쟁반	쓸모없는	-25 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	153-WFBGA	MTFC64	플래시 - NAND	-	153-WFBGA (11.5x13)	-		1 (무제한)			쓸모없는	0000.00.0000	1,520		비 비	512gbit		플래시	64g x 8	MMC	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

통합 통합 (ICS) (10403)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²