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N25Q064A13ESF40G Micron Technology Inc. N25Q064A13ESF40G -
RFQ
ECAD 1607 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) N25Q064A13 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 16- 형의 행위 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,225 108 MHz 비 비 64mbit 플래시 16m x 4 SPI 8ms, 5ms
MT62F1536M64D8CL-023 WT:B TR Micron Technology Inc. MT62F1536M64D8CL-023 WT : B TR 55.3050
RFQ
ECAD 8025 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - - - sdram- 모바일 lpddr5 - - - 557-MT62F1536M64D8CL-023WT : BTR 2,500 4.266 GHz 휘발성 휘발성 96gbit 음주 1.5GX 64 평행한 -
MT29F1G08ABBEAH4-IT:E Micron Technology Inc. MT29F1G08ABBEAH4-IT : e -
RFQ
ECAD 5443 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA MT29F1G08 플래시 - NAND 1.7V ~ 1.95V 63-VFBGA (9x11) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 비 비 1gbit 플래시 128m x 8 평행한 -
MT51K256M32HF-60 N:B Micron Technology Inc. MT51K256M32HF-60 N : b -
RFQ
ECAD 9555 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 MT51K256 sgram -gddr5 1.3V ~ 1.545V - 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0071 1,260 1.5GHz 휘발성 휘발성 8gbit 숫양 256m x 32 평행한 -
JS28F00AP33TFA Micron Technology Inc. JS28F00AP33TFA -
RFQ
ECAD 9635 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) JS28F00AP33 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 56-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 576 40MHz 비 비 1gbit 105 ns 플래시 64m x 16 평행한 105ns
MT29F4G16ABADAH4-AAT:D Micron Technology Inc. MT29F4G16ABADAH4-AAT : d -
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ECAD 7476 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA MT29F4G16 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 63-VFBGA (9x11) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1,260 비 비 4gbit 플래시 256m x 16 평행한 -
MT48LC4M16A2P-6A AAT:J Micron Technology Inc. MT48LC4M16A2P-6A AAT : J. -
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ECAD 9088 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC4M16A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0002 1,000 167 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.4 ns 음주 4m x 16 평행한 12ns
MT29F256G08CMCGBJ4-37R:G Micron Technology Inc. MT29F256G08CMCGBJ4-37R : g -
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ECAD 7501 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 132-VBGA MT29F256G08 플래시 -Nand (MLC) 2.7V ~ 3.6V 132-VBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 267 MHz 비 비 256gbit 플래시 32g x 8 평행한 -
M29F800FT5AN6E2 Micron Technology Inc. M29F800FT5AN6E2 -
RFQ
ECAD 4206 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M29F800 플래시 - 아니오 4.5V ~ 5.5V 48-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 96 비 비 8mbit 55 ns 플래시 1m x 8, 512k x 16 평행한 55ns
MT49H16M36SJ-18:B TR Micron Technology Inc. MT49H16M36SJ-18 : B TR 53.2200
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ECAD 2627 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 144-TFBGA MT49H16M36 음주 1.7V ~ 1.9V 144-FBGA (18.5x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0028 1,000 533 MHz 휘발성 휘발성 576mbit 15 ns 음주 16m x 36 평행한 -
PC28F128P33B85D Micron Technology Inc. PC28F128P33B85D -
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ECAD 3275 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 64-TBGA PC28F128 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 64-EASYBGA (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 52MHz 비 비 128mbit 85 ns 플래시 8m x 16 평행한 85ns
MT49H8M36SJ-5:B Micron Technology Inc. MT49H8M36SJ-5 : b -
RFQ
ECAD 1310 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 144-TFBGA MT49H8M36 음주 1.7V ~ 1.9V 144-FBGA (18.5x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0028 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 288mbit 20 ns 음주 8m x 36 평행한 -
MT53B512M64D4NW-062 WT:D Micron Technology Inc. MT53B512M64D4NW-062 WT : d -
RFQ
ECAD 7440 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - MT53B512 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1,190 1.6GHz 휘발성 휘발성 32gbit 음주 512m x 64 - -
MT29F4G08ABAEAH4-S:E Micron Technology Inc. MT29F4G08ABAEAH4-S : e -
RFQ
ECAD 7765 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA MT29F4G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 63-VFBGA (9x11) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 비 비 4gbit 플래시 512m x 8 평행한 -
MT53D512M64D4RQ-053 WT:E Micron Technology Inc. MT53D512M64D4RQ-053 WT : e 49.0500
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ECAD 8896 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 556-WFBGA MT53D512 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 556-WFBGA (12.4x12.4) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,360 1.866 GHz 휘발성 휘발성 32gbit 음주 512m x 64 - -
MT29F64G08AMCBBH2-12:B TR Micron Technology Inc. MT29F64G08AMCBBH2-12 : B TR -
RFQ
ECAD 2084 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-tbga MT29F64G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 100-TBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83MHz 비 비 64gbit 플래시 8g x 8 평행한 -
MT29F384G08EBCBBJ4-37ES:B TR Micron Technology Inc. MT29F384G08EBCBBJ4-37ES : B TR -
RFQ
ECAD 7722 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 132-VBGA MT29F384G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 132-VBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 267 MHz 비 비 384gbit 플래시 48g x 8 평행한 -
MT29F8G16ABACAWP-IT:C Micron Technology Inc. MT29F8G16ABACAWP-IT : c -
RFQ
ECAD 6494 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F8G16 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 960 비 비 8gbit 플래시 512m x 16 평행한 -
MT41J256M8DA-125:K Micron Technology Inc. MT41J256M8DA-125 : k -
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ECAD 3654 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT41J256M8 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 78-FBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,440 800MHz 휘발성 휘발성 2gbit 13.75 ns 음주 256m x 8 평행한 -
MT29F256G08EBHBFJ4-3ITF:B TR Micron Technology Inc. MT29F256G08EBHBFJ4-3ITF : B TR 8.1600
RFQ
ECAD 9544 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 132-VBGA MT29F256G08 플래시 -Nand (TLC) 2.5V ~ 3.6V 132-VBGA (12x18) - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 557-MT29F256G08EBHBFJ4-3ITF : BTR 2,000 333 MHz 비 비 256gbit 플래시 32g x 8 평행한 - 확인되지 확인되지
MT29F1G08ABAEAH4-AITX:E Micron Technology Inc. MT29F1G08ABAEAH4-AITX : e -
RFQ
ECAD 4884 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA MT29F1G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 63-VFBGA (9x11) 다운로드 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 비 비 1gbit 플래시 128m x 8 평행한 -
MT53D1536M32D6BE-053 WT ES:D Micron Technology Inc. MT53D1536M32D6BE-053 WT ES : d -
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ECAD 3367 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - MT53D1536 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - - 1 (무제한) 귀 99 8542.32.0036 1,360 1.866 GHz 휘발성 휘발성 48gbit 음주 1.5GX 32 - -
MT29F64G08CBCABH1-12Z:A Micron Technology Inc. MT29F64G08CBCABH1-12Z : a -
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ECAD 7881 0.00000000 Micron Technology Inc. - 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-VBGA MT29F64G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 100-VBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83MHz 비 비 64gbit 플래시 8g x 8 평행한 -
MT40A1G8WE-075E AIT:B Micron Technology Inc. MT40A1G8WE-075E AIT : b -
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ECAD 4774 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT40A1G8 sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (8x12) 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,140 1.33 GHz 휘발성 휘발성 8gbit 음주 1g x 8 평행한 -
MT53E256M32D2DS-046 AIT:B TR Micron Technology Inc. MT53E256M32D2DS-046 AIT : B TR 14.0850
RFQ
ECAD 4491 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 200-WFBGA MT53E256 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 MT53E256M3DS-046AIT : BTR 귀 99 8542.32.0036 2,000 2.133 GHz 휘발성 휘발성 8gbit 음주 256m x 32 - -
MT48LC4M32B2B5-6A IT:L Micron Technology Inc. MT48LC4M32B2B5-6A IT : l -
RFQ
ECAD 6423 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-VFBGA MT48LC4M32B2 sdram 3V ~ 3.6V 90-VFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,440 167 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 4m x 32 평행한 12ns
MT53E512M64D2NW-046 IT:B Micron Technology Inc. MT53E512M64D2NW-046 IT : b -
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ECAD 8123 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 표면 표면 432-VFBGA MT53E512 432-VFBGA (15x15) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 557-MT53E512M64D2NW-046IT : b 1,360
MTFC32GJWEF-4M AIT Z TR Micron Technology Inc. MTFC32GJWEF-4M AIT Z TR -
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ECAD 2954 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 169-TFBGA MTFC32G 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 169-TFBGA (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 256gbit 플래시 32g x 8 MMC -
MT29F512G08CUCABH3-10ITZ:A Micron Technology Inc. MT29F512G08CUCABH3-10ITZ : a -
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ECAD 5879 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lbga MT29F512G08 플래시 -Nand (MLC) 2.7V ~ 3.6V 100-lbga (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 100MHz 비 비 512gbit 플래시 64g x 8 평행한 -
PC28F512M29EWHF Micron Technology Inc. PC28F512M29ewhf -
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ECAD 1723 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-lbga PC28F512 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-FBGA (11x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 184 비 비 512mbit 100 ns 플래시 64m x 8, 32m x 16 평행한 100ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고