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영상 | 제품 번호 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 가능한 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 상태 | 작동 온도 | 장착 유형 | 패키지 / 케이스 | 기본 제품 번호 | 기술 | 전압 - 공급 | 공급 업체 장치 패키지 | 데이터 시트 | ROHS 상태 | 수분 감도 수준 (MSL) | 상태에 도달하십시오 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 표준 패키지 | 시계 주파수 | 메모리 유형 | 메모리 크기 | 액세스 시간 | 메모리 형식 | 메모리 조직 | 메모리 인터페이스 | 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지 |
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MT29F2G01ABAGD12-IT : G TR | - | ![]() | 5973 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & 릴 (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 마운트 | 24-TBGA | MT29F2G01 | 플래시 - NAND | 2.7V ~ 3.6V | 24-T-PBGA (6x8) | - | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 않습니다 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 83MHz | 비 휘발성 | 2gbit | 플래시 | 2G x 1 | SPI | - | ||||
![]() | MT29F4G08ABAFAH4-IATES : F TR | - | ![]() | 5380 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & 릴 (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 마운트 | 63-VFBGA | MT29F4G08 | 플래시 - NAND | 2.7V ~ 3.6V | 63-VFBGA (9x11) | - | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 않습니다 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 비 휘발성 | 4gbit | 플래시 | 512m x 8 | 평행한 | - | ||||
![]() | MT44K32M36RB-083F : A TR | - | ![]() | 8787 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & 릴 (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 마운트 | 168-TBGA | MT44K32M36 | rldram 3 | 1.28V ~ 1.42V | 168-BGA (13.5x13.5) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 않습니다 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 1.2GHz | 휘발성 물질 | 1.125gbit | 6.67 ns | 음주 | 32m x 36 | 평행한 | - | ||
![]() | MT44K64M18RB-083F : A TR | - | ![]() | 5923 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & 릴 (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 마운트 | 168-TBGA | MT44K64M18 | rldram 3 | 1.28V ~ 1.42V | 168-BGA (13.5x13.5) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 않습니다 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 1.2GHz | 휘발성 물질 | 1.125gbit | 6.67 ns | 음주 | 64m x 18 | 평행한 | - | ||
![]() | MT46H1DAMA-DC TR | - | ![]() | 6391 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & 릴 (TR) | 활동적인 | MT46H1D | - | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 않습니다 | 0000.00.0000 | 1,000 | |||||||||||||||||
![]() | MT53B128M32D1DS-062 AAT : A TR | - | ![]() | 1216 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & 릴 (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | 표면 마운트 | 200-WFBGA | MT53B128 | SDRAM- 모바일 LPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 않습니다 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.6GHz | 휘발성 물질 | 4gbit | 음주 | 128m x 32 | - | - | |||
![]() | MT53B128M32D1DS-062 AUT : A TR | - | ![]() | 9486 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & 릴 (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | 표면 마운트 | 200-WFBGA | MT53B128 | SDRAM- 모바일 LPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 않습니다 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.6GHz | 휘발성 물질 | 4gbit | 음주 | 128m x 32 | - | - | |||
![]() | MT53B384M32D2DS-062 AAT : B TR | - | ![]() | 4341 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & 릴 (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | 표면 마운트 | 200-WFBGA | MT53B384 | SDRAM- 모바일 LPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 않습니다 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.6GHz | 휘발성 물질 | 12gbit | 음주 | 384m x 32 | - | - | |||
![]() | MT53B384M32D2DS-062 AUT : B TR | - | ![]() | 8189 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & 릴 (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | 표면 마운트 | 200-WFBGA | MT53B384 | SDRAM- 모바일 LPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 않습니다 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.6GHz | 휘발성 물질 | 12gbit | 음주 | 384m x 32 | - | - | |||
![]() | MT53D4DAKA-DC TR | - | ![]() | 1203 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & 릴 (TR) | SIC에서 중단되었습니다 | - | - | MT53D4 | SDRAM- 모바일 LPDDR4 | - | - | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 않습니다 | 0000.00.0000 | 2,000 | 휘발성 물질 | 음주 | |||||||||||
MT53D512M64D4NW-046 WT : D TR | - | ![]() | 8814 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & 릴 (TR) | 활동적인 | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 마운트 | 432-VFBGA | MT53D512 | SDRAM- 모바일 LPDDR4 | 1.1V | 432-VFBGA (15x15) | - | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 않습니다 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 2.133 GHz | 휘발성 물질 | 32gbit | 음주 | 512m x 64 | - | - | ||||
![]() | MTFC32GAKAEDQ-AAT TR | - | ![]() | 9738 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | 테이프 & 릴 (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 마운트 | 100-lbga | MTFC32G | 플래시 - NAND | - | 100-lbga (14x18) | - | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 않습니다 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 비 휘발성 | 256gbit | 플래시 | 32g x 8 | MMC | - | ||||
![]() | EMB8132B4PM-DV-FD | - | ![]() | 3325 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | EMB8132 | - | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 않습니다 | 0000.00.0000 | 1,680 | |||||||||||||||||
![]() | MT53B384M32D2NP-062 XT : b | - | ![]() | 9454 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -30 ° C ~ 105 ° C (TC) | 표면 마운트 | 200-WFBGA | MT53B384 | SDRAM- 모바일 LPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 않습니다 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1,360 | 1.6GHz | 휘발성 물질 | 12gbit | 음주 | 384m x 32 | - | - | |||
![]() | mtfc8gamalbh-aat | 11.1750 | ![]() | 5264 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 마운트 | 153-TFBGA | MTFC8 | 플래시 - NAND | - | 153-TFBGA (11.5x13) | - | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 않습니다 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,520 | 비 휘발성 | 64gbit | 플래시 | 8g x 8 | MMC | - | ||||
MT35XU256ABA2G12-0AAT TR | - | ![]() | 9426 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | XCCELA ™ -MT35X | 테이프 & 릴 (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | 표면 마운트 | 24-TBGA | MT35XU256 | 플래시 - NO | 1.7V ~ 2V | 24-T-PBGA (6x8) | - | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 않습니다 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 200MHz | 비 휘발성 | 256mbit | 플래시 | 32m x 8 | XCCELA 버스 | - | ||||
![]() | MT53D512M64D8TZ-053 WT ES : B TR | - | ![]() | 4008 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & 릴 (TR) | 활동적인 | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - | - | MT53D512 | SDRAM- 모바일 LPDDR4 | 1.1V | - | - | 3 (168 시간) | 영향을받지 않습니다 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 1.866 GHz | 휘발성 물질 | 32gbit | 음주 | 512m x 64 | - | - | ||||
![]() | MTFC32GAKAEJP-5M AIT TR | - | ![]() | 5747 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | 테이프 & 릴 (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 마운트 | 153-VFBGA | MTFC32G | 플래시 - NAND | - | 153-VFBGA (11.5x13) | - | 3 (168 시간) | 영향을받지 않습니다 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 비 휘발성 | 256gbit | 플래시 | 32g x 8 | MMC | - | |||||
![]() | MTFC16Gakaecn-ait | - | ![]() | 1987 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 마운트 | 153-VFBGA | MTFC16 | 플래시 - NAND | 1.7V ~ 1.9V | 153-VFBGA (11.5x13) | - | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1,520 | 비 휘발성 | 128gbit | 플래시 | 16g x 8 | MMC | - | |||||
MT29F4G08ABADAWP-IT : D TR | 6.6000 | ![]() | 202 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & 릴 (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 마운트 | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) | MT29F4G08 | 플래시 - NAND | 2.7V ~ 3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 않습니다 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 비 휘발성 | 4gbit | 플래시 | 512m x 8 | 평행한 | - | |||||
MT46H4M32LFB5-6 IT : k | - | ![]() | 6664 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | SIC에서 중단되었습니다 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 마운트 | 90-VFBGA | MT46H4M32 | SDRAM- 모바일 LPDDR | 1.7V ~ 1.95V | 90-VFBGA (8x13) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 않습니다 | 귀 99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 166 MHz | 휘발성 물질 | 128mbit | 5 ns | 음주 | 4m x 32 | 평행한 | 15ns | |||
MT47H128M8CF-3 IT : h | - | ![]() | 8073 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 마운트 | 60-TFBGA | MT47H128M8 | SDRAM -DDR2 | 1.7V ~ 1.9V | 60-FBGA (8x10) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 않습니다 | 귀 99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 333 MHz | 휘발성 물질 | 1gbit | 450 ps | 음주 | 128m x 8 | 평행한 | 15ns | |||
![]() | MT47H512M8WTR-3 : c | - | ![]() | 4970 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 마운트 | 63-TFBGA | MT47H512M8 | SDRAM -DDR2 | 1.7V ~ 1.9V | 63-FBGA (9x11.5) | - | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 않습니다 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 333 MHz | 휘발성 물질 | 4gbit | 450 ps | 음주 | 512m x 8 | 평행한 | 15ns | ||
MT47H64M8JN-25E : g | - | ![]() | 2160 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 대부분 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 마운트 | 60-TFBGA | MT47H64M8 | SDRAM -DDR2 | 1.7V ~ 1.9V | 60-FBGA (8x10) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 귀 99 | 8542.32.0028 | 1,000 | 400MHz | 휘발성 물질 | 512mbit | 400 PS | 음주 | 64m x 8 | 평행한 | 15ns | ||||
![]() | MT29F64G08AECABH1-10 : a | - | ![]() | 6654 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 마운트 | 100-VBGA | MT29F64G08 | 플래시 - NAND | 2.7V ~ 3.6V | 100-VBGA (12x18) | - | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 100MHz | 비 휘발성 | 64gbit | 플래시 | 8g x 8 | 평행한 | - | ||||
MT46H4M32LFB5-6 AT : K TR | - | ![]() | 5356 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & 릴 (TR) | SIC에서 중단되었습니다 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 마운트 | 90-VFBGA | MT46H4M32 | SDRAM- 모바일 LPDDR | 1.7V ~ 1.95V | 90-VFBGA (8x13) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 않습니다 | 귀 99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 166 MHz | 휘발성 물질 | 128mbit | 5 ns | 음주 | 4m x 32 | 평행한 | 15ns | |||
![]() | MT45W2MW16BGB-701 IT TR | - | ![]() | 1680 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & 릴 (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 마운트 | 54-VFBGA | MT45W2MW16 | PSRAM (의사 SRAM) | 1.7V ~ 1.95V | 54-VFBGA (6x8) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 않습니다 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 휘발성 물질 | 32mbit | 70 ns | psram | 2m x 16 | 평행한 | 70ns | |||
MT40A512M8SA-062E AAT : f | 15.5100 | ![]() | 8010 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | 표면 마운트 | 78-TFBGA | MT40A512M8 | SDRAM -DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | 78-FBGA (7.5x11) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 않습니다 | MT40A512M8SA-062EAAT : f | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1,260 | 1.6GHz | 휘발성 물질 | 4gbit | 19 ns | 음주 | 512m x 8 | 평행한 | 15ns | ||
MT40A512M8SA-062E AUT : F TR | 19.1100 | ![]() | 8924 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & 릴 (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | 표면 마운트 | 78-TFBGA | MT40A512M8 | SDRAM -DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | 78-FBGA (7.5x11) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 않습니다 | MT40A512M8SA-062EAUT : FTR | 귀 99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.6GHz | 휘발성 물질 | 4gbit | 19 ns | 음주 | 512m x 8 | 평행한 | 15ns | ||
![]() | MT40A1G16RC-062E : b | - | ![]() | 8406 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 마운트 | 96-TFBGA | MT40A1G16 | SDRAM -DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | 96-FBGA (10x13) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1,360 | 1.6GHz | 휘발성 물질 | 16gbit | 19 ns | 음주 | 1g x 16 | 평행한 | 15ns |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
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