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MT48V8M32LFF5-10 IT TR Micron Technology Inc. MT48V8M32LFF5-10 IT TR -
RFQ
ECAD 5865 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-VFBGA MT48V8M32 sdram- 모바일 lpsdr 2.3V ~ 2.7V 90-VFBGA (8x13) - rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 100MHz 휘발성 휘발성 256mbit 7 ns 음주 8m x 32 평행한 15ns
MT29F4G08ABADAWP-E:D Micron Technology Inc. mt29f4g08abadawp-e : d -
RFQ
ECAD 1844 0.00000000 Micron Technology Inc. - 튜브 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F4G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 960 비 비 4gbit 플래시 512m x 8 평행한 -
M25PE80-VMW6TG TR Micron Technology Inc. M25PE80-VMW6TG TR -
RFQ
ECAD 1118 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) M25PE80 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8- w 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,500 75MHz 비 비 8mbit 플래시 1m x 8 SPI 15ms, 3ms
MT46H32M32LFCG-6 IT:A TR Micron Technology Inc. MT46H32M32LFCG-6 IT : A TR -
RFQ
ECAD 5051 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 152-VFBGA MT46H32M32 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 152-VFBGA (14x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,000 166 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 5 ns 음주 32m x 32 평행한 15ns
PC28F640P33B85B TR Micron Technology Inc. PC28F640P33B85B TR -
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ECAD 7552 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 64-TBGA PC28F640 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 64-ESYBGA (10x13) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 52MHz 비 비 64mbit 85 ns 플래시 4m x 16 평행한 85ns
MT46H16M32LFBQ-5 AAT:C Micron Technology Inc. MT46H16M32LFBQ-5 AAT : c 5.2052
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ECAD 3083 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 90-VFBGA MT46H16M32 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 90-VFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,440 200MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5 ns 음주 16m x 32 평행한 15ns
MT45W4MW16PFA-70 IT TR Micron Technology Inc. MT45W4MW16PFA-70 IT TR -
RFQ
ECAD 9248 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 48-VFBGA MT45W4MW16 psram (의사 sram) 1.7V ~ 1.95V 48-VFBGA (6x8) 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 휘발성 휘발성 64mbit 70 ns psram 4m x 16 평행한 70ns
MT47H64M8SH-25E AIT:H Micron Technology Inc. MT47H64M8SH-25E AIT : h -
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ECAD 9682 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 60-TFBGA MT47H64M8 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 60-FBGA (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 1,518 400MHz 휘발성 휘발성 512mbit 400 PS 음주 64m x 8 평행한 15ns
JR28F064M29EWTB TR Micron Technology Inc. jr28f064m29ewtb tr -
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ECAD 8466 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) JR28F064M29 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 비 비 64mbit 70 ns 플래시 8m x 8, 4m x 16 평행한 70ns
MT62F2G64D8EK-026 WT:B TR Micron Technology Inc. MT62F2G64D8EK-026 WT : B TR 90.4650
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ECAD 9963 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -25 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 441-TFBGA sdram- 모바일 lpddr5 1.05V 441-TFBGA (14x14) - 557-MT62F2G64D8EK-026WT : BTR 2,000 3.2GHz 휘발성 휘발성 128gbit 음주 2G X 64 평행한 -
MT58L256L32PT-10 Micron Technology Inc. MT58L256L32PT-10 8.9300
RFQ
ECAD 85 0.00000000 Micron Technology Inc. SyncBurst ™ 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp sram- 표준 3.135V ~ 3.6V 100-TQFP (14x20.1) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 3A991B2A 8542.32.0041 1 100MHz 휘발성 휘발성 8mbit 5 ns SRAM 256k x 32 평행한 -
MT53D768M64D8SQ-053 WT ES:E Micron Technology Inc. MT53D768M64D8SQ-053 WT ES : e -
RFQ
ECAD 9130 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 556-VFBGA MT53D768 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 556-VFBGA (12.4x12.4) - 1 (무제한) 귀 99 8542.32.0036 1,360 1.866 GHz 휘발성 휘발성 48gbit 음주 768m x 64 - -
MT29C1G12MAACAEAMD-6 IT TR Micron Technology Inc. MT29C1G12MAACAEAMD-6 IT TR -
RFQ
ECAD 8902 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 130-VFBGA MT29C1G12 플래시 -Nand, n lpdram 1.7V ~ 1.95V 130-VFBGA (8x9) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 166 MHz 비 비, 휘발성 1GBIT (NAND), 512MBIT (LPDRAM) 플래시, 램 128m x 8 (NAND), 32m x 16 (lpdram) 평행한 -
MT53D384M16D1NY-046 XT ES:D Micron Technology Inc. MT53D384M16D1NY-046 XT ES : d -
RFQ
ECAD 4671 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 -30 ° C ~ 105 ° C (TC) MT53D384 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 1,190 2.133 GHz 휘발성 휘발성 6gbit 음주 384m x 16 - -
EDB8164B4PT-1D-F-R TR Micron Technology Inc. EDB8164B4PT-1D-FR TR -
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ECAD 6576 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 216-WFBGA EDB8164 sdram- 모바일 lpddr2 1.14V ~ 1.95V 216-FBGA (12x12) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 533 MHz 휘발성 휘발성 8gbit 음주 128m x 64 평행한 -
MT49H8M36BM-5:B Micron Technology Inc. MT49H8M36BM-5 : b -
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ECAD 1534 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 144-TFBGA MT49H8M36 음주 1.7V ~ 1.9V 144-µBGA (18.5x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0028 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 288mbit 20 ns 음주 8m x 36 평행한 -
N25Q064A13EW94ME Micron Technology Inc. N25Q064A13EW94ME -
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ECAD 7726 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) - - N25Q064A13 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,920 108 MHz 비 비 64mbit 플래시 16m x 4 SPI 8ms, 5ms
MT53D1G64D8NZ-046 WT:E Micron Technology Inc. MT53D1G64D8NZ-046 WT : e 98.1150
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ECAD 1247 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 376-WFBGA MT53D1G64 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 376-WFBGA (14x14) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,190 2.133 GHz 휘발성 휘발성 64gbit 음주 1G X 64 - -
MT53E768M32D4DT-046 WT:E TR Micron Technology Inc. MT53E768M32D4DT-046 WT : E TR 21.4881
RFQ
ECAD 3216 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TC) 표면 표면 200-VFBGA MT53E768 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 200-VFBGA (10x14.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) MT53E768M32D4DT-046WT : ETR 귀 99 8542.32.0036 2,000 2.133 GHz 휘발성 휘발성 24gbit 음주 768m x 32 - -
MT29F1G16ABBEAHC-AIT:E TR Micron Technology Inc. MT29F1G16ABBEAHC-AIT : E TR -
RFQ
ECAD 1728 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA MT29F1G16 플래시 - NAND 1.7V ~ 1.95V 63-VFBGA (10.5x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 1gbit 플래시 64m x 16 평행한 -
MT25QL01GBBA8E12-1SIT TR Micron Technology Inc. MT25QL01GBBA8E12-1SIT TR -
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ECAD 4554 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA MT25QL01 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 24-T-PBGA (6x8) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 133 MHz 비 비 1gbit 플래시 128m x 8 SPI 8ms, 2.8ms
MT46H4M32LFB5-5:K Micron Technology Inc. MT46H4M32LFB5-5 : k -
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ECAD 2464 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 90-VFBGA MT46H4M32 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 90-VFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5 ns 음주 4m x 32 평행한 15ns
MT40A2G4TRF-083E:A Micron Technology Inc. MT40A2G4TRF-083E : a -
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ECAD 7516 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT40A2G4 sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (9.5x11.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0036 1,000 1.2GHz 휘발성 휘발성 8gbit 음주 2G X 4 평행한 -
MT48H8M32LFB5-75 AT:H Micron Technology Inc. MT48H8M32LFB5-75 AT : h -
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ECAD 6325 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 90-VFBGA MT48H8M32 sdram- 모바일 lpsdr 1.7V ~ 1.95V 90-VFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 8m x 32 평행한 15ns
MT53B256M32D1GZ-062 WT:B TR Micron Technology Inc. MT53B256M32D1GZ-062 WT : B TR -
RFQ
ECAD 5848 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 200-WFBGA MT53B256 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 200-WFBGA (11x14.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,000 1.6GHz 휘발성 휘발성 8gbit 음주 256m x 32 - -
M58LR256KB70ZC5F TR Micron Technology Inc. M58LR256KB70ZC5F TR -
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ECAD 5076 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -30 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 79-VFBGA M58LR256 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 79-VFBGA (9x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 66MHz 비 비 256mbit 70 ns 플래시 16m x 16 평행한 70ns
MT46V256M4TG-6T:A TR Micron Technology Inc. MT46V256M4TG-6T : A TR -
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ECAD 9169 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V256M4 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-tsop 다운로드 rohs 비준수 5 (48 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,000 167 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 700 PS 음주 256m x 4 평행한 15ns
MT48LC16M16A2B4-6A AAT:G TR Micron Technology Inc. MT48LC16M16A2B4-6A AAT : G TR -
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ECAD 1525 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 54-VFBGA MT48LC16M16A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-VFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 2,000 167 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 16m x 16 평행한 12ns
MT55L256L32PT-10IT Micron Technology Inc. MT55L256L32PT-10IT 9.9100
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ECAD 2 0.00000000 Micron Technology Inc. ZBT® 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp SRAM -ZBT 3.135V ~ 3.465V 100-TQFP (14x20.1) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 3A991B2A 8542.32.0041 1 100MHz 휘발성 휘발성 8mbit 5 ns SRAM 256k x 32 평행한 -
MT53B512M64D8HR-053 WT ES:B Micron Technology Inc. MT53B512M64D8HR-053 WT ES : b -
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ECAD 5506 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - MT53B512 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - - 1 (무제한) 귀 99 8542.32.0036 1,360 1.866 GHz 휘발성 휘발성 32gbit 음주 512m x 64 - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고