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![]() | MT46H32M32LFCG-6 IT : A TR | - | ![]() | 5051 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 152-VFBGA | MT46H32M32 | sdram- 모바일 lpddr | 1.7V ~ 1.95V | 152-VFBGA (14x14) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 166 MHz | 휘발성 휘발성 | 1gbit | 5 ns | 음주 | 32m x 32 | 평행한 | 15ns | ||
![]() | PC28F640P33B85B TR | - | ![]() | 7552 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 64-TBGA | PC28F640 | 플래시 - 아니오 | 2.3V ~ 3.6V | 64-ESYBGA (10x13) | 다운로드 | rohs 비준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 52MHz | 비 비 | 64mbit | 85 ns | 플래시 | 4m x 16 | 평행한 | 85ns | ||
MT46H16M32LFBQ-5 AAT : c | 5.2052 | ![]() | 3083 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 90-VFBGA | MT46H16M32 | sdram- 모바일 lpddr | 1.7V ~ 1.95V | 90-VFBGA (8x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1,440 | 200MHz | 휘발성 휘발성 | 512mbit | 5 ns | 음주 | 16m x 32 | 평행한 | 15ns | |||
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MT47H64M8SH-25E AIT : h | - | ![]() | 9682 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 60-TFBGA | MT47H64M8 | sdram -ddr2 | 1.7V ~ 1.9V | 60-FBGA (8x10) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0028 | 1,518 | 400MHz | 휘발성 휘발성 | 512mbit | 400 PS | 음주 | 64m x 8 | 평행한 | 15ns | |||
![]() | jr28f064m29ewtb tr | - | ![]() | 8466 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) | JR28F064M29 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 48-tsop i | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 비 비 | 64mbit | 70 ns | 플래시 | 8m x 8, 4m x 16 | 평행한 | 70ns | |||
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![]() | MT58L256L32PT-10 | 8.9300 | ![]() | 85 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | SyncBurst ™ | 대부분 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 100-lqfp | sram- 표준 | 3.135V ~ 3.6V | 100-TQFP (14x20.1) | 다운로드 | rohs 비준수 | 3 (168 시간) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100MHz | 휘발성 휘발성 | 8mbit | 5 ns | SRAM | 256k x 32 | 평행한 | - | |||
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MT29C1G12MAACAEAMD-6 IT TR | - | ![]() | 8902 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 130-VFBGA | MT29C1G12 | 플래시 -Nand, n lpdram | 1.7V ~ 1.95V | 130-VFBGA (8x9) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 166 MHz | 비 비, 휘발성 | 1GBIT (NAND), 512MBIT (LPDRAM) | 플래시, 램 | 128m x 8 (NAND), 32m x 16 (lpdram) | 평행한 | - | ||||
![]() | MT53D384M16D1NY-046 XT ES : d | - | ![]() | 4671 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 대부분 | 쓸모없는 | -30 ° C ~ 105 ° C (TC) | MT53D384 | sdram- 모바일 lpddr4 | 1.1V | - | 1 (무제한) | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1,190 | 2.133 GHz | 휘발성 휘발성 | 6gbit | 음주 | 384m x 16 | - | - | ||||||||
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![]() | MT49H8M36BM-5 : b | - | ![]() | 1534 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | sic에서 중단되었습니다 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 144-TFBGA | MT49H8M36 | 음주 | 1.7V ~ 1.9V | 144-µBGA (18.5x11) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0028 | 1,000 | 200MHz | 휘발성 휘발성 | 288mbit | 20 ns | 음주 | 8m x 36 | 평행한 | - | ||
![]() | N25Q064A13EW94ME | - | ![]() | 7726 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | - | - | N25Q064A13 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | - | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,920 | 108 MHz | 비 비 | 64mbit | 플래시 | 16m x 4 | SPI | 8ms, 5ms | |||
MT53D1G64D8NZ-046 WT : e | 98.1150 | ![]() | 1247 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 376-WFBGA | MT53D1G64 | sdram- 모바일 lpddr4 | 1.1V | 376-WFBGA (14x14) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1,190 | 2.133 GHz | 휘발성 휘발성 | 64gbit | 음주 | 1G X 64 | - | - | ||||
![]() | MT53E768M32D4DT-046 WT : E TR | 21.4881 | ![]() | 3216 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | 표면 표면 | 200-VFBGA | MT53E768 | sdram- 모바일 lpddr4 | 1.1V | 200-VFBGA (10x14.5) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | MT53E768M32D4DT-046WT : ETR | 귀 99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 2.133 GHz | 휘발성 휘발성 | 24gbit | 음주 | 768m x 32 | - | - | |||
![]() | MT29F1G16ABBEAHC-AIT : E TR | - | ![]() | 1728 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 63-VFBGA | MT29F1G16 | 플래시 - NAND | 1.7V ~ 1.95V | 63-VFBGA (10.5x13) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 비 비 | 1gbit | 플래시 | 64m x 16 | 평행한 | - | ||||
MT25QL01GBBA8E12-1SIT TR | - | ![]() | 4554 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 24-TBGA | MT25QL01 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 24-T-PBGA (6x8) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 133 MHz | 비 비 | 1gbit | 플래시 | 128m x 8 | SPI | 8ms, 2.8ms | |||||
MT46H4M32LFB5-5 : k | - | ![]() | 2464 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | sic에서 중단되었습니다 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 90-VFBGA | MT46H4M32 | sdram- 모바일 lpddr | 1.7V ~ 1.95V | 90-VFBGA (8x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 200MHz | 휘발성 휘발성 | 128mbit | 5 ns | 음주 | 4m x 32 | 평행한 | 15ns | |||
![]() | MT40A2G4TRF-083E : a | - | ![]() | 7516 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 78-TFBGA | MT40A2G4 | sdram -ddr4 | 1.14V ~ 1.26V | 78-FBGA (9.5x11.5) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 1.2GHz | 휘발성 휘발성 | 8gbit | 음주 | 2G X 4 | 평행한 | - | ||||
MT48H8M32LFB5-75 AT : h | - | ![]() | 6325 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 90-VFBGA | MT48H8M32 | sdram- 모바일 lpsdr | 1.7V ~ 1.95V | 90-VFBGA (8x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | 휘발성 휘발성 | 256mbit | 5.4 ns | 음주 | 8m x 32 | 평행한 | 15ns | |||
![]() | MT53B256M32D1GZ-062 WT : B TR | - | ![]() | 5848 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 200-WFBGA | MT53B256 | sdram- 모바일 lpddr4 | 1.1V | 200-WFBGA (11x14.5) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1,000 | 1.6GHz | 휘발성 휘발성 | 8gbit | 음주 | 256m x 32 | - | - | ||||
![]() | M58LR256KB70ZC5F TR | - | ![]() | 5076 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -30 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 79-VFBGA | M58LR256 | 플래시 - 아니오 | 1.7V ~ 2V | 79-VFBGA (9x11) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 66MHz | 비 비 | 256mbit | 70 ns | 플래시 | 16m x 16 | 평행한 | 70ns | ||
![]() | MT46V256M4TG-6T : A TR | - | ![]() | 9169 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) | MT46V256M4 | sdram -ddr | 2.3V ~ 2.7V | 66-tsop | 다운로드 | rohs 비준수 | 5 (48 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 167 MHz | 휘발성 휘발성 | 1gbit | 700 PS | 음주 | 256m x 4 | 평행한 | 15ns | ||
MT48LC16M16A2B4-6A AAT : G TR | - | ![]() | 1525 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 54-VFBGA | MT48LC16M16A2 | sdram | 3V ~ 3.6V | 54-VFBGA (8x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0024 | 2,000 | 167 MHz | 휘발성 휘발성 | 256mbit | 5.4 ns | 음주 | 16m x 16 | 평행한 | 12ns | |||
![]() | MT55L256L32PT-10IT | 9.9100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | ZBT® | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 100-lqfp | SRAM -ZBT | 3.135V ~ 3.465V | 100-TQFP (14x20.1) | 다운로드 | rohs 비준수 | 3 (168 시간) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100MHz | 휘발성 휘발성 | 8mbit | 5 ns | SRAM | 256k x 32 | 평행한 | - | |||
![]() | MT53B512M64D8HR-053 WT ES : b | - | ![]() | 5506 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - | - | MT53B512 | sdram- 모바일 lpddr4 | 1.1V | - | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1,360 | 1.866 GHz | 휘발성 휘발성 | 32gbit | 음주 | 512m x 64 | - | - |
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