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통합 통합 (ICS) (10403)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
MT53D1G64D8SQ-053 WT:E TR Micron Technology Inc. MT53D1G64D8SQ-053 WT : E TR -
RFQ
 ECAD 9505 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 556-VFBGA MT53D1G64 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 556-VFBGA (12.4x12.4) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 1.866 GHz 휘발성 휘발성 64gbit 음주 1G X 64 - -
MT48H16M32LFCM-75 IT:B TR Micron Technology Inc. MT48H16M32LFCM-75 IT : B TR -
RFQ
 ECAD 9457 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-VFBGA MT48H16M32 sdram- 모바일 lpsdr 1.7V ~ 1.95V 90-VFBGA (10x13) 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5.4 ns 음주 16m x 32 평행한 15ns
RC28F256J3F95G Micron Technology Inc. RC28F256J3F95G -
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 ECAD 7222 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-TBGA RC28F256 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-ESYBGA (10x13) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 864 비 비 256mbit 95 ns 플래시 32m x 8, 16m x 16 평행한 95ns
MT29C2G24MAABAKAML-5 E IT Micron Technology Inc. MT29C2G24MAABAKAML-5 e -
RFQ
 ECAD 6427 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 153-VFBGA MT29C2G24 플래시 -Nand, n lpdram 1.7V ~ 1.95V 153-VFBGA - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1 200MHz 비 비, 휘발성 2GBIT (NAND), 1GBIT (LPDRAM) 플래시, 램 128m x 16 (NAND), 32m x 32 (lpdram) 평행한 -
MT29GZ6A6BPIET-53AIT.112 TR Micron Technology Inc. MT29GZ6A6BPIET-53AIT.112 TR 18.3750
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 ECAD 6366 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 149-VFBGA 플래시 -Nand (SLC), DRAM -LPDDR4 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V 149-VFBGA (8x9.5) - 557-MT29GZ6A6BPIET-53AIT.112TR 2,000 비 비, 휘발성 8gbit 25 ns 플래시, 램 1g x 8 onfi 30ns
N25Q064A13EW7D0E Micron Technology Inc. N25Q064A13EW7D0E -
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 ECAD 5012 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 N25Q064A13 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-wpdfn (6x5) (MLP8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 2,940 108 MHz 비 비 64mbit 플래시 16m x 4 SPI 8ms, 5ms
MT53B384M64D4EZ-062 WT ES:A TR Micron Technology Inc. MT53B384M64D4EZ-062 WT ES : A TR -
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 ECAD 7269 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - MT53B384 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,000 1.6GHz 휘발성 휘발성 24gbit 음주 384m x 64 - -
MT41K1G16DGA-125:A Micron Technology Inc. MT41K1G16DGA-125 : a -
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 ECAD 2317 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT41K1G16 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (9.5x14) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,020 800MHz 휘발성 휘발성 16gbit 13.75 ns 음주 1g x 16 평행한 -
M29W320ET70ZS6F TR Micron Technology Inc. M29W320ET70ZS6F TR -
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 ECAD 2267 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-lbga M29W320 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-FBGA (11x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 비 비 32mbit 70 ns 플래시 4m x 8, 2m x 16 평행한 70ns
MT29VZZZ7D7DQKWL-062 W.97Y TR Micron Technology Inc. MT29VZZZ7D7DQKWL-062 W.97Y TR -
RFQ
 ECAD 9235 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 MT29VZZZ7 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1,000
MT29F64G08AECDBJ4-6IT:D TR Micron Technology Inc. MT29F64G08AECDBJ4-6IT : D TR -
RFQ
 ECAD 9363 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 132-VBGA MT29F64G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 132-VBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 166 MHz 비 비 64gbit 플래시 8g x 8 평행한 -
MT29C4G48MAYBBAMR-48 IT TR Micron Technology Inc. MT29C4G48MAYBBAMR-48 IT TR 11.8650
RFQ
 ECAD 7359 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 130-VFBGA MT29C4G48 플래시 -Nand, n lpdram 1.7V ~ 1.95V 130-VFBGA (8x9) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 208 MHz 비 비, 휘발성 4GBIT (NAND), 2GBIT (LPDRAM) 플래시, 램 512m x 8 (NAND), 64m x 32 (lpdram) 평행한 -
MT48LC16M8A2FB-7E:G Micron Technology Inc. MT48LC16M8A2FB-7E : g -
RFQ
 ECAD 7024 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 60-FBGA MT48LC16M8A2 sdram 3V ~ 3.6V 60-FBGA (8x16) 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 16m x 8 평행한 14ns
MT4A1G16KNR-75:E Micron Technology Inc. MT4A1G16KNR-75 : e -
RFQ
 ECAD 8411 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 MT4A1 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 1,020
MTFC8GACAEDQ-K1 AIT TR Micron Technology Inc. MTFC8GACAEDQ-K1 AIT TR -
RFQ
 ECAD 4362 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lbga MTFC8 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 100-lbga (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 64gbit 플래시 8g x 8 MMC -
PZ28F064M29EWTA Micron Technology Inc. PZ28F064M29ewta -
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 ECAD 1538 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-VFBGA PZ28F064M29 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 48-BGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 비 비 64mbit 60 ns 플래시 8m x 8, 4m x 16 평행한 60ns
MT41K2G4TRF-107:E Micron Technology Inc. MT41K2G4TRF-107 : e -
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 ECAD 2736 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT41K2G4 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (9.5x11.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0036 1,000 933 MHz 휘발성 휘발성 8gbit 20 ns 음주 2G X 4 평행한 -
MT29F2G08AACWP:C TR Micron Technology Inc. MT29F2G08AACWP : C Tr -
RFQ
 ECAD 2044 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F2G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 2gbit 플래시 256m x 8 평행한 -
MT29F128G08CBECBL95B3WC2 Micron Technology Inc. MT29F128G08CBECBL95B3WC2 -
RFQ
 ECAD 7394 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 주사위 MT29F128G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 주사위 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1 비 비 128gbit 플래시 16g x 8 평행한 -
MT46H128M32L2KQ-5 IT:B TR Micron Technology Inc. MT46H128M32L2KQ-5 IT : B TR -
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 ECAD 1976 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 168-WFBGA MT46H128M32 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 168-WFBGA (12x12) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0036 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 4gbit 5 ns 음주 128m x 32 평행한 15ns
MT29F128G08CBCEBRT-37BES:E Micron Technology Inc. MT29F128G08CBCEBRT-37BES : e -
RFQ
 ECAD 4231 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) - - MT29F128G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 8542.32.0071 1,520 267 MHz 비 비 128gbit 플래시 16g x 8 평행한 -
MT49H32M18CSJ-18:B TR Micron Technology Inc. MT49H32M18CSJ-18 : B TR -
RFQ
 ECAD 3079 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 144-TFBGA MT49H32M18 음주 1.7V ~ 1.9V 144-FBGA (18.5x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0028 1,000 533 MHz 휘발성 휘발성 576mbit 15 ns 음주 32m x 18 평행한 -
MT29F128G08AUCBBH3-12IT:B Micron Technology Inc. MT29F128G08AUCBBH3-12IT : b -
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 ECAD 7384 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lbga MT29F128G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 100-lbga (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83MHz 비 비 128gbit 플래시 16g x 8 평행한 -
MT41K512M16VRP-107 AIT:P Micron Technology Inc. MT41K512M16VRP-107 AIT : p 16.7550
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 ECAD 7511 0.00000000 Micron Technology Inc. Twindie ™ 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT41K512M16 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (8x14) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 557-MT41K512M16VRP-107AIT : p 1,224 933 MHz 휘발성 휘발성 8gbit 20 ns 음주 512m x 16 평행한 15ns
MT46V32M4P-6T:D TR Micron Technology Inc. MT46V32M4P-6T : D TR -
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 ECAD 2358 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V32M4 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 167 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 700 PS 음주 32m x 4 평행한 15ns
MT29F512G08CECBBJ4-5M:B Micron Technology Inc. MT29F512G08CECBBJ4-5M : b -
RFQ
 ECAD 2319 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 132-VBGA MT29F512G08 플래시 -Nand (MLC) 2.7V ~ 3.6V 132-VBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 8542.32.0071 1,000 200MHz 비 비 512gbit 플래시 64g x 8 평행한 -
MT52L256M32D1PD-107 WT:B TR Micron Technology Inc. MT52L256M32D1PD-107 WT : B TR -
RFQ
 ECAD 3271 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - MT52L256 sdram- 모바일 lpddr3 1.2V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 933 MHz 휘발성 휘발성 8gbit 음주 256m x 32 - -
MT29F512G08CMCCBH7-6ITR:C TR Micron Technology Inc. MT29F512G08CMCCBH7-6ITR : C TR -
RFQ
 ECAD 1295 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 152-TBGA MT29F512G08 플래시 -Nand (MLC) 2.7V ~ 3.6V 152-TBGA (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 166 MHz 비 비 512gbit 플래시 64g x 8 평행한 -
MT29F8G01ADBFD12-ITES:F TR Micron Technology Inc. MT29F8G01ADBFD12- 사이트 : F TR -
RFQ
 ECAD 6583 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA MT29F8G01 플래시 -Nand (SLC) 1.7V ~ 1.95V 24-T-PBGA (6x8) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 비 비 8gbit 플래시 8g x 1 SPI -
M29W640GT90NA6E Micron Technology Inc. M29W640GT90NA6E -
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 ECAD 7546 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M29W640 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 96 비 비 64mbit 90 ns 플래시 8m x 8, 4m x 16 평행한 90ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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