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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	시계 시계	메모리 메모리	메모리 메모리	액세스 액세스	메모리 메모리	메모리 메모리	메모리 메모리	쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
EDB1332BDBH-1DAAT-FD	-	RFQ	4493	Micron Technology Inc.	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 105 ° C (TC)	표면 표면	134-VFBGA	EDB1332	sdram- 모바일 lpddr2	1.14V ~ 1.95V	134-VFBGA (10x11.5)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0032	2,100	533 MHz	휘발성 휘발성	1gbit		음주	32m x 32	평행한	-
MT29F2G16ABAGAWP-ait : G TR	2.5267	RFQ	3869	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	MT29F2G16	플래시 -Nand (SLC)	2.7V ~ 3.6V	48-tsop i	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	557-MT29F2G16ABAGAWP-AIAT : GTR		8542.32.0071	1,000		비 비	2gbit		플래시	128m x 16	평행한	-
PC28F256G18AE	-	RFQ	2450	Micron Technology Inc.	Strataflash ™	튜브	쓸모없는	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	64-TBGA	PC28F256	플래시 - 아니오	1.7V ~ 2V	64-EASYBGA (8x10)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)			3A991B1A	8542.32.0071	1,800	133 MHz	비 비	256mbit	96 ns	플래시	16m x 16	평행한	96ns
MT47H256M8EB-25E IT : C TR	-	RFQ	1732	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	60-TFBGA	MT47H256M8	sdram -ddr2	1.7V ~ 1.9V	60-FBGA (9x11.5)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	1,000	400MHz	휘발성 휘발성	2gbit	400 PS	음주	256m x 8	평행한	15ns
MT41J128MHA-15E AAT : d	-	RFQ	6704	Micron Technology Inc.	자동차, AEC-Q100	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 105 ° C (TC)	표면 표면	96-TFBGA	MT41J128M16	sdram -ddr3	1.425V ~ 1.575V	96-FBGA (9x14)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)			귀 99	8542.32.0036	1,000	667 MHz	휘발성 휘발성	2gbit	13.5 ns	음주	128m x 16	평행한	-
MT29F4G01ABBFDWB-IT : F TR	3.0165	RFQ	4177	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	8-udfn	MT29F4G01	플래시 -Nand (SLC)	1.7V ~ 1.95V	8-updfn (8x6) (mlp8)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	MT29F4G01ABBFDWB-IT : FTR		8542.32.0071	2,000	83MHz	비 비	4gbit		플래시	4g x 1	SPI	-
MTFC16GJVEC-2F WT	-	RFQ	7553	Micron Technology Inc.	E • MMC ™	대부분	쓸모없는	-25 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	-	MTFC16G	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	-	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			3A991B1A	8542.32.0071	1,000		비 비	128gbit		플래시	16g x 8	MMC	-
N25Q128A13E1441F TR	-	RFQ	2406	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	24-TBGA	N25Q128A13	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	24-BGA (6x8)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	2,500	108 MHz	비 비	128mbit		플래시	32m x 4	SPI	8ms, 5ms
MT58L256V36PT-7.5	8.9300	RFQ	1	Micron Technology Inc.	SyncBurst ™	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	100-lqfp		sram- 표준	3.135V ~ 3.6V	100-TQFP (14x20.1)	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		3A991B2A	8542.32.0041	1	133 MHz	휘발성 휘발성	8mbit	4 ns	SRAM	256k x 36	평행한	-
MT29F2T08EMHAFJ4-3TES : A TR	-	RFQ	3477	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	132-VBGA	MT29F2T08	플래시 - NAND	2.5V ~ 3.6V	132-VBGA (12x18)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		쓸모없는	0000.00.0000	1,000	333 MHz	비 비	2tbit		플래시	256g x 8	평행한	-
MT53E384M32D2FW-046 AAT : E TR	-	RFQ	1506	Micron Technology Inc.	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	표면 표면	200-TFBGA	MT53E384	sdram- 모바일 lpddr4x	1.06V ~ 1.17V	200-TFBGA (10x14.5)	다운로드			영향을받지 영향을받지	557-MT53E384M32D2FW-046AAT : ETRTB	쓸모없는		1	1.066 GHz	휘발성 휘발성	12gbit	3.5 ns	음주	384m x 32	평행한	18ns
MT29F256G08CECABH6-6 : A TR	-	RFQ	1857	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	152-VBGA	MT29F256G08	플래시 -Nand (MLC)	2.7V ~ 3.6V	152-VBGA (14x18)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	166 MHz	비 비	256gbit		플래시	32g x 8	평행한	-
MT29VZZZ7D8GUFSL-046 W.218	14.6316	RFQ	8983	Micron Technology Inc.	-	대부분	활동적인								-				557-MT29VZZZ7D8GUFSL-046W.218			1,520
MT46H64M32LFCX-6 WT : b	-	RFQ	2916	Micron Technology Inc.	-	대부분	쓸모없는	-25 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	90-VFBGA	MT46H64M32	sdram- 모바일 lpddr	1.7V ~ 1.95V	90-VFBGA (9x13)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)			귀 99	8542.32.0036	1,000	166 MHz	휘발성 휘발성	2gbit	5 ns	음주	64m x 32	평행한	15ns
MT40A256M16GE-062E IT : B TR	-	RFQ	3927	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	96-TFBGA	MT40A256M16	sdram -ddr4	1.14V ~ 1.26V	96-FBGA (9x14)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	2,000	1.6GHz	휘발성 휘발성	4gbit		음주	256m x 16	평행한	-
MTFC128GAOANEA-WT ES TR	-	RFQ	2151	Micron Technology Inc.	E • MMC ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-25 ° C ~ 85 ° C (TA)			MTFC128	플래시 - NAND	-		-		1 (무제한)			3A991B1A	8542.32.0071	1,000		비 비	1tbit		플래시	128g x 8	MMC	-
MTFC4GMCAM-1M WT	-	RFQ	1258	Micron Technology Inc.	E • MMC ™	대부분	쓸모없는	-25 ° C ~ 85 ° C (TA)			MTFC4	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V		-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			3A991B1A	8542.32.0071	1,000		비 비	32gbit		플래시	4G X 8	MMC	-
MT25TL512HBA8ESF-0AAT TR	10.3950	RFQ	6998	Micron Technology Inc.	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	표면 표면	16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)	MT25TL512	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	16-SOP2	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	133 MHz	비 비	512mbit		플래시	64m x 8	SPI	8ms, 2.8ms
MT62F768M64D4EJ-031 WT : a	77.2200	RFQ	7726	Micron Technology Inc.	-	대부분	활동적인				MT62F768				-			영향을받지 영향을받지	557-MT62F768M64D4EJ-031WT : a			1,190
MT47H128M8CF-3 AAT : h	-	RFQ	5830	Micron Technology Inc.	자동차, AEC-Q100	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 105 ° C (TC)	표면 표면	60-TFBGA	MT47H128M8	sdram -ddr2	1.7V ~ 1.9V	60-FBGA (8x10)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0032	1,000	333 MHz	휘발성 휘발성	1gbit	450 ps	음주	128m x 8	평행한	15ns
M28W320HSU70ZB6E	-	RFQ	3952	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	47-TFBGA	M28W320	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	47-TFBGA (6.39x6.37)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,380		비 비	32mbit	70 ns	플래시	2m x 16	평행한	70ns
M45PE10-VMP6G	-	RFQ	3084	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	8-vdfn d 패드	M45PE10	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	8-vdfpn (6x5) (MLP8)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0071	490	75MHz	비 비	1mbit		플래시	128k x 8	SPI	3ms
MT47R256M4CF-3 : h	-	RFQ	7477	Micron Technology Inc.	-	쟁반	sic에서 중단되었습니다	0 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	60-TFBGA	MT47R256M4	sdram -ddr2	1.55V ~ 1.9V	60-FBGA (8x10)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0032	1,000	333 MHz	휘발성 휘발성	1gbit	450 ps	음주	256m x 4	평행한	15ns
mt29f4g08abadah4-itx : d	-	RFQ	9045	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	63-VFBGA	MT29F4G08	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	63-VFBGA (9x11)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,260		비 비	4gbit		플래시	512m x 8	평행한	-
MT29F256G08EBHAFJ4-3R : A TR	-	RFQ	4560	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	132-VBGA	MT29F256G08	플래시 -Nand (TLC)	2.5V ~ 3.6V	132-VBGA (12x18)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	333 MHz	비 비	256gbit		플래시	32g x 8	평행한	-
MT40A512M8RH-083E IT : B TR	-	RFQ	1407	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	78-TFBGA	MT40A512M8	sdram -ddr4	1.14V ~ 1.26V	78-FBGA (9x10.5)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	2,000	1.2GHz	휘발성 휘발성	4gbit		음주	512m x 8	평행한	-
MT29TZZZ5D7DKFRL-107 W.9A7 TR	-	RFQ	4283	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는				MT29TZZZ5				-		1 (무제한)			쓸모없는	0000.00.0000	1,000
MT29F256G08CMCABK3-10Z : A TR	-	RFQ	8289	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	-	MT29F256G08	플래시 -Nand (MLC)	2.7V ~ 3.6V	-	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	100MHz	비 비	256gbit		플래시	32g x 8	평행한	-
M50FLW040BNB5TG TR	-	RFQ	4577	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-20 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	32-TFSOP (0.488 ", 12.40mm 너비)	M50FLW040	플래시 - 아니오	3V ~ 3.6V	32-tsop	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0071	1,500	33MHz	비 비	4mbit	250 ns	플래시	512k x 8	평행한	-
MT48LC4M16A2P-6A IT : J.	-	RFQ	8796	Micron Technology Inc.	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비)	MT48LC4M16A2	sdram	3V ~ 3.6V	54-TSOP II	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0002	1,080	167 MHz	휘발성 휘발성	64mbit	5.4 ns	음주	4m x 16	평행한	12ns

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

통합 통합 (ICS) (10403)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²