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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전압 - 공급 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 시계 시계 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 액세스 액세스 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지 |
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![]() | MT29F256G08EBHAFB16A3WC1-R | - | ![]() | 5602 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 주사위 | MT29F256G08 | 플래시 -Nand (TLC) | 2.5V ~ 3.6V | 주사위 | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 0000.00.0000 | 1 | 333 MHz | 비 비 | 256gbit | 플래시 | 32g x 8 | 평행한 | - | ||||
![]() | MT55L256L18F1T-11 | 4.4800 | ![]() | 558 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | ZBT® | 대부분 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 100-lqfp | SRAM -ZBT | 3.135V ~ 3.465V | 100-TQFP (14x20.1) | 다운로드 | rohs 비준수 | 3 (168 시간) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 90MHz | 휘발성 휘발성 | 4mbit | 8.5 ns | SRAM | 256k x 18 | 평행한 | - | |||
![]() | MT41K128M8JP-125 : g | - | ![]() | 8314 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 튜브 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 78-TFBGA | MT41K128M8 | sdram -ddr3l | 1.283V ~ 1.45V | 78-FBGA (8x11.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 800MHz | 휘발성 휘발성 | 1gbit | 13.75 ns | 음주 | 128m x 8 | 평행한 | - | |||
![]() | PC28F256P33BFA | - | ![]() | 4289 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Axcell ™ | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 64-TBGA | PC28F256 | 플래시 - 아니오 | 2.3V ~ 3.6V | 64-EASYBGA (8x10) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 864 | 52MHz | 비 비 | 256mbit | 95 ns | 플래시 | 16m x 16 | 평행한 | 95ns | ||
![]() | MT58L64L18PT-10 | 7.1900 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | SyncBurst ™ | 대부분 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 100-lqfp | sram- 표준 | 3.135V ~ 3.6V | 100-TQFP (14x20.1) | 다운로드 | rohs 비준수 | 3 (168 시간) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | 100MHz | 휘발성 휘발성 | 1mbit | 5 ns | SRAM | 64k x 18 | 평행한 | - | |||
![]() | MT53B384M64D4TX-053 WT ES : B TR | - | ![]() | 4979 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - | - | MT53B384 | sdram- 모바일 lpddr4 | 1.1V | - | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 1.866 GHz | 휘발성 휘발성 | 24gbit | 음주 | 384m x 64 | - | - | |||
![]() | N25Q128A11B1240F TR | - | ![]() | 1623 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 24-TBGA | N25Q128A11 | 플래시 - 아니오 | 1.7V ~ 2V | 24-T-PBGA (6x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 108 MHz | 비 비 | 128mbit | 플래시 | 16m x 8 | SPI | 8ms, 5ms | |||
![]() | MT48LC2M32B2P-6 : G TR | - | ![]() | 9819 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) | MT48LC2M32B2 | sdram | 3V ~ 3.6V | 86-TSOP II | 다운로드 | Rohs3 준수 | 2 (1 년) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 167 MHz | 휘발성 휘발성 | 64mbit | 5.5 ns | 음주 | 2m x 32 | 평행한 | 12ns | ||
![]() | M58WR032KB70ZQ6W TR | - | ![]() | 5853 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 88-VFBGA | M58WR032 | 플래시 - 아니오 | 1.7V ~ 2V | 88-VFBGA (8x10) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 66MHz | 비 비 | 32mbit | 70 ns | 플래시 | 2m x 16 | 평행한 | 70ns | ||
MT40A8G4KVA-075H : g | - | ![]() | 3794 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 78-TFBGA | MT40A8G4 | sdram -ddr4 | 1.14V ~ 1.26V | 78-FBGA (8x12) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1 | 1.33 GHz | 비 비 | 32gbit | 27 ns | 음주 | 8g x 4 | 평행한 | - | ||||
![]() | M29W256GH7AZS6E | - | ![]() | 3925 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 64-lbga | M29W256 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 64-FBGA (11x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 960 | 비 비 | 256mbit | 70 ns | 플래시 | 32m x 8, 16m x 16 | 평행한 | 70ns | |||
![]() | MT29F4T08EULCEM4-R : C TR | - | ![]() | 5069 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | - | - | MT29F4T08 | 플래시 -Nand (TLC) | 2.7V ~ 3.6V | - | - | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 557-MT29F4T08EULCEM4-R : CTR | 쓸모없는 | 8542.32.0071 | 2,000 | 비 비 | 4tbit | 플래시 | 512g x 8 | 평행한 | - | ||||
MT29F2G08ABAGAWP-AAT : g | 2.7962 | ![]() | 3989 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) | MT29F2G08 | 플래시 -Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 48-tsop i | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 557-MT29F2G08ABAGAWP-AAT : g | 8542.32.0071 | 960 | 비 비 | 2gbit | 20 ns | 플래시 | 256m x 8 | 평행한 | 20ns | ||||
![]() | MT29F8G08ABBCAH4 : C TR | - | ![]() | 8449 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 63-VFBGA | MT29F8G08 | 플래시 - NAND | 1.7V ~ 1.95V | 63-VFBGA (9x11) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 비 비 | 8gbit | 플래시 | 1g x 8 | 평행한 | - | ||||
![]() | N25Q064A13ESF41F TR | - | ![]() | 1407 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) | N25Q064A13 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 16- 형의 행위 | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 108 MHz | 비 비 | 64mbit | 플래시 | 16m x 4 | SPI | 8ms, 5ms | ||||
![]() | MT53E1G64D4SP-046 WT : C TR | 37.2450 | ![]() | 5449 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | MT53E1 | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 557-MT53E1G64D4SP-046WT : CTR | 2,000 | |||||||||||||||||
![]() | MT46H16M32LFB5-6 AAT : c | - | ![]() | 4319 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 90-VFBGA | MT46H16M32 | sdram- 모바일 lpddr | 1.7V ~ 1.95V | 90-VFBGA (8x13) | - | Rohs3 준수 | 557-MT46H16M32LFB5-6AAT : c | 쓸모없는 | 1 | 166 MHz | 휘발성 휘발성 | 512mbit | 5 ns | 음주 | 16m x 32 | 평행한 | 15ns | ||||
![]() | MTFC128GAOANEA-WT | - | ![]() | 9395 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | 쟁반 | 쓸모없는 | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | - | MTFC128 | 플래시 - NAND | - | - | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1,120 | 비 비 | 1tbit | 플래시 | 128g x 8 | MMC | - | ||||
![]() | MT53B256M64D2NK-062 WT : C. | - | ![]() | 6122 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - | - | MT53B256 | sdram- 모바일 lpddr4 | 1.1V | - | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1,190 | 1.6GHz | 휘발성 휘발성 | 16gbit | 음주 | 256m x 64 | - | - | ||||
![]() | M25P40-VMP6TGBO2 TR | - | ![]() | 4365 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-vdfn d 패드 | M25P40 | 플래시 - 아니오 | 2.3V ~ 3.6V | 8-vdfpn (6x5) (MLP8) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 4,000 | 75MHz | 비 비 | 4mbit | 플래시 | 512k x 8 | SPI | 15ms, 5ms | ||||
![]() | MT49H8M36SJ-TI : b | - | ![]() | 1087 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 144-TFBGA | MT49H8M36 | 음주 | 1.7V ~ 1.9V | 144-FBGA (18.5x11) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0028 | 1,120 | 휘발성 휘발성 | 288mbit | 음주 | 8m x 36 | 평행한 | - | ||||
![]() | MT41K512M4DA-125 : m | - | ![]() | 5185 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 대부분 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 78-TFBGA | MT41K512M4 | sdram -ddr3l | 1.283V ~ 1.45V | 78-FBGA (8x10.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 800MHz | 휘발성 휘발성 | 2gbit | 13.75 ns | 음주 | 512m x 4 | 평행한 | - | |||
![]() | MTFC128GAOALEA-WT | - | ![]() | 5506 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 상자 | 쓸모없는 | - | 557-MTFC128GAOALEA-WT | 쓸모없는 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | MT29F128G08CFAABWP-12Z : a | - | ![]() | 4744 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 튜브 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) | MT29F128G08 | 플래시 - NAND | 2.7V ~ 3.6V | 48-tsop i | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 960 | 83MHz | 비 비 | 128gbit | 플래시 | 16g x 8 | 평행한 | - | |||
MT53E384M32D2FW-046 AAT : E TR | - | ![]() | 1506 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 200-TFBGA | MT53E384 | sdram- 모바일 lpddr4x | 1.06V ~ 1.17V | 200-TFBGA (10x14.5) | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 557-MT53E384M32D2FW-046AAT : ETRTB | 쓸모없는 | 1 | 1.066 GHz | 휘발성 휘발성 | 12gbit | 3.5 ns | 음주 | 384m x 32 | 평행한 | 18ns | |||||
MT47H128M8CF-3 AAT : h | - | ![]() | 5830 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | 표면 표면 | 60-TFBGA | MT47H128M8 | sdram -ddr2 | 1.7V ~ 1.9V | 60-FBGA (8x10) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 333 MHz | 휘발성 휘발성 | 1gbit | 450 ps | 음주 | 128m x 8 | 평행한 | 15ns | |||
![]() | MT29F1G08ABAFAH4-AATES : f | - | ![]() | 7703 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 63-VFBGA | MT29F1G08 | 플래시 -Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 63-VFBGA (9x11) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 8542.32.0071 | 1 | 비 비 | 1gbit | 플래시 | 128m x 8 | 평행한 | 20ns | |||||
![]() | MTFC128GAOANEA-WT ES TR | - | ![]() | 2151 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | MTFC128 | 플래시 - NAND | - | - | 1 (무제한) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 비 비 | 1tbit | 플래시 | 128g x 8 | MMC | - | |||||||||
MT35XL02GCBA2G12-0SIT TR | - | ![]() | 1453 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | XCCELA ™ -MT35X | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | 24-TBGA | MT35XL02 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 24-T-PBGA (6x8) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 133 MHz | 비 비 | 2gbit | 플래시 | 256m x 8 | xccela 버스 | - | ||||
![]() | MT29F16G08ABABABABAM62B3WC1 | - | ![]() | 7670 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 대부분 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 주사위 | MT29F16G08 | 플래시 - NAND | 2.7V ~ 3.6V | 주사위 | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 비 비 | 16gbit | 플래시 | 2G X 8 | 평행한 | - |
일일 평균 RFQ 볼륨
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