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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전압 - 공급 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 시계 시계 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 액세스 액세스 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지 |
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![]() | MT53B256M64D2NK-062 WT : C. | - | ![]() | 6122 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - | - | MT53B256 | sdram- 모바일 lpddr4 | 1.1V | - | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1,190 | 1.6GHz | 휘발성 휘발성 | 16gbit | 음주 | 256m x 64 | - | - | ||||
![]() | M25P40-VMP6TGBO2 TR | - | ![]() | 4365 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-vdfn d 패드 | M25P40 | 플래시 - 아니오 | 2.3V ~ 3.6V | 8-vdfpn (6x5) (MLP8) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 4,000 | 75MHz | 비 비 | 4mbit | 플래시 | 512k x 8 | SPI | 15ms, 5ms | ||||
![]() | MT49H8M36SJ-TI : b | - | ![]() | 1087 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 144-TFBGA | MT49H8M36 | 음주 | 1.7V ~ 1.9V | 144-FBGA (18.5x11) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0028 | 1,120 | 휘발성 휘발성 | 288mbit | 음주 | 8m x 36 | 평행한 | - | ||||
![]() | MT41K512M4DA-125 : m | - | ![]() | 5185 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 대부분 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 78-TFBGA | MT41K512M4 | sdram -ddr3l | 1.283V ~ 1.45V | 78-FBGA (8x10.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 800MHz | 휘발성 휘발성 | 2gbit | 13.75 ns | 음주 | 512m x 4 | 평행한 | - | |||
![]() | MTFC128GAOALEA-WT | - | ![]() | 5506 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 상자 | 쓸모없는 | - | 557-MTFC128GAOALEA-WT | 쓸모없는 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | MT29F128G08CFAABWP-12Z : a | - | ![]() | 4744 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 튜브 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) | MT29F128G08 | 플래시 - NAND | 2.7V ~ 3.6V | 48-tsop i | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 960 | 83MHz | 비 비 | 128gbit | 플래시 | 16g x 8 | 평행한 | - | |||
MT53E384M32D2FW-046 AAT : E TR | - | ![]() | 1506 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 200-TFBGA | MT53E384 | sdram- 모바일 lpddr4x | 1.06V ~ 1.17V | 200-TFBGA (10x14.5) | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 557-MT53E384M32D2FW-046AAT : ETRTB | 쓸모없는 | 1 | 1.066 GHz | 휘발성 휘발성 | 12gbit | 3.5 ns | 음주 | 384m x 32 | 평행한 | 18ns | |||||
MT47H128M8CF-3 AAT : h | - | ![]() | 5830 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | 표면 표면 | 60-TFBGA | MT47H128M8 | sdram -ddr2 | 1.7V ~ 1.9V | 60-FBGA (8x10) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 333 MHz | 휘발성 휘발성 | 1gbit | 450 ps | 음주 | 128m x 8 | 평행한 | 15ns | |||
![]() | MT29F1G08ABAFAH4-AATES : f | - | ![]() | 7703 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 63-VFBGA | MT29F1G08 | 플래시 -Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 63-VFBGA (9x11) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 8542.32.0071 | 1 | 비 비 | 1gbit | 플래시 | 128m x 8 | 평행한 | 20ns | |||||
![]() | MTFC128GAOANEA-WT ES TR | - | ![]() | 2151 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | MTFC128 | 플래시 - NAND | - | - | 1 (무제한) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 비 비 | 1tbit | 플래시 | 128g x 8 | MMC | - | |||||||||
MT35XL02GCBA2G12-0SIT TR | - | ![]() | 1453 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | XCCELA ™ -MT35X | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | 24-TBGA | MT35XL02 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 24-T-PBGA (6x8) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 133 MHz | 비 비 | 2gbit | 플래시 | 256m x 8 | xccela 버스 | - | ||||
![]() | MT29F16G08ABABABABAM62B3WC1 | - | ![]() | 7670 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 대부분 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 주사위 | MT29F16G08 | 플래시 - NAND | 2.7V ~ 3.6V | 주사위 | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 비 비 | 16gbit | 플래시 | 2G X 8 | 평행한 | - | |||||
![]() | MT29F2T08EMHAFJ4-3TES : A TR | - | ![]() | 3477 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 132-VBGA | MT29F2T08 | 플래시 - NAND | 2.5V ~ 3.6V | 132-VBGA (12x18) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1,000 | 333 MHz | 비 비 | 2tbit | 플래시 | 256g x 8 | 평행한 | - | |||
![]() | MT44K16M36RB-093F : B TR | 62.1450 | ![]() | 3609 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 168-TBGA | MT44K16M36 | 음주 | 1.28V ~ 1.42V | 168-BGA (13.5x13.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 1.066 GHz | 휘발성 휘발성 | 576mbit | 7.5 ns | 음주 | 16m x 36 | 평행한 | - | ||
![]() | MT53E384M64D4NK-046 WT : E TR | - | ![]() | 2663 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | MT53E384 | sdram- 모바일 lpddr4 | 1.1V | - | 영향을받지 영향을받지 | 557-MT53E384M64D4NK-046WT : ETR | 쓸모없는 | 1,000 | 2.133 GHz | 휘발성 휘발성 | 24gbit | 음주 | 384m x 64 | - | - | ||||||||
![]() | MTFC16GJVEC-2F WT | - | ![]() | 7553 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | 대부분 | 쓸모없는 | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | - | MTFC16G | 플래시 - NAND | 2.7V ~ 3.6V | - | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 비 비 | 128gbit | 플래시 | 16g x 8 | MMC | - | |||||
![]() | MT29F256G08CECABH6-6 : A TR | - | ![]() | 1857 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 152-VBGA | MT29F256G08 | 플래시 -Nand (MLC) | 2.7V ~ 3.6V | 152-VBGA (14x18) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 166 MHz | 비 비 | 256gbit | 플래시 | 32g x 8 | 평행한 | - | |||
![]() | MT25TL512HBA8ESF-0AAT TR | 10.3950 | ![]() | 6998 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) | MT25TL512 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 16-SOP2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 133 MHz | 비 비 | 512mbit | 플래시 | 64m x 8 | SPI | 8ms, 2.8ms | |||
![]() | N25Q128A13E1441F TR | - | ![]() | 2406 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 24-TBGA | N25Q128A13 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 24-BGA (6x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 108 MHz | 비 비 | 128mbit | 플래시 | 32m x 4 | SPI | 8ms, 5ms | |||
![]() | MT62F768M64D4EJ-031 WT : a | 77.2200 | ![]() | 7726 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | MT62F768 | - | 영향을받지 영향을받지 | 557-MT62F768M64D4EJ-031WT : a | 1,190 | |||||||||||||||||||
![]() | MT29VZZZAD8GQFSL-046 W.9R8 TR | 47.9400 | ![]() | 9525 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | 557-MT29VZZZAD8GQFSL-046W.9R8TR | 2,000 | |||||||||||||||||||||
![]() | MTFC4GMCAM-1M WT | - | ![]() | 1258 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | 대부분 | 쓸모없는 | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | MTFC4 | 플래시 - NAND | 2.7V ~ 3.6V | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 비 비 | 32gbit | 플래시 | 4G X 8 | MMC | - | ||||||||
![]() | MT29F4G01ABBFDWB-IT : F TR | 3.0165 | ![]() | 4177 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-udfn | MT29F4G01 | 플래시 -Nand (SLC) | 1.7V ~ 1.95V | 8-updfn (8x6) (mlp8) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | MT29F4G01ABBFDWB-IT : FTR | 8542.32.0071 | 2,000 | 83MHz | 비 비 | 4gbit | 플래시 | 4g x 1 | SPI | - | |||
![]() | MT53B128M32D1DS-053 AUT : A TR | - | ![]() | 9007 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | 표면 표면 | 200-WFBGA | MT53B128 | sdram- 모바일 lpddr4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.866 GHz | 휘발성 휘발성 | 4gbit | 음주 | 128m x 32 | - | - | |||
![]() | EDB1332BDBH-1DIT-FR TR | - | ![]() | 6262 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 134-VFBGA | EDB1332 | sdram- 모바일 lpddr2 | 1.14V ~ 1.95V | 134-VFBGA (10x11.5) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 533 MHz | 휘발성 휘발성 | 1gbit | 음주 | 32m x 32 | 평행한 | - | |||
![]() | MT29VZZZ7D8GUFSL-046 W.218 | 14.6316 | ![]() | 8983 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | - | 557-MT29VZZZ7D8GUFSL-046W.218 | 1,520 | |||||||||||||||||||||
![]() | MT58L256V36PT-7.5 | 8.9300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | SyncBurst ™ | 대부분 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 100-lqfp | sram- 표준 | 3.135V ~ 3.6V | 100-TQFP (14x20.1) | 다운로드 | rohs 비준수 | 3 (168 시간) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | 휘발성 휘발성 | 8mbit | 4 ns | SRAM | 256k x 36 | 평행한 | - | |||
![]() | MT53D768M64D4SB-046 XT ES : A TR | - | ![]() | 7689 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -30 ° C ~ 105 ° C (TC) | MT53D768 | sdram- 모바일 lpddr4 | 1.1V | - | 쓸모없는 | 2,000 | 2.133 GHz | 휘발성 휘발성 | 48gbit | 음주 | 768m x 64 | - | - | ||||||||||
![]() | M29W010B70N1 | - | ![]() | 6108 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 32-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) | M29W010 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 32-tsop | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 156 | 비 비 | 1mbit | 70 ns | 플래시 | 128k x 8 | 평행한 | 70ns | |||
![]() | mtfc8gluea-wt tr | - | ![]() | 3563 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 153-WFBGA | MTFC8 | 플래시 - NAND | 2.7V ~ 3.6V | 153-WFBGA (11.5x13) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 비 비 | 64gbit | 플래시 | 8g x 8 | MMC | - |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
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