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통합 통합 (ICS) (10403)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
MT53E768M32D4DT-046 WT:E TR Micron Technology Inc. MT53E768M32D4DT-046 WT : E TR 21.4881
RFQ
 ECAD 3216 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TC) 표면 표면 200-VFBGA MT53E768 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 200-VFBGA (10x14.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) MT53E768M32D4DT-046WT : ETR 귀 99 8542.32.0036 2,000 2.133 GHz 휘발성 휘발성 24gbit 음주 768m x 32 - -
N25Q064A13EW94ME Micron Technology Inc. N25Q064A13EW94ME -
RFQ
 ECAD 7726 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) - - N25Q064A13 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,920 108 MHz 비 비 64mbit 플래시 16m x 4 SPI 8ms, 5ms
MT53D1G64D8NZ-046 WT:E Micron Technology Inc. MT53D1G64D8NZ-046 WT : e 98.1150
RFQ
 ECAD 1247 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 376-WFBGA MT53D1G64 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 376-WFBGA (14x14) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,190 2.133 GHz 휘발성 휘발성 64gbit 음주 1G X 64 - -
EDB8164B4PT-1D-F-R TR Micron Technology Inc. EDB8164B4PT-1D-FR TR -
RFQ
 ECAD 6576 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 216-WFBGA EDB8164 sdram- 모바일 lpddr2 1.14V ~ 1.95V 216-FBGA (12x12) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 533 MHz 휘발성 휘발성 8gbit 음주 128m x 64 평행한 -
MT29C4G48MAYBBAKS-48 IT TR Micron Technology Inc. MT29C4G48MAYBBAKS-48 IT TR 11.8650
RFQ
 ECAD 6806 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) MT29C4G48 플래시 -Nand, n lpdram 1.7V ~ 1.95V - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 208 MHz 비 비, 휘발성 4GBIT (NAND), 2GBIT (LPDRAM) 플래시, 램 512m x 8 (NAND), 64m x 32 (lpdram) 평행한 -
MT29C1G12MAACAEAMD-6 IT TR Micron Technology Inc. MT29C1G12MAACAEAMD-6 IT TR -
RFQ
 ECAD 8902 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 130-VFBGA MT29C1G12 플래시 -Nand, n lpdram 1.7V ~ 1.95V 130-VFBGA (8x9) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 166 MHz 비 비, 휘발성 1GBIT (NAND), 512MBIT (LPDRAM) 플래시, 램 128m x 8 (NAND), 32m x 16 (lpdram) 평행한 -
MTFC2GMDEA-0M WT A Micron Technology Inc. mtfc2gmdea-0m wt a -
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 ECAD 9099 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 153-WFBGA mtfc2g 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 153-WFBGA (11.5x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 557-MTFC2GMDEA-0MWTA 쓸모없는 8542.32.0071 152 비 비 16gbit 플래시 2G X 8 MMC -
N2M400FDB311A3CE Micron Technology Inc. N2M400FDB311A3CE -
RFQ
 ECAD 2717 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lbga N2M400 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 100-lbga (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 588 52MHz 비 비 32gbit 플래시 4G X 8 MMC -
MT49H8M36BM-5:B Micron Technology Inc. MT49H8M36BM-5 : b -
RFQ
 ECAD 1534 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 144-TFBGA MT49H8M36 음주 1.7V ~ 1.9V 144-µBGA (18.5x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0028 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 288mbit 20 ns 음주 8m x 36 평행한 -
MT28GU256AAA2EGC-0AAT Micron Technology Inc. MT28GU256AAA2EGC-0AAT -
RFQ
 ECAD 6426 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 64-TBGA MT28GU256 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 64-TBGA (10x8) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 133 MHz 비 비 256mbit 96 ns 플래시 32m x 8 평행한 -
MT55L256L32PT-10IT Micron Technology Inc. MT55L256L32PT-10IT 9.9100
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 ECAD 2 0.00000000 Micron Technology Inc. ZBT® 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp SRAM -ZBT 3.135V ~ 3.465V 100-TQFP (14x20.1) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 3A991B2A 8542.32.0041 1 100MHz 휘발성 휘발성 8mbit 5 ns SRAM 256k x 32 평행한 -
MT53D384M16D1NY-046 XT ES:D Micron Technology Inc. MT53D384M16D1NY-046 XT ES : d -
RFQ
 ECAD 4671 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 -30 ° C ~ 105 ° C (TC) MT53D384 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 1,190 2.133 GHz 휘발성 휘발성 6gbit 음주 384m x 16 - -
MT29F4G16ABADAWP:D TR Micron Technology Inc. MT29F4G16ABADAWP : D TR -
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 ECAD 7039 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F4G16 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 4gbit 플래시 256m x 16 평행한 -
MT29F2G16ABAEAWP-IT:E TR Micron Technology Inc. MT29F2G16ABAEAWP-IT : E TR -
RFQ
 ECAD 8187 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F2G16 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 2gbit 플래시 128m x 16 평행한 -
MT46H16M32LFCX-5:B Micron Technology Inc. MT46H16M32LFCX-5 : b -
RFQ
 ECAD 4097 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 90-VFBGA MT46H16M32 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 90-VFBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5 ns 음주 16m x 32 평행한 15ns
MT40A512M8RH-083E AUT:B TR Micron Technology Inc. MT40A512M8RH-083E AUT : B TR -
RFQ
 ECAD 8613 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT40A512M8 sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (9x10.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 1.2GHz 휘발성 휘발성 4gbit 음주 512m x 8 평행한 -
MT44K64M18RB-107E IT:A TR Micron Technology Inc. MT44K64M18RB-107E IT : A TR -
RFQ
 ECAD 2532 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 168-TBGA MT44K64M18 rldram 3 1.28V ~ 1.42V 168-BGA (13.5x13.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 933 MHz 휘발성 휘발성 1.125gbit 8 ns 음주 64m x 18 평행한 -
MT53B256M32D1PX-062 XT:C Micron Technology Inc. MT53B256M32D1PX-062 XT : c -
RFQ
 ECAD 8451 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -30 ° C ~ 105 ° C (TC) - - MT53B256 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,540 1.6GHz 휘발성 휘발성 8gbit 음주 256m x 32 - -
MT29F4G08ABCWC-ET:C TR Micron Technology Inc. MT29F4G08ABCWC-ET : C TR -
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 ECAD 9872 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F4G08 플래시 - NAND 1.7V ~ 1.95V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 4gbit 플래시 512m x 8 평행한 -
MTFC16GAPALNA-AAT ES TR Micron Technology Inc. MTFC16GAPALNA-AAT ES TR -
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 ECAD 4044 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 MTFC16 - 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 1,000
MT53D1G64D8NW-062 WT ES:D Micron Technology Inc. MT53D1G64D8NW-062 WT ES : d -
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 ECAD 7728 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) MT53D1G64 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 1,190 1.6GHz 휘발성 휘발성 64gbit 음주 1G X 64 - -
MTFC4GMUEA-WT TR Micron Technology Inc. mtfc4gmuea-wt tr -
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 ECAD 6346 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 153-WFBGA MTFC4 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 153-WFBGA (11.5x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 32gbit 플래시 4G X 8 MMC -
M58WR064EB70ZB6 Micron Technology Inc. M58WR064EB70ZB6 -
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 ECAD 9458 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-VFBGA M58WR064 플래시 - 아니오 1.65V ~ 2.2V 56-VFBGA (7.7x9) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,016 66MHz 비 비 64mbit 70 ns 플래시 4m x 16 평행한 70ns
MT48LC4M32B2B5-6A XIT:L Micron Technology Inc. MT48LC4M32B2B5-6A XIT : L. -
RFQ
 ECAD 9599 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-VFBGA MT48LC4M32B2 sdram 3V ~ 3.6V 90-VFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0002 1,440 167 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 4m x 32 평행한 12ns
MT35XL01GBBA1G12-0AAT Micron Technology Inc. MT35XL01GBBA1G12-0AAT 22.1200
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 ECAD 945 0.00000000 Micron Technology Inc. XCCELA ™ -MT35X 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 24-TBGA MT35XL01 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 24-T-PBGA (6x8) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 133 MHz 비 비 1gbit 플래시 128m x 8 xccela 버스 -
M28W160CB70N6F TR Micron Technology Inc. M28W160CB70N6F TR -
RFQ
 ECAD 4938 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M28W160 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 48-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,500 비 비 16mbit 70 ns 플래시 1m x 16 평행한 70ns
MT29F512G08AUCBBH8-6:B TR Micron Technology Inc. MT29F512G08AUCBBH8-6 : B TR -
RFQ
 ECAD 5611 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 152-lbga MT29F512G08 플래시 -Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V 152-lbga (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,000 166 MHz 비 비 512gbit 플래시 64g x 8 평행한 -
MT46V128M4CY-5B:J TR Micron Technology Inc. MT46V128M4CY-5B : J TR -
RFQ
 ECAD 9372 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA MT46V128M4 sdram -ddr 2.5V ~ 2.7V 60-FBGA (8x10) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 128m x 4 평행한 15ns
MT47H32M8BP-37E:B TR Micron Technology Inc. MT47H32M8BP-37E : B TR -
RFQ
 ECAD 3095 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 60-FBGA MT47H32M8B sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 60-FBGA (8x12) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 267 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 500 PS 음주 32m x 8 평행한 15ns
MT41K128M8JP-125:G TR Micron Technology Inc. MT41K128M8JP-125 : G TR -
RFQ
 ECAD 7007 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT41K128M8 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (8x11.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0036 1,000 800MHz 휘발성 휘발성 1gbit 13.75 ns 음주 128m x 8 평행한 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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