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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	시계 시계	메모리 메모리	메모리 메모리	액세스 액세스	메모리 메모리	메모리 메모리	메모리 메모리	쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
MT41K1G8SN-107 IT : A TR	-	RFQ	1219	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	78-TFBGA	MT41K1G8	sdram -ddr3l	1.283V ~ 1.45V	78-FBGA (9x13.2)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)			귀 99	8542.32.0036	2,000	933 MHz	휘발성 휘발성	8gbit	20 ns	음주	1g x 8	평행한	-
MT41K2G8KJR-125 : a	-	RFQ	5773	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	78-TFBGA	MT41K2G8	sdram -ddr3l	1.283V ~ 1.45V	78-FBGA (9.5x13)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)			쓸모없는	0000.00.0000	1,020	800MHz	휘발성 휘발성	16gbit	13.5 ns	음주	2G X 8	평행한	-
MT53B512M64D4NH-062 WT ES : C TR	-	RFQ	7503	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	272-WFBGA	MT53B512	sdram- 모바일 lpddr4	1.1V	272-WFBGA (15x15)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			쓸모없는	0000.00.0000	1,000	1.6GHz	휘발성 휘발성	32gbit		음주	512m x 64	-	-
MT41K256M16V00HWC1-N001	-	RFQ	4710	Micron Technology Inc.	-	대부분	활동적인	0 ° C ~ 95 ° C (TC)			MT41K256M16	sdram -ddr3l	1.283V ~ 1.45V		-		3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지			0000.00.0000	1		휘발성 휘발성	4gbit		음주	256m x 16	평행한	-
M25P40-VMP6TG/TS TR	-	RFQ	7800	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	8-vdfn d 패드	M25P40	플래시 - 아니오	2.3V ~ 3.6V	8-vdfpn (6x5) (MLP8)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0071	4,000	50MHz	비 비	4mbit		플래시	512k x 8	SPI	15ms, 5ms
MT29TZZZ7D7JKKBT-107 W.97V TR	-	RFQ	5205	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는								-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			쓸모없는	0000.00.0000	1,000
MT47H32M16NF-25E : h	-	RFQ	3164	Micron Technology Inc.	-	대부분	활동적인	0 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	84-TFBGA	MT47H32M16	sdram -ddr2	1.7V ~ 1.9V	84-FBGA (8x12.5)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	-MT47H32M16NF-25E : h	귀 99	8542.32.0028	1,368	400MHz	휘발성 휘발성	512mbit	400 PS	음주	32m x 16	평행한	15ns
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MTFC128GAJAECE-5M AIT	-	RFQ	9927	Micron Technology Inc.	E • MMC ™	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	169-LFBGA	MTFC128	플래시 - NAND	-	169-LFBGA (14x18)	-		1 (무제한)			3A991B1A	8542.32.0071	980		비 비	1tbit		플래시	128g x 8	MMC	-
MT47H256M8THN-25E : h	-	RFQ	2412	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	63-TFBGA	MT47H256M8	sdram -ddr2	1.7V ~ 1.9V	63-FBGA (8x10)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	1,000	400MHz	휘발성 휘발성	2gbit	400 PS	음주	256m x 8	평행한	15ns
MT49H32M9BM-25 : b	-	RFQ	5211	Micron Technology Inc.	-	대부분	쓸모없는	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	144-TFBGA	MT49H32M9	음주	1.7V ~ 1.9V	144-µBGA (18.5x11)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)			귀 99	8542.32.0024	1,000	400MHz	휘발성 휘발성	288mbit	20 ns	음주	32m x 9	평행한	-
MT58L64L36PT-10	4.4300	RFQ	17	Micron Technology Inc.	SyncBurst ™	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	100-lqfp		sram- 표준	3.135V ~ 3.6V	100-TQFP (14x20.1)	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		3A991B2A	8542.32.0041	500	100MHz	휘발성 휘발성	2mbit	5 ns	SRAM	64k x 36	평행한	-
MT48LC32M8A2P-75 : d	-	RFQ	3454	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비)	MT48LC32M8A2	sdram	3V ~ 3.6V	54-TSOP II	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0024	1,000	133 MHz	휘발성 휘발성	256mbit	5.4 ns	음주	32m x 8	평행한	15ns
MT41K1G8TRF-125 IT : E TR	-	RFQ	1153	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	78-TFBGA	MT41K1G8	sdram -ddr3l	1.283V ~ 1.45V	78-FBGA (9.5x11.5)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	1,000	800MHz	휘발성 휘발성	8gbit	13.5 ns	음주	1g x 8	평행한	-
MT47H32M16NF-25E IT : h	-	RFQ	6537	Micron Technology Inc.	-	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	84-TFBGA	MT47H32M16	sdram -ddr2	1.7V ~ 1.9V	84-FBGA (8x12.5)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0028	1,368	400MHz	휘발성 휘발성	512mbit	400 PS	음주	32m x 16	평행한	15ns
MT48LC4M16A2P-7E : J.	-	RFQ	7639	Micron Technology Inc.	-	대부분	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비)	MT48LC4M16A2	sdram	3V ~ 3.6V	54-TSOP II	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0002	1,080	133 MHz	휘발성 휘발성	64mbit	5.4 ns	음주	4m x 16	평행한	14ns
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MTFC16GANALEA-WT TR	-	RFQ	9772	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인				MTFC16				-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지			0000.00.0000	1,000
EDFP112A3PD-GD-FD	-	RFQ	2861	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-30 ° C ~ 85 ° C (TA)	-	-	EDFP112	sdram- 모바일 lpddr3	1.14V ~ 1.95V	-	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			쓸모없는	0000.00.0000	1,190	800MHz	휘발성 휘발성	24gbit		음주	192m x 128	평행한	-
MT49H16M18BM-5 : B TR	-	RFQ	4492	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	144-TFBGA	MT49H16M18	음주	1.7V ~ 1.9V	144-µBGA (18.5x11)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B2A	8542.32.0028	1,000	200MHz	휘발성 휘발성	288mbit	20 ns	음주	16m x 18	평행한	-
MT48LC8M16LFB4-8 : G TR	-	RFQ	9905	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	54-VFBGA	MT48LC8M16	sdram- 모바일 lpsdr	3V ~ 3.6V	54-VFBGA (8x8)	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0002	1,000	125MHz	휘발성 휘발성	128mbit	7 ns	음주	8m x 16	평행한	15ns
M29F002BB70K6E	-	RFQ	6913	Micron Technology Inc.	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	32-LCC (J-Lead)	M29F002	플래시 - 아니오	4.5V ~ 5.5V	32-PLCC (11.35x13.89)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0071	32		비 비	2mbit	70 ns	플래시	256k x 8	평행한	70ns
MTFC32GANALEA-WT TR	-	RFQ	7114	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는				MTFC32G				-		1 (무제한)			쓸모없는	0000.00.0000	1,000
MT29VZZZAD8FQFSL-046 WJ.G8K	47.1600	RFQ	8378	Micron Technology Inc.	-	상자	활동적인								-				557-MT29VZZZAD8FQFSL-046WJ.G8K			1
TE28F128J3D75B TR	-	RFQ	7068	Micron Technology Inc.	Strataflash ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	28F128J3	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	56-tsop	다운로드	rohs 비준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,600		비 비	128mbit	75 ns	플래시	16m x 8, 8m x 16	평행한	75ns
M25P20-VMN6TPB TR	-	RFQ	7607	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	M25P20	플래시 - 아니오	2.3V ~ 3.6V	도 8-	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0071	2,500	75MHz	비 비	2mbit		플래시	256k x 8	SPI	15ms, 5ms
MT40A2G8FSE-093E : A TR	-	RFQ	8090	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	78-TFBGA	MT40A2G8	sdram -ddr4	1.14V ~ 1.26V	78-FBGA (9.5x13)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	2,000	1.066 GHz	휘발성 휘발성	16gbit		음주	2G X 8	평행한	-
MT46V32M16FN-75 : c	-	RFQ	9303	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	60-TFBGA	MT46V32M16	sdram -ddr	2.3V ~ 2.7V	60-FBGA (10x12.5)	-	rohs 비준수	5 (48 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0024	1,000	133 MHz	휘발성 휘발성	512mbit	750 ps	음주	32m x 16	평행한	15ns
MT46V64M16TG-75 : A TR	-	RFQ	3502	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비)	MT46V64M16	sdram -ddr	2.3V ~ 2.7V	66-tsop	다운로드	rohs 비준수	5 (48 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0032	1,000	133 MHz	휘발성 휘발성	1gbit	750 ps	음주	64m x 16	평행한	15ns
MT29F4G08ABAFAH4- 리트 : F TR	-	RFQ	5413	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	63-VFBGA	MT29F4G08	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	63-VFBGA (9x11)	-		3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	2,000		비 비	4gbit		플래시	512m x 8	평행한	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

통합 통합 (ICS) (10403)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²