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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
MT53E768M32D4DT-053 WT:E Micron Technology Inc. MT53E768M32D4DT-053 WT : e 23.6850
RFQ
ECAD 3661 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 200-VFBGA MT53E768 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 200-VFBGA (10x14.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 MT53E768M32D4DT-053WT : e 귀 99 8542.32.0036 1,360 1.866 GHz 휘발성 휘발성 24gbit 음주 768m x 32 - -
MT62F1G16D1DS-023 IT ES:B Micron Technology Inc. MT62F1G16D1DS-023 IT ES : b 12.5550
RFQ
ECAD 9283 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C 표면 표면 200-WFBGA sdram- 모바일 lpddr5 1.05V 200-WFBGA (10x14.5) - 557-MT62F1G16D1DS-023ITES : b 1 4.266 GHz 휘발성 휘발성 16gbit 음주 1g x 16 평행한 -
MT48LC4M16A2P-75:G Micron Technology Inc. MT48LC4M16A2P-75 : g -
RFQ
ECAD 2332 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC4M16A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 MT48LC4M16A2P75G 귀 99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.4 ns 음주 4m x 16 평행한 15ns
MT25QL512ABB8E12-0AUT Micron Technology Inc. MT25QL512ABB8E12-0AUT 13.2500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA MT25QL512 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 24-T-PBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 -MT25QL512ABB8E12-0AUT 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 133 MHz 비 비 512mbit 플래시 64m x 8 SPI 8ms, 2.8ms
MT53D1G32D4BD-053 WT:D Micron Technology Inc. MT53D1G32D4BD-053 WT : d -
RFQ
ECAD 1221 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) MT53D1G32 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 1,360 1.866 GHz 휘발성 휘발성 32gbit 음주 1g x 32 - -
MTFC8GAMALHT-AIT Micron Technology Inc. mtfc8gamalht-ait 10.1550
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ECAD 4830 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 마지막으로 마지막으로 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) MTFC8 플래시 - NAND - - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 557-mtfc8gamalht-ait 8542.32.0071 980 비 비 64gbit 플래시 8g x 8 MMC -
PC28F512P30TFB TR Micron Technology Inc. PC28F512P30TFB TR -
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ECAD 1335 0.00000000 Micron Technology Inc. Axcell ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-TBGA PC28F512 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 64-EASYBGA (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 52MHz 비 비 512mbit 100 ns 플래시 32m x 16 평행한 100ns
M25PE40S-VMW6TG TR Micron Technology Inc. M25PE40S-VMW6TG TR -
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ECAD 1971 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) M25PE40 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8- w 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0071 1,500 75MHz 비 비 4mbit 플래시 512k x 8 SPI 15ms, 3ms
MT52L1G32D4PG-107 WT:B TR Micron Technology Inc. MT52L1G32D4PG-107 WT : B TR 53.9550
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ECAD 4733 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 178-VFBGA MT52L1G32 sdram- 모바일 lpddr3 1.2V 178-FBGA (12x11.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 933 MHz 휘발성 휘발성 32gbit 음주 1g x 32 - -
MT29F64G08AEAAAC5:A Micron Technology Inc. MT29F64G08AEAC5 : a -
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ECAD 2027 0.00000000 Micron Technology Inc. - 튜브 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 52-VLGA MT29F64G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 52-VLGA (18x14) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 64gbit 플래시 8g x 8 평행한 -
EDFP164A3PB-GD-F-R TR Micron Technology Inc. EDF164A3PB-GD-FR TR -
RFQ
ECAD 2508 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 - EDFP164 sdram- 모바일 lpddr3 1.14V ~ 1.95V 216-FBGA (15x15) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,000 800MHz 휘발성 휘발성 24gbit 음주 384m x 64 평행한 -
MT44K32M36RB-107E IT:A Micron Technology Inc. MT44K32M36RB-107E IT : a -
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ECAD 6656 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 168-TBGA MT44K32M36 rldram 3 1.28V ~ 1.42V 168-BGA (13.5x13.5) 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,190 933 MHz 휘발성 휘발성 1.125gbit 8 ns 음주 32m x 36 평행한 -
MT29F1G08ABAFAH4-ITE:F TR Micron Technology Inc. mt29f1g08abafah4- 라이트 : f tr -
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ECAD 4826 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA MT29F1G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 63-VFBGA (9x11) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 1gbit 플래시 128m x 8 평행한 -
MT46V32M8FG-75:G TR Micron Technology Inc. MT46V32M8FG-75 : G TR -
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ECAD 9637 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 60-FBGA MT46V32M8 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 60-FBGA (8x14) 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 750 ps 음주 32m x 8 평행한 15ns
N25Q032A13E1241E Micron Technology Inc. N25Q032A13E1241E -
RFQ
ECAD 9413 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA N25Q032A13 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 24-T-PBGA (6x8) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 108 MHz 비 비 32mbit 플래시 8m x 4 SPI 8ms, 5ms
PC28F256P33T2E Micron Technology Inc. PC28F256P33T2E -
RFQ
ECAD 2394 0.00000000 Micron Technology Inc. Axcell ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 64-TBGA PC28F256 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 64-ESYBGA (10x13) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1 52MHz 비 비 256mbit 플래시 16m x 16 평행한 -
M29W064FT70N3F TR Micron Technology Inc. M29W064FT70N3F TR -
RFQ
ECAD 8198 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M29W064 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,500 비 비 64mbit 70 ns 플래시 8m x 8, 4m x 16 평행한 70ns
N25Q032A13E1240E Micron Technology Inc. N25Q032A13E1240E -
RFQ
ECAD 8014 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA N25Q032A13 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 24-T-PBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 108 MHz 비 비 32mbit 플래시 8m x 4 SPI 8ms, 5ms
M29W128GSH70ZA6E Micron Technology Inc. M29W128GSH70ZA6E -
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ECAD 7518 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-TBGA M29W128 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-TBGA (10x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 816 비 비 128mbit 70 ns 플래시 16m x 8, 8m x 16 평행한 70ns
MT28FW512ABA1LPC-0AAT Micron Technology Inc. MT28FW512ABA1LPC -0AAT -
RFQ
ECAD 8298 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 64-lbga MT28FW512 플래시 - 아니오 1.7V ~ 3.6V 64-lbga (11x13) - 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,104 비 비 512mbit 105 ns 플래시 32m x 16 평행한 60ns
M29F160FB5AN6F2 TR Micron Technology Inc. M29F160FB5AN6F2 TR -
RFQ
ECAD 5917 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M29F160 플래시 - 아니오 4.5V ~ 5.5V 48-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,500 비 비 16mbit 55 ns 플래시 2m x 8, 1m x 16 평행한 55ns
MT62F2G32D4DS-023 AUT:C Micron Technology Inc. MT62F2G32D4DS-023 AUT : c 73.4400
RFQ
ECAD 5114 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 활동적인 - 557-MT62F2G32D4DS-023AUT : c 1
MT25QL01GBBB8E12-0AAT Micron Technology Inc. MT25QL01GBB8E12-0AAT 21.4400
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA MT25QL01 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 24-T-PBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 133 MHz 비 비 1gbit 플래시 128m x 8 SPI 8ms, 2.8ms
PC28F512P30TFA Micron Technology Inc. PC28F512P30TFA -
RFQ
ECAD 2357 0.00000000 Micron Technology Inc. Axcell ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-TBGA PC28F512 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 64-EASYBGA (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 52MHz 비 비 512mbit 100 ns 플래시 32m x 16 평행한 100ns
MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80Y TR Micron Technology Inc. MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80Y TR -
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ECAD 8042 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TA) - - MT29RZ4C8 플래시 -nand, dram -lpddr2 1.8V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,000 533 MHz 비 비, 휘발성 4GBIT (NAND), 4GBIT (LPDDR2) 플래시, 램 256m x 16 (NAND), 128m x 32 (LPDDR2) 평행한 -
MT29F2G08ABAFAH4-IT:F Micron Technology Inc. MT29F2G08ABAFAH4-IT : f -
RFQ
ECAD 9052 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA MT29F2G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 63-VFBGA (9x11) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,260 비 비 2gbit 플래시 256m x 8 평행한 -
MT4A1G16KNR-75:E TR Micron Technology Inc. mt4a1g16knr-75 : e tr -
RFQ
ECAD 1640 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 MT4A1 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 2,000
JS28F512M29EWHA Micron Technology Inc. JS28F512M29ewha -
RFQ
ECAD 5273 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) JS28F512M29 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 56-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 576 비 비 512mbit 110 ns 플래시 64m x 8, 32m x 16 평행한 110ns
M29W640GSL70ZF6F TR Micron Technology Inc. M29W640GSL70ZF6F TR -
RFQ
ECAD 3105 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-TBGA M29W640 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-TBGA (10x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 비 비 64mbit 70 ns 플래시 8m x 8, 4m x 16 평행한 70ns
MT53D8DBPM-DC Micron Technology Inc. MT53D8DBPM-DC -
RFQ
ECAD 7045 0.00000000 Micron Technology Inc. * 상자 활동적인 MT53d8 - 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 1,190
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고