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MT42L32M16D1U67MWC2 Micron Technology Inc. MT42L32M16D1U67MWC2 -
RFQ
ECAD 9465 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TC) MT42L32M16 sdram- 모바일 lpddr2 1.14V ~ 1.3V - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1 휘발성 휘발성 512mbit 음주 32m x 16 평행한
MT46V32M16CY-5B IT:J TR Micron Technology Inc. MT46V32M16CY-5B IT : J TR 6.2250
RFQ
ECAD 5371 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA MT46V32M16 sdram -ddr 2.5V ~ 2.7V 60-FBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 200MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 32m x 16 평행한 15ns
MT46H16M32LFCX-6:B TR Micron Technology Inc. MT46H16M32LFCX-6 : B TR -
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ECAD 6467 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 90-VFBGA MT46H16M32 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 90-VFBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 166 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5 ns 음주 16m x 32 평행한 15ns
MT46H64M32LFMA-5 IT:A TR Micron Technology Inc. MT46H64M32LFMA-5 IT : A TR -
RFQ
ECAD 7409 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 168-WFBGA MT46H64M32 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 168-WFBGA (12x12) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0036 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 2gbit 5 ns 음주 64m x 32 평행한 15ns
MT25QL01GBBB8E12-0SIT TR Micron Technology Inc. MT25QL01GBB8E12-0SIT TR 19.6100
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ECAD 2 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA MT25QL01 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 24-T-PBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 133 MHz 비 비 1gbit 플래시 128m x 8 SPI 8ms, 2.8ms
MT46V32M8TG-75:G TR Micron Technology Inc. MT46V32M8TG-75 : G TR -
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ECAD 4521 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V32M8 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-tsop 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 750 ps 음주 32m x 8 평행한 15ns
MT48LC4M16A2B4-6A IT:J TR Micron Technology Inc. MT48LC4M16A2B4-6A IT : J TR -
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ECAD 7374 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-VFBGA MT48LC4M16A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-VFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 167 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.4 ns 음주 4m x 16 평행한 12ns
MT29F32G08ABCABH1-10:A Micron Technology Inc. MT29F32G08ABCABH1-10 : a -
RFQ
ECAD 8425 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-VBGA MT29F32G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 100-VBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100MHz 비 비 32gbit 플래시 4G X 8 평행한 -
MT62F1G64D4EK-023 WT:C Micron Technology Inc. MT62F1G64D4EK-023 WT : c 68.0400
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ECAD 3224 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 활동적인 -25 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 441-TFBGA sdram- 모바일 lpddr5 1.05V 441-TFBGA (14x14) - 557-MT62F1G64D4EK-023WT : c 1 2.133 GHz 휘발성 휘발성 64gbit 음주 1G X 64 평행한 -
MT46V16M16P-5B AIT:M TR Micron Technology Inc. MT46V16M16P-5B AIT : M TR -
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ECAD 7946 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V16M16 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 256mbit 700 PS 음주 16m x 16 평행한 15ns
MT46V8M16TG-6T:D TR Micron Technology Inc. MT46V8M16TG-6T : D TR -
RFQ
ECAD 4250 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V8M16 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-tsop 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 167 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 700 PS 음주 8m x 16 평행한 15ns
MT48LC8M8A2TG-7E L:G TR Micron Technology Inc. MT48LC8M8A2TG-7E L : G TR -
RFQ
ECAD 1988 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC8M8A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.4 ns 음주 8m x 8 평행한 14ns
MT28F320J3FS-11 ET TR Micron Technology Inc. MT28F320J3FS-11 et tr -
RFQ
ECAD 4040 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-FBGA MT28F320J3 플래시 2.7V ~ 3.6V 64-FBGA (10x13) 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 32mbit 110 ns 플래시 4m x 8, 2m x 16 평행한 -
EDW4032CABG-50-N-F-D Micron Technology Inc. EDW4032CABG-50-NFD -
RFQ
ECAD 1804 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) - - EDW4032 sgram -gddr5 1.31V ~ 1.39V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,440 1.25GHz 휘발성 휘발성 4gbit 숫양 128m x 32 평행한 -
MT41K512M8DA-107 IT:P Micron Technology Inc. MT41K512M8DA-107 IT : p -
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ECAD 7393 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT41K512M8 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,440 933 MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 512m x 8 평행한 -
MT48H4M16LFF4-8 Micron Technology Inc. MT48H4M16LFF4-8 -
RFQ
ECAD 9903 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-VFBGA MT48H4M16 sdram- 모바일 lpsdr 1.7V ~ 1.9V 54-VFBGA (8x8) 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 125MHz 휘발성 휘발성 64mbit 6 ns 음주 4m x 16 평행한 15ns
MT46V16M16CY-5B XIT:M TR Micron Technology Inc. MT46V16M16CY-5B XIT : M TR -
RFQ
ECAD 7069 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA MT46V16M16 sdram -ddr 2.5V ~ 2.7V 60-FBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 256mbit 700 PS 음주 16m x 16 평행한 15ns
MTFC32GAMALAM-WT ES Micron Technology Inc. MTFC32GAMALAM-WT ES -
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ECAD 6074 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 쟁반 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TA) - - MTFC32G 플래시 - NAND - - - 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 1,520 비 비 256gbit 플래시 32g x 8 MMC -
MT29F256G08EFEBBWP:B TR Micron Technology Inc. MT29F256G08EFEBBWP : B TR -
RFQ
ECAD 3349 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F256G08 플래시 -Nand (TLC) 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 2,000 비 비 256gbit 플래시 32g x 8 평행한 -
MT29F128G08AMCDBJ5-6:D TR Micron Technology Inc. MT29F128G08AMCDBJ5-6 : D TR -
RFQ
ECAD 1363 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 - MT29F128G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 132-TBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,000 167 MHz 비 비 128gbit 플래시 16g x 8 평행한 -
MT29F3T08EUHBBM4-3RES:B TR Micron Technology Inc. MT29F3T08EUHBBM4-3RES : B TR -
RFQ
ECAD 6669 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) - - MT29F3T08 플래시 - NAND 2.5V ~ 3.6V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 333 MHz 비 비 3tbit 플래시 384g x 8 평행한 -
MT62F2G64D8EK-023 AUT:C TR Micron Technology Inc. MT62F2G64D8EK-023 AUT : C TR 145.4250
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ECAD 9919 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 557-MT62F2G64D8EK-023AUT : CTR 2,000
MT46H32M32LFCG-6:A Micron Technology Inc. MT46H32M32LFCG-6 : a -
RFQ
ECAD 5860 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 152-VFBGA MT46H32M32 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 152-VFBGA (14x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,000 166 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 5 ns 음주 32m x 32 평행한 15ns
MT53B256M32D1PX-062 XT:C TR Micron Technology Inc. MT53B256M32D1PX-062 XT : C TR -
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ECAD 9581 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 105 ° C (TC) - - MT53B256 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 1.6GHz 휘발성 휘발성 8gbit 음주 256m x 32 - -
MT29F32G08ABCABH1-10Z:A Micron Technology Inc. MT29F32G08ABCABH1-10Z : a -
RFQ
ECAD 6580 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-VBGA MT29F32G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 100-VBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 100MHz 비 비 32gbit 플래시 4G X 8 평행한 -
M25P20-VMN6T TR Micron Technology Inc. M25P20-VMN6T TR -
RFQ
ECAD 5587 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) M25P20 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 도 8- 다운로드 rohs 비준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 2,500 50MHz 비 비 2mbit 플래시 256k x 8 SPI 15ms, 5ms
N25Q128A23B1241E Micron Technology Inc. N25Q128A23B1241E -
RFQ
ECAD 6758 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA N25Q128A23 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 24-T-PBGA (6x8) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 187 108 MHz 비 비 128mbit 플래시 32m x 4 SPI 8ms, 5ms
MT53B256M32D1PX-062 XT ES:C TR Micron Technology Inc. MT53B256M32D1PX-062 XT ES : C TR -
RFQ
ECAD 1390 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -30 ° C ~ 105 ° C (TC) - - MT53B256 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 1.6GHz 휘발성 휘발성 8gbit 음주 256m x 32 - -
MT53D1024M64D8NW-046 WT:D TR Micron Technology Inc. MT53D1024M64D8NW-046 WT : D TR -
RFQ
ECAD 4207 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 432-VFBGA MT53D1024 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 432-VFBGA (15x15) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 2.133 GHz 휘발성 휘발성 64gbit 음주 1G X 64 - -
MT46H8M16LFCF-10 Micron Technology Inc. MT46H8M16LFCF-10 -
RFQ
ECAD 6359 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 60-VFBGA MT46H8M16 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.9V 60-VFBGA (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 104 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 7 ns 음주 8m x 16 평행한 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고