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![]() | MT42L32M16D1U67MWC2 | - | ![]() | 9465 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -25 ° C ~ 85 ° C (TC) | MT42L32M16 | sdram- 모바일 lpddr2 | 1.14V ~ 1.3V | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1 | 휘발성 휘발성 | 512mbit | 음주 | 32m x 16 | 평행한 | |||||||||
MT46V32M16CY-5B IT : J TR | 6.2250 | ![]() | 5371 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 60-TFBGA | MT46V32M16 | sdram -ddr | 2.5V ~ 2.7V | 60-FBGA (8x12.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 200MHz | 휘발성 휘발성 | 512mbit | 700 PS | 음주 | 32m x 16 | 평행한 | 15ns | |||
![]() | MT46H16M32LFCX-6 : B TR | - | ![]() | 6467 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 90-VFBGA | MT46H16M32 | sdram- 모바일 lpddr | 1.7V ~ 1.95V | 90-VFBGA (9x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 166 MHz | 휘발성 휘발성 | 512mbit | 5 ns | 음주 | 16m x 32 | 평행한 | 15ns | ||
![]() | MT46H64M32LFMA-5 IT : A TR | - | ![]() | 7409 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 168-WFBGA | MT46H64M32 | sdram- 모바일 lpddr | 1.7V ~ 1.95V | 168-WFBGA (12x12) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 200MHz | 휘발성 휘발성 | 2gbit | 5 ns | 음주 | 64m x 32 | 평행한 | 15ns | |||
MT25QL01GBB8E12-0SIT TR | 19.6100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 24-TBGA | MT25QL01 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 24-T-PBGA (6x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 133 MHz | 비 비 | 1gbit | 플래시 | 128m x 8 | SPI | 8ms, 2.8ms | ||||
![]() | MT46V32M8TG-75 : G TR | - | ![]() | 4521 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) | MT46V32M8 | sdram -ddr | 2.3V ~ 2.7V | 66-tsop | 다운로드 | rohs 비준수 | 2 (1 년) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | 휘발성 휘발성 | 256mbit | 750 ps | 음주 | 32m x 8 | 평행한 | 15ns | ||
![]() | MT48LC4M16A2B4-6A IT : J TR | - | ![]() | 7374 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 54-VFBGA | MT48LC4M16A2 | sdram | 3V ~ 3.6V | 54-VFBGA (8x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 167 MHz | 휘발성 휘발성 | 64mbit | 5.4 ns | 음주 | 4m x 16 | 평행한 | 12ns | ||
![]() | MT29F32G08ABCABH1-10 : a | - | ![]() | 8425 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 100-VBGA | MT29F32G08 | 플래시 - NAND | 2.7V ~ 3.6V | 100-VBGA (12x18) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 100MHz | 비 비 | 32gbit | 플래시 | 4G X 8 | 평행한 | - | ||||
![]() | MT62F1G64D4EK-023 WT : c | 68.0400 | ![]() | 3224 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 상자 | 활동적인 | -25 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | 441-TFBGA | sdram- 모바일 lpddr5 | 1.05V | 441-TFBGA (14x14) | - | 557-MT62F1G64D4EK-023WT : c | 1 | 2.133 GHz | 휘발성 휘발성 | 64gbit | 음주 | 1G X 64 | 평행한 | - | ||||||||
![]() | MT46V16M16P-5B AIT : M TR | - | ![]() | 7946 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) | MT46V16M16 | sdram -ddr | 2.3V ~ 2.7V | 66-tsop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 200MHz | 휘발성 휘발성 | 256mbit | 700 PS | 음주 | 16m x 16 | 평행한 | 15ns | ||
![]() | MT46V8M16TG-6T : D TR | - | ![]() | 4250 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) | MT46V8M16 | sdram -ddr | 2.3V ~ 2.7V | 66-tsop | 다운로드 | rohs 비준수 | 2 (1 년) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 167 MHz | 휘발성 휘발성 | 128mbit | 700 PS | 음주 | 8m x 16 | 평행한 | 15ns | ||
![]() | MT48LC8M8A2TG-7E L : G TR | - | ![]() | 1988 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) | MT48LC8M8A2 | sdram | 3V ~ 3.6V | 54-TSOP II | 다운로드 | rohs 비준수 | 2 (1 년) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 133 MHz | 휘발성 휘발성 | 64mbit | 5.4 ns | 음주 | 8m x 8 | 평행한 | 14ns | ||
![]() | MT28F320J3FS-11 et tr | - | ![]() | 4040 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 64-FBGA | MT28F320J3 | 플래시 | 2.7V ~ 3.6V | 64-FBGA (10x13) | 다운로드 | rohs 비준수 | 2 (1 년) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 비 비 | 32mbit | 110 ns | 플래시 | 4m x 8, 2m x 16 | 평행한 | - | |||
![]() | EDW4032CABG-50-NFD | - | ![]() | 1804 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | - | - | EDW4032 | sgram -gddr5 | 1.31V ~ 1.39V | - | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 1,440 | 1.25GHz | 휘발성 휘발성 | 4gbit | 숫양 | 128m x 32 | 평행한 | - | |||
![]() | MT41K512M8DA-107 IT : p | - | ![]() | 7393 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 78-TFBGA | MT41K512M8 | sdram -ddr3l | 1.283V ~ 1.45V | 78-FBGA (8x10.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1,440 | 933 MHz | 휘발성 휘발성 | 4gbit | 20 ns | 음주 | 512m x 8 | 평행한 | - | ||
MT48H4M16LFF4-8 | - | ![]() | 9903 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 상자 | sic에서 중단되었습니다 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 54-VFBGA | MT48H4M16 | sdram- 모바일 lpsdr | 1.7V ~ 1.9V | 54-VFBGA (8x8) | 다운로드 | rohs 비준수 | 2 (1 년) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 125MHz | 휘발성 휘발성 | 64mbit | 6 ns | 음주 | 4m x 16 | 평행한 | 15ns | |||
MT46V16M16CY-5B XIT : M TR | - | ![]() | 7069 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 60-TFBGA | MT46V16M16 | sdram -ddr | 2.5V ~ 2.7V | 60-FBGA (8x12.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 200MHz | 휘발성 휘발성 | 256mbit | 700 PS | 음주 | 16m x 16 | 평행한 | 15ns | |||
![]() | MTFC32GAMALAM-WT ES | - | ![]() | 6074 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | 쟁반 | 쓸모없는 | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | - | - | MTFC32G | 플래시 - NAND | - | - | - | 1 (무제한) | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1,520 | 비 비 | 256gbit | 플래시 | 32g x 8 | MMC | - | ||||||
MT29F256G08EFEBBWP : B TR | - | ![]() | 3349 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) | MT29F256G08 | 플래시 -Nand (TLC) | 2.7V ~ 3.6V | 48-tsop i | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 2,000 | 비 비 | 256gbit | 플래시 | 32g x 8 | 평행한 | - | ||||||
![]() | MT29F128G08AMCDBJ5-6 : D TR | - | ![]() | 1363 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | - | MT29F128G08 | 플래시 - NAND | 2.7V ~ 3.6V | 132-TBGA (12x18) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1,000 | 167 MHz | 비 비 | 128gbit | 플래시 | 16g x 8 | 평행한 | - | ||||
![]() | MT29F3T08EUHBBM4-3RES : B TR | - | ![]() | 6669 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | - | - | MT29F3T08 | 플래시 - NAND | 2.5V ~ 3.6V | - | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 333 MHz | 비 비 | 3tbit | 플래시 | 384g x 8 | 평행한 | - | |||
![]() | MT62F2G64D8EK-023 AUT : C TR | 145.4250 | ![]() | 9919 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | 557-MT62F2G64D8EK-023AUT : CTR | 2,000 | |||||||||||||||||||||
![]() | MT46H32M32LFCG-6 : a | - | ![]() | 5860 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 152-VFBGA | MT46H32M32 | sdram- 모바일 lpddr | 1.7V ~ 1.95V | 152-VFBGA (14x14) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 166 MHz | 휘발성 휘발성 | 1gbit | 5 ns | 음주 | 32m x 32 | 평행한 | 15ns | ||
![]() | MT53B256M32D1PX-062 XT : C TR | - | ![]() | 9581 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -30 ° C ~ 105 ° C (TC) | - | - | MT53B256 | sdram- 모바일 lpddr4 | 1.1V | - | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.6GHz | 휘발성 휘발성 | 8gbit | 음주 | 256m x 32 | - | - | |||
![]() | MT29F32G08ABCABH1-10Z : a | - | ![]() | 6580 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 100-VBGA | MT29F32G08 | 플래시 - NAND | 2.7V ~ 3.6V | 100-VBGA (12x18) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,120 | 100MHz | 비 비 | 32gbit | 플래시 | 4G X 8 | 평행한 | - | |||
![]() | M25P20-VMN6T TR | - | ![]() | 5587 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | M25P20 | 플래시 - 아니오 | 2.3V ~ 3.6V | 도 8- | 다운로드 | rohs 비준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 2,500 | 50MHz | 비 비 | 2mbit | 플래시 | 256k x 8 | SPI | 15ms, 5ms | |||
![]() | N25Q128A23B1241E | - | ![]() | 6758 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 24-TBGA | N25Q128A23 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 24-T-PBGA (6x8) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 187 | 108 MHz | 비 비 | 128mbit | 플래시 | 32m x 4 | SPI | 8ms, 5ms | ||||
![]() | MT53B256M32D1PX-062 XT ES : C TR | - | ![]() | 1390 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -30 ° C ~ 105 ° C (TC) | - | - | MT53B256 | sdram- 모바일 lpddr4 | 1.1V | - | - | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.6GHz | 휘발성 휘발성 | 8gbit | 음주 | 256m x 32 | - | - | ||||
MT53D1024M64D8NW-046 WT : D TR | - | ![]() | 4207 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 432-VFBGA | MT53D1024 | sdram- 모바일 lpddr4 | 1.1V | 432-VFBGA (15x15) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 2.133 GHz | 휘발성 휘발성 | 64gbit | 음주 | 1G X 64 | - | - | ||||
![]() | MT46H8M16LFCF-10 | - | ![]() | 6359 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | sic에서 중단되었습니다 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 60-VFBGA | MT46H8M16 | sdram- 모바일 lpddr | 1.7V ~ 1.9V | 60-VFBGA (8x10) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 104 MHz | 휘발성 휘발성 | 128mbit | 7 ns | 음주 | 8m x 16 | 평행한 | 15ns |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
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