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통합 통합 (ICS) (10403)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
MT29F4G16ABBDAH4-AIT:D Micron Technology Inc. MT29F4G16ABBDAH4-ait : d -
RFQ
 ECAD 8989 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F4G16 플래시 - NAND 1.7V ~ 1.95V 48-tsop i - 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 비 비 4gbit 플래시 256m x 16 평행한 -
MT58L64L18DT-10 Micron Technology Inc. MT58L64L18DT-10 7.0500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Micron Technology Inc. SyncBurst ™ 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp sram- 표준 3.135V ~ 3.6V 100-TQFP (14x20.1) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 3A991B2B 8542.32.0041 500 100MHz 휘발성 휘발성 1mbit 5 ns SRAM 64k x 18 평행한 -
MT48LC8M16A2P-7E IT:G TR Micron Technology Inc. MT48LC8M16A2P-7E IT : G TR -
RFQ
 ECAD 2092 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC8M16A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 8m x 16 평행한 14ns
MT29F32G08QAAWP:A TR Micron Technology Inc. MT29F32G08QAAWP : A TR -
RFQ
 ECAD 1580 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F32G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 32gbit 플래시 4G X 8 평행한 -
EDB4432BBPA-1D-F-R Micron Technology Inc. EDB4432BBPA-1D-FR -
RFQ
 ECAD 4001 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 168-WFBGA EDB4432 sdram- 모바일 lpddr2 1.14V ~ 1.95V 168-FBGA (12x12) - Rohs3 준수 귀 99 8542.32.0036 1,000 533 MHz 휘발성 휘발성 4gbit 음주 128m x 32 평행한 -
MT29F4G01ABBFD12-AATES:F Micron Technology Inc. MT29F4G01ABBFD12-AATES : f -
RFQ
 ECAD 3067 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 24-TBGA MT29F4G01 플래시 - NAND 1.7V ~ 1.95V 24-T-PBGA (6x8) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 비 비 4gbit 플래시 4g x 1 SPI -
MT55L256L18F1T-11 Micron Technology Inc. MT55L256L18F1T-11 4.4800
RFQ
 ECAD 558 0.00000000 Micron Technology Inc. ZBT® 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp SRAM -ZBT 3.135V ~ 3.465V 100-TQFP (14x20.1) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 3A991B2A 8542.32.0041 1 90MHz 휘발성 휘발성 4mbit 8.5 ns SRAM 256k x 18 평행한 -
MT29F128G08AMCABK3-10:A Micron Technology Inc. MT29F128G08AMCABK3-10 : a -
RFQ
 ECAD 4581 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) - - MT29F128G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100MHz 비 비 128gbit 플래시 16g x 8 평행한 -
MT29F64G08CBAAAWP-IT:A TR Micron Technology Inc. MT29F64G08CBAAAWP-IT : A TR -
RFQ
 ECAD 4014 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F64G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1 비 비 64gbit 플래시 8g x 8 평행한 -
MT29F512G08CMCCBH7-6ITR:C Micron Technology Inc. MT29F512G08CMCCBH7-6ITR : c -
RFQ
 ECAD 7986 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 152-TBGA MT29F512G08 플래시 -Nand (MLC) 2.7V ~ 3.6V 152-TBGA (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 980 166 MHz 비 비 512gbit 플래시 64g x 8 평행한 -
MT46V128M4FN-75:D TR Micron Technology Inc. MT46V128M4FN-75 : D TR -
RFQ
 ECAD 1244 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA MT46V128M4 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 60-FBGA (10x12.5) - rohs 비준수 5 (48 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 750 ps 음주 128m x 4 평행한 15ns
MT47H128M8HQ-3:E TR Micron Technology Inc. MT47H128M8HQ-3 : E TR -
RFQ
 ECAD 8249 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 60-FBGA MT47H128M8 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 60-FBGA (8x11.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 2,000 333 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 450 ps 음주 128m x 8 평행한 15ns
28153735 Micron Technology Inc. 28153735 -
RFQ
 ECAD 8843 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - - - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 500
MT25QU128ABA1ESE-0SIT Micron Technology Inc. mt25qu128aba1ese-0sit 4.1200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) MT25QU128 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 133 MHz 비 비 128mbit 플래시 16m x 8 SPI 8ms, 2.8ms
M29W160EB90N6 Micron Technology Inc. M29W160EB90N6 -
RFQ
 ECAD 5224 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M29W160 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 48-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 96 비 비 16mbit 90 ns 플래시 2m x 8, 1m x 16 평행한 90ns
M25P40-VMP6TG/TS TR Micron Technology Inc. M25P40-VMP6TG/TS TR -
RFQ
 ECAD 7800 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 M25P40 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 8-vdfpn (6x5) (MLP8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 4,000 50MHz 비 비 4mbit 플래시 512k x 8 SPI 15ms, 5ms
MT38M5071A3063RZZI.YE8 TR Micron Technology Inc. MT38M5071A3063RZZI.YE8 TR -
RFQ
 ECAD 5443 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 133-VFBGA MT38M5071 플래시 - 아니오, psram 1.7V ~ 1.95V 133-VFBGA (8x8) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 2,500 133 MHz 비 비, 휘발성 512mbit (m), 512mbit (RAM) 플래시, 램 32m x 16, 32m x 16 평행한 -
N25Q008A11ESC40FS02 TR Micron Technology Inc. N25Q008A11ESC40FS02 TR -
RFQ
 ECAD 6925 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) N25Q008A11 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 2,500 108 MHz 비 비 8mbit 플래시 1m x 8 SPI 8ms, 5ms
MT49H32M9FM-33:B TR Micron Technology Inc. MT49H32M9FM-33 : B TR -
RFQ
 ECAD 3644 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 144-TFBGA MT49H32M9 음주 1.7V ~ 1.9V 144-µBGA (18.5x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 300MHz 휘발성 휘발성 288mbit 20 ns 음주 32m x 9 평행한 -
MT28F640J3BS-115 GMET Micron Technology Inc. MT28F640J3BS-115 GMET -
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 ECAD 9289 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-FBGA MT28F640J3 플래시 2.7V ~ 3.6V 64-FBGA (10x13) 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 64mbit 115 ns 플래시 8m x 8, 4m x 16 평행한 -
MTFC8GLGDM-AIT Z TR Micron Technology Inc. mtfc8glgdm-ait z tr -
RFQ
 ECAD 1747 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 153-TFBGA MTFC8 플래시 - NAND 1.65V ~ 3.6V 153-TFBGA (11.5x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 64gbit 플래시 8g x 8 MMC -
MTFC16GAKAEJP-5M AIT TR Micron Technology Inc. MTFC16GAKAEJP-5M AIT TR -
RFQ
 ECAD 2849 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 153-VFBGA MTFC16 플래시 - NAND 1.7V ~ 1.9V 153-VFBGA (11.5x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 128gbit 플래시 16g x 8 MMC -
MT41K128M8JP-125:G Micron Technology Inc. MT41K128M8JP-125 : g -
RFQ
 ECAD 8314 0.00000000 Micron Technology Inc. - 튜브 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT41K128M8 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (8x11.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0036 1,000 800MHz 휘발성 휘발성 1gbit 13.75 ns 음주 128m x 8 평행한 -
MT46V32M16FN-75:C Micron Technology Inc. MT46V32M16FN-75 : c -
RFQ
 ECAD 9303 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA MT46V32M16 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 60-FBGA (10x12.5) - rohs 비준수 5 (48 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 750 ps 음주 32m x 16 평행한 15ns
MT41K2G8KJR-125:A Micron Technology Inc. MT41K2G8KJR-125 : a -
RFQ
 ECAD 5773 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT41K2G8 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (9.5x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,020 800MHz 휘발성 휘발성 16gbit 13.5 ns 음주 2G X 8 평행한 -
N25Q128A11B1241F TR Micron Technology Inc. N25Q128A11B1241F TR -
RFQ
 ECAD 4414 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA N25Q128A11 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 24-T-PBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 108 MHz 비 비 128mbit 플래시 16m x 8 SPI 8ms, 5ms
MT25TL01GHBB8ESF-0AAT TR Micron Technology Inc. MT25TL01GHBB8ESF-0AAT TR -
RFQ
 ECAD 9691 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) MT25TL01 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 16-SOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 133 MHz 비 비 1gbit 플래시 128m x 8 SPI 8ms, 2.8ms
MT29F256G08EBHAFB16A3WC1-R Micron Technology Inc. MT29F256G08EBHAFB16A3WC1-R -
RFQ
 ECAD 5602 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 주사위 MT29F256G08 플래시 -Nand (TLC) 2.5V ~ 3.6V 주사위 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 1 333 MHz 비 비 256gbit 플래시 32g x 8 평행한 -
MT45W8MW16BGX-701 IT TR Micron Technology Inc. MT45W8MW16BGX-701 IT TR -
RFQ
 ECAD 1660 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 54-VFBGA MT45W8MW16 psram (의사 sram) 1.7V ~ 1.95V 54-VFBGA (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 104 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 70 ns psram 8m x 16 평행한 70ns
JS28F512P30EFA Micron Technology Inc. JS28F512P30EFA -
RFQ
 ECAD 1897 0.00000000 Micron Technology Inc. Axcell ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) JS28F512P30 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 56-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 576 40MHz 비 비 512mbit 110 ns 플래시 32m x 16 평행한 110ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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