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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전압 - 공급 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 시계 시계 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 액세스 액세스 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지 |
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![]() | MT40A1G16TB-062E IT : f | 14.9550 | ![]() | 8827 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 96-TFBGA | MT40A1G16 | sdram -ddr4 | 1.14V ~ 1.26V | 96-FBGA (7.5x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 557-MT40A1G16TB-062EIT : f | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 1.6GHz | 휘발성 휘발성 | 16gbit | 19 ns | 음주 | 1g x 16 | 평행한 | 15ns | |
![]() | MT52L256M32D1PD-107 WT ES : B TR | - | ![]() | 6423 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - | - | MT52L256 | sdram- 모바일 lpddr3 | 1.2V | - | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 933 MHz | 휘발성 휘발성 | 8gbit | 음주 | 256m x 32 | - | - | |||
![]() | MTC4C10163S1SC56BG1 | 50.6850 | ![]() | 4685 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 상자 | 활동적인 | - | 557-MTC4C10163S1SC56BG1 | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | MT58L256V36PS-6 TR | 5.9800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | SyncBurst ™ | 대부분 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 100-lqfp | sram- 표준 | 3.135V ~ 3.6V | 100-TQFP (14x20.1) | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 100 | 166 MHz | 휘발성 휘발성 | 8mbit | 3.5 ns | SRAM | 256k x 36 | 평행한 | - | |||
![]() | MT29F1G16ABBEAH4 : E TR | - | ![]() | 9086 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 63-VFBGA | MT29F1G16 | 플래시 - NAND | 1.7V ~ 1.95V | 63-VFBGA (9x11) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 비 비 | 1gbit | 플래시 | 64m x 16 | 평행한 | - | ||||
![]() | MT29F4T08GLLCEG7-QB : C. | 78.1500 | ![]() | 9217 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 상자 | 활동적인 | - | 557-MT29F4T08GLLCEG7-QB : C. | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | MT53B512M32D2DS-062 XT : c | - | ![]() | 2353 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -30 ° C ~ 105 ° C (TC) | 표면 표면 | 200-WFBGA | MT53B512 | sdram- 모바일 lpddr4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1,360 | 1.6GHz | 휘발성 휘발성 | 16gbit | 음주 | 512m x 32 | - | - | |||
![]() | MT42L64M32D2HE-18 IT : D TR | 8.8050 | ![]() | 5304 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 134-VFBGA | MT42L64M32 | sdram- 모바일 lpddr2 | 1.14V ~ 1.3V | 134-VFBGA (10x11.5) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 557-MT42L64M32D2HE-18IT : DTR | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 533 MHz | 휘발성 휘발성 | 2gbit | 음주 | 64m x 32 | 평행한 | 15ns | ||
![]() | MT29F128G08CBCEBJ4-37ES : E TR | - | ![]() | 5976 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 132-VBGA | MT29F128G08 | 플래시 - NAND | 2.7V ~ 3.6V | 132-VBGA (12x18) | - | 1 (무제한) | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1,000 | 267 MHz | 비 비 | 128gbit | 플래시 | 16g x 8 | 평행한 | - | |||||
![]() | MT47H32M16BN-25 : D TR | - | ![]() | 6228 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 84-TFBGA | MT47H32M16 | sdram -ddr2 | 1.7V ~ 1.9V | 84-FBGA (10x12.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 400MHz | 휘발성 휘발성 | 512mbit | 400 PS | 음주 | 32m x 16 | 평행한 | 15ns | ||
![]() | MT29F2G16ABBGAH4-ait : g | 2.5267 | ![]() | 4604 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 63-VFBGA | MT29F2G16 | 플래시 -Nand (SLC) | 1.7V ~ 1.95V | 63-VFBGA (9x11) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 557-MT29F2G16ABBGAH4-ait : g | 8542.32.0071 | 1,260 | 비 비 | 2gbit | 플래시 | 128m x 16 | 평행한 | - | ||||
![]() | M29W640GH70NB6F TR | - | ![]() | 1496 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) | M29W640 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 56-tsop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,200 | 비 비 | 64mbit | 70 ns | 플래시 | 8m x 8, 4m x 16 | 평행한 | 70ns | ||||
![]() | MT40A256M16GE-083E AIT : B TR | - | ![]() | 1064 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 96-TFBGA | MT40A256M16 | sdram -ddr4 | 1.14V ~ 1.26V | 96-FBGA (9x14) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.2GHz | 휘발성 휘발성 | 4gbit | 음주 | 256m x 16 | 평행한 | - | |||
![]() | M29W256GH7aza6e | - | ![]() | 1948 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 64-TBGA | M29W256 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 64-TBGA (10x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 136 | 비 비 | 256mbit | 70 ns | 플래시 | 32m x 8, 16m x 16 | 평행한 | 70ns | ||||
![]() | MT29F2T08EMLEEJ4-QA : E TR | 52.9800 | ![]() | 5101 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | 557-MT29F2T08EMLEEJ4-QA : ETR | 2,000 | |||||||||||||||||||||
![]() | MTFC32GAKAEDQ-AIAT TR | - | ![]() | 7516 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 100-lbga | MTFC32G | 플래시 - NAND | 2.7V ~ 3.6V | 100-lbga (14x18) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | mtfc32gakaedq-aittr | 쓸모없는 | 8542.32.0071 | 1,000 | 비 비 | 256gbit | 플래시 | 32g x 8 | MMC | - | |||
![]() | MT62F1G64D8CH-031 WT : b | 37.2450 | ![]() | 9208 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | -25 ° C ~ 85 ° C (TC) | - | - | MT62F1G64 | sdram- 모바일 lpddr5 | 1.05V | - | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 557-MT62F1G64D8CH-031WT : b | 1,190 | 3.2GHz | 휘발성 휘발성 | 64gbit | 음주 | 1G X 64 | - | - | ||||
![]() | M25PE20-VMP6TG TR | - | ![]() | 7188 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-vdfn d 패드 | M25PE20 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 8-vdfpn (6x5) (MLP8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 4,000 | 75MHz | 비 비 | 2mbit | 플래시 | 256k x 8 | SPI | 15ms, 3ms | |||
![]() | MT40A1G8Z11BWC1 | 9.0100 | ![]() | 9552 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | - | 표면 표면 | 주사위 | MT40A1G8 | sdram -ddr4 | 1.14V ~ 1.26V | 웨이퍼 | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 휘발성 휘발성 | 8gbit | 음주 | 1g x 8 | 평행한 | - | ||||
![]() | MT29F256G08CMCGBJ4-37R : G TR | - | ![]() | 4916 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 132-VBGA | MT29F256G08 | 플래시 -Nand (MLC) | 2.7V ~ 3.6V | 132-VBGA (12x18) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | MT29F256G08CMCGBJ4-37R : GTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 267 MHz | 비 비 | 256gbit | 플래시 | 32g x 8 | 평행한 | - | |||
![]() | MT55L256V36PT-7.5TR | 14.4200 | ![]() | 500 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | ZBT® | 대부분 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 100-lqfp | SRAM -ZBT | 3.135V ~ 3.465V | 100-TQFP (14x20.1) | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 500 | 133 MHz | 휘발성 휘발성 | 8mbit | 4.2 ns | SRAM | 256k x 36 | 평행한 | - | |||
![]() | MT53E256M32D2DS-046 AAT : b | 20.8700 | ![]() | 1313 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | 표면 표면 | 200-WFBGA | MT53E256 | sdram- 모바일 lpddr4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | MT53E256M32D2DS-046AAT : b | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1,360 | 2.133 GHz | 휘발성 휘발성 | 8gbit | 음주 | 256m x 32 | - | - | ||
![]() | MT29F16T08GSLCEM9-QB : C TR | 312.5850 | ![]() | 8924 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | 557-MT29F16T08GSLCEM9-QB : CTR | 1,500 | |||||||||||||||||||||
![]() | MTFC128GAOANAM-WT TR | - | ![]() | 6076 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | MTFC128 | - | 영향을받지 영향을받지 | 0000.00.0000 | 1,000 | |||||||||||||||||||
MT53D512M64D4NZ-053 WT : D TR | - | ![]() | 3238 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 376-WFBGA | MT53D512 | sdram- 모바일 lpddr4 | 1.1V | 376-WFBGA (14x14) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 1.866 GHz | 휘발성 휘발성 | 32gbit | 음주 | 512m x 64 | - | - | ||||
![]() | MTFC64GBCAQTC-WT TR | 24.5000 | ![]() | 6449 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | 557-MTFC64GBCAQTC-WTTR | 2,000 | |||||||||||||||||||||
![]() | MT29F256G08CKCABH2-10 : a | - | ![]() | 9500 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 100-tbga | MT29F256G08 | 플래시 -Nand (MLC) | 2.7V ~ 3.6V | 100-TBGA (12x18) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 100MHz | 비 비 | 256gbit | 플래시 | 32g x 8 | 평행한 | - | ||||
![]() | MT29TZZZ5D6DKFRL-093 W.9A6 | 50.9250 | ![]() | 1430 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | MT29TZZZ5 | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | MT29TZZZ5D6DKFRL-093W.9A6 | 0000.00.0000 | 1,520 | ||||||||||||||||
![]() | M25PX64S-VMF6P | - | ![]() | 5519 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) | M25PX64 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 16- 형의 행위 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,225 | 75MHz | 비 비 | 64mbit | 플래시 | 8m x 8 | SPI | 15ms, 5ms | ||||
![]() | MT42L128M32D1LH-25 WT : A TR | - | ![]() | 1739 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 216-UFBGA | MT42L128M32 | sdram- 모바일 lpddr2 | 1.14V ~ 1.3V | 216-FBGA (12x12) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 400MHz | 휘발성 휘발성 | 4gbit | 음주 | 128m x 32 | 평행한 | - |
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