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MT46H64M32LFMA-5 WT:B Micron Technology Inc. MT46H64M32LFMA-5 WT : b -
RFQ
ECAD 6304 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 168-WFBGA MT46H64M32 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 168-WFBGA (12x12) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0036 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 2gbit 5 ns 음주 64m x 32 평행한 15ns
MT46H16M32LFCX-6 IT:B Micron Technology Inc. MT46H16M32LFCX-6 IT : b -
RFQ
ECAD 6055 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-VFBGA MT46H16M32 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 90-VFBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 166 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5 ns 음주 16m x 32 평행한 15ns
M50FW080NB5G Micron Technology Inc. M50FW080NB5G -
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ECAD 9285 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -20 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 32-TFSOP (0.488 ", 12.40mm 너비) M50FW080 플래시 - 아니오 3V ~ 3.6V 32-tsop - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 208 33MHz 비 비 8mbit 250 ns 플래시 1m x 8 평행한 -
MT53E384M32D2DS-046 AUT:E Micron Technology Inc. MT53E384M32D2DS-046 AUT : e 18.5700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TC) 표면 표면 200-WFBGA MT53E384 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 MT53E384M32D2DS-046AUT : e 귀 99 8542.32.0036 1,360 2.133 GHz 휘발성 휘발성 12gbit 음주 384m x 32 - -
MTFC128GAPALNS-AAT ES TR Micron Technology Inc. MTFC128GAPALNS-AAT ES TR -
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ECAD 1155 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 153-TFBGA MTFC128 플래시 - NAND - 153-TFBGA (11.5x13) - 1 (무제한) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 1tbit 플래시 128g x 8 MMC -
MT28EW256ABA1HPC-1SIT Micron Technology Inc. mt28ew256aba1hpc-1sit -
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ECAD 2858 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-lbga MT28ew256 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-lbga (11x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,104 비 비 256mbit 75 ns 플래시 32m x 8, 16m x 16 평행한 60ns
MT53E512M32D2NP-046 Micron Technology Inc. MT53E512M32D2NP-046 -
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ECAD 1305 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C 표면 표면 200-WFBGA MT53E512 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 1,360 2.133 GHz 휘발성 휘발성 16gbit 음주 512m x 32 - -
N25Q032A13EV140 Micron Technology Inc. N25Q032A13EV140 -
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ECAD 5949 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) - - N25Q032A13 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V - - Rohs3 준수 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 1 108 MHz 비 비 32mbit 플래시 8m x 4 SPI 8ms, 5ms
MT49H16M18CSJ-25:B TR Micron Technology Inc. MT49H16M18CSJ-25 : B TR -
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ECAD 6181 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 144-TFBGA MT49H16M18 음주 1.7V ~ 1.9V 144-FBGA (18.5x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0028 1,000 400MHz 휘발성 휘발성 288mbit 20 ns 음주 16m x 18 평행한 -
MTFC64GASAQHD-AAT Micron Technology Inc. MTFC64GASAQHD-AAT 31.2900
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ECAD 2756 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 상자 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 153-VFBGA 플래시 -Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V 153-VFBGA (11.5x13) - 557-MTFC64GASAQHD-AAT 1 200MHz 비 비 512gbit 플래시 64g x 8 EMMC_5.1 -
MTFC512GAXATAM-WT Micron Technology Inc. MTFC512GAXATAM-WT 54.1800
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ECAD 5724 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 활동적인 -25 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 153-VFBGA 플래시 -Nand (SLC) - 153-VFBGA (11.5x13) - 557-MTFC512GAXATAM-WT 1 비 비 4tbit 플래시 512g x 8 UFS -
MT46H32M32LFCG-6 IT:A TR Micron Technology Inc. MT46H32M32LFCG-6 IT : A TR -
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ECAD 5051 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 152-VFBGA MT46H32M32 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 152-VFBGA (14x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,000 166 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 5 ns 음주 32m x 32 평행한 15ns
MT48LC2M32B2P-6:G Micron Technology Inc. MT48LC2M32B2P-6 : g -
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ECAD 6690 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC2M32B2 sdram 3V ~ 3.6V 86-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 MT48LC2M32B2P6G 귀 99 8542.32.0002 1,000 167 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.5 ns 음주 2m x 32 평행한 12ns
MT53E128M32D2FW-046 AAT:A Micron Technology Inc. MT53E128M32D2FW-046 AAT : a 8.7450
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ECAD 4118 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 상자 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 200-TFBGA sdram- 모바일 lpddr4 1.06V ~ 1.17V 200-TFBGA (10x14.5) - 557-MT53E128M32D2FW-046AAT : a 1 2.133 GHz 휘발성 휘발성 4gbit 3.5 ns 음주 128m x 32 평행한 18ns
MT29F64G08CBEDBJ4-12:D TR Micron Technology Inc. MT29F64G08CBEDBJ4-12 : D TR -
RFQ
ECAD 8420 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 132-VBGA MT29F64G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 132-VBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,000 83MHz 비 비 64gbit 플래시 8g x 8 평행한 -
M29W128FL70ZA6E Micron Technology Inc. M29W128FL70ZA6E -
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ECAD 8587 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-TBGA M29W128 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-TBGA (10x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 136 비 비 128mbit 70 ns 플래시 16m x 8, 8m x 16 평행한 70ns
MT42L64M64D2MC-3 IT:A Micron Technology Inc. MT42L64M64D2MC-3 IT : a -
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ECAD 2748 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 240-WFBGA MT42L64M64 sdram- 모바일 lpddr2 1.14V ~ 1.3V 240-FBGA (14x14) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0036 1,000 333 MHz 휘발성 휘발성 4gbit 음주 64m x 64 평행한 -
N25Q064A11ESECFE Micron Technology Inc. n25q064a11esecfe -
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ECAD 9867 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) N25Q064A11 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 도 8- - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,800 108 MHz 비 비 64mbit 플래시 16m x 4 SPI 8ms, 5ms
RC28F128J3D75A Micron Technology Inc. RC28F128J3D75A -
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ECAD 3090 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-TBGA RC28F128 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-ESYBGA (10x13) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 864 비 비 128mbit 75 ns 플래시 16m x 8, 8m x 16 평행한 75ns
MT47H32M16HR-187E:G TR Micron Technology Inc. MT47H32M16HR-187E : G TR -
RFQ
ECAD 1210 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 84-TFBGA MT47H32M16 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-FBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0036 1,000 533 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 350 ps 음주 32m x 16 평행한 15ns
MT53D1G64D8NW-046 WT ES:E TR Micron Technology Inc. MT53D1G64D8NW-046 WT ES : E TR -
RFQ
ECAD 7636 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) MT53D1G64 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 1,000 2.133 GHz 휘발성 휘발성 64gbit 음주 1G X 64 - -
MT41J256M16HA-125:E Micron Technology Inc. MT41J256M16HA-125 : e -
RFQ
ECAD 6496 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT41J256M16 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-FBGA (9x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 800MHz 휘발성 휘발성 4gbit 13.75 ns 음주 256m x 16 평행한 -
M58WR032KT70ZB6F TR Micron Technology Inc. M58WR032KT70ZB6F TR -
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ECAD 2221 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-VFBGA M58WR032 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 56-VFBGA (7.7x9) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 66MHz 비 비 32mbit 70 ns 플래시 2m x 16 평행한 70ns
MT53D4DCFL-DC Micron Technology Inc. MT53D4DCFL-DC -
RFQ
ECAD 9180 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 sic에서 중단되었습니다 MT53D4 - 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 1,120
MT47H32M16BN-25E:D TR Micron Technology Inc. MT47H32M16BN-25E : D TR -
RFQ
ECAD 2272 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 84-TFBGA MT47H32M16 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-FBGA (10x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 400MHz 휘발성 휘발성 512mbit 400 PS 음주 32m x 16 평행한 15ns
MT29F1G08ABBEAH4-AITX:E Micron Technology Inc. MT29F1G08ABBEAH4-AITX : e -
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ECAD 7219 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA MT29F1G08 플래시 - NAND 1.7V ~ 1.95V 63-VFBGA (9x11) - 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 비 비 1gbit 플래시 128m x 8 평행한 -
MT29F2G08ABAEAH4-ITE:E TR Micron Technology Inc. MT29F2G08ABAEAH4- 라이트 : E TR -
RFQ
ECAD 7736 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA MT29F2G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 63-VFBGA (9x11) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 2gbit 플래시 256m x 8 평행한 -
PC28F256P33B85B TR Micron Technology Inc. PC28F256P33B85B TR -
RFQ
ECAD 9529 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 64-TBGA PC28F256 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 64-EASYBGA (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 52MHz 비 비 256mbit 85 ns 플래시 16m x 16 평행한 85ns
MT29F4T08EULKEM4-ITF:K TR Micron Technology Inc. MT29F4T08EULKEM4-ITF : K TR 136.1250
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ECAD 4726 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 557-MT29F4T08EULKEM4-ITF : KTR 2,000
MT49H32M18CFM-25E:B Micron Technology Inc. MT49H32M18CFM-25E : b -
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ECAD 7461 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 144-TFBGA MT49H32M18 음주 1.7V ~ 1.9V 144-µBGA (18.5x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0028 1,000 400MHz 휘발성 휘발성 576mbit 15 ns 음주 32m x 18 평행한 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고