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통합 통합 (ICS) (10403)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
MT29F256G08CKCABH2-10:A Micron Technology Inc. MT29F256G08CKCABH2-10 : a -
RFQ
 ECAD 9500 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-tbga MT29F256G08 플래시 -Nand (MLC) 2.7V ~ 3.6V 100-TBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100MHz 비 비 256gbit 플래시 32g x 8 평행한 -
MT29TZZZ5D6DKFRL-093 W.9A6 Micron Technology Inc. MT29TZZZ5D6DKFRL-093 W.9A6 50.9250
RFQ
 ECAD 1430 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 MT29TZZZ5 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 MT29TZZZ5D6DKFRL-093W.9A6 0000.00.0000 1,520
M25PX64S-VMF6P Micron Technology Inc. M25PX64S-VMF6P -
RFQ
 ECAD 5519 0.00000000 Micron Technology Inc. - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) M25PX64 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 16- 형의 행위 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,225 75MHz 비 비 64mbit 플래시 8m x 8 SPI 15ms, 5ms
MT42L128M32D1LH-25 WT:A TR Micron Technology Inc. MT42L128M32D1LH-25 WT : A TR -
RFQ
 ECAD 1739 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 216-UFBGA MT42L128M32 sdram- 모바일 lpddr2 1.14V ~ 1.3V 216-FBGA (12x12) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 400MHz 휘발성 휘발성 4gbit 음주 128m x 32 평행한 -
MT53E384M32D2DS-046 AIT:E TR Micron Technology Inc. MT53E384M32D2DS-046 AIT : E TR -
RFQ
 ECAD 1943 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 200-WFBGA MT53E384 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 MT53E384M32DS-046AIT : ETR 귀 99 8542.32.0036 2,000 2.133 GHz 휘발성 휘발성 12gbit 음주 384m x 32 - -
MT29F1G08ABBFAH4-AAT:F TR Micron Technology Inc. MT29F1G08ABBFAH4-AAT : F TR 2.9665
RFQ
 ECAD 4711 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA MT29F1G08 플래시 -Nand (SLC) 1.7V ~ 1.95V 63-VFBGA (9x11) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 557-MT29F1G08ABBFAH4-AAT : FTR 8542.32.0071 2,000 비 비 1gbit 25 ns 플래시 128m x 8 평행한 25ns
MT29F1T08GBLBEJ4:B Micron Technology Inc. MT29F1T08GBLBEJ4 : b -
RFQ
 ECAD 2667 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 132-VBGA MT29F1T08 플래시 - NAND 2.5V ~ 3.6V 132-VBGA (12x18) - 557-MT29F1T08GBLBEJ4 : b 쓸모없는 1,120 비 비 1tbit 플래시 128g x 8 평행한
MT53B192M64D2SG-062 WT ES:A TR Micron Technology Inc. MT53B192M64D2SG-062 WT ES : A TR -
RFQ
 ECAD 9982 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - MT53B192 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - - 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 1,000 1.6GHz 휘발성 휘발성 12gbit 음주 192m x 64 - -
MT62F2G64D8EK-026 AIT:B TR Micron Technology Inc. MT62F2G64D8EK-026 AIT : B TR 114.9600
RFQ
 ECAD 2637 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C 표면 표면 441-TFBGA sdram- 모바일 lpddr5 1.05V 441-TFBGA (14x14) - 557-MT62F2G64D8EK-026AIT : BTR 2,000 3.2GHz 휘발성 휘발성 128gbit 음주 2G X 64 평행한 -
MT46H64M16LFBF-5 AAT:B Micron Technology Inc. MT46H64M16LFBF-5 AAT : b -
RFQ
 ECAD 9716 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 60-VFBGA MT46H64M16 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 60-VFBGA (8x9) - 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,782 200MHz 휘발성 휘발성 1gbit 5 ns 음주 64m x 16 평행한 15ns
MT49H32M18CBM-18:B TR Micron Technology Inc. MT49H32M18CBM-18 : B TR -
RFQ
 ECAD 3504 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 144-TFBGA MT49H32M18 음주 1.7V ~ 1.9V 144-µBGA (18.5x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 533 MHz 휘발성 휘발성 576mbit 15 ns 음주 32m x 18 평행한 -
MTFC64GASAONS-AIT Micron Technology Inc. mtfc64gasaons-ait 37.6950
RFQ
 ECAD 7651 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q104 상자 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 153-TFBGA 플래시 -Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V 153-TFBGA (11.5x13) - 557-MTFC64GASAONS-AAI 1 52MHz 비 비 512gbit 플래시 64g x 8 UFS2.1 -
MT29F1G08ABAEAWP-AITX:E TR Micron Technology Inc. mt29f1g08abaeawp-aitx : e tr 2.4831
RFQ
 ECAD 2734 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F1G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 1gbit 플래시 128m x 8 평행한 -
MT29VZZZBD8FQKSM-046 W.G8J Micron Technology Inc. MT29VZZZBD8FQKSM-046 W.G8J -
RFQ
 ECAD 8869 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 MT29VZZZBD8 - Rohs3 준수 557-MT29VZZZBD8FQKSM-046W.G8J 쓸모없는 152
MT53D384M32D2DS-053 AAT ES:C TR Micron Technology Inc. MT53D384M32D2DS-053 AAT ES : C TR -
RFQ
 ECAD 4598 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 200-WFBGA MT53D384 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 2,000 1.866 GHz 휘발성 휘발성 12gbit 음주 384m x 32 - -
MT28EW128ABA1HPN-0SIT TR Micron Technology Inc. Mt28ew128aba1hpn-0sit tr -
RFQ
 ECAD 1932 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-VFBGA MT28ew128 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 56-VFBGA (7x9) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 비 비 128mbit 95 ns 플래시 16m x 8, 8m x 16 평행한 60ns
MT47H32M16BN-37E IT:D TR Micron Technology Inc. MT47H32M16BN-37E IT : D TR -
RFQ
 ECAD 7565 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 84-TFBGA MT47H32M16 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-FBGA (10x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 267 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 500 PS 음주 32m x 16 평행한 15ns
MT46H64M16LFBF-5 AAT:B TR Micron Technology Inc. MT46H64M16LFBF-5 AAT : B TR -
RFQ
 ECAD 9430 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 60-VFBGA MT46H64M16 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 60-VFBGA (8x9) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 1gbit 5 ns 음주 64m x 16 평행한 15ns
MT58L128V32P1T-7.5 Micron Technology Inc. MT58L128V32P1T-7.5 4.9100
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 Micron Technology Inc. SyncBurst ™ 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp sram- 표준 3.135V ~ 3.6V 100-TQFP (14x20.1) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 휘발성 휘발성 4mbit 4 ns SRAM 128k x 32 평행한 -
M50FLW040ANB5TG TR Micron Technology Inc. M50FLW040ANB5TG TR -
RFQ
 ECAD 9652 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -20 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 32-TFSOP (0.488 ", 12.40mm 너비) M50FLW040 플래시 - 아니오 3V ~ 3.6V 32-tsop - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,500 33MHz 비 비 4mbit 250 ns 플래시 512k x 8 평행한 -
MT53E2G32D4DT-046 WT:A TR Micron Technology Inc. MT53E2G32D4DT-046 WT : A TR 47.4300
RFQ
 ECAD 6642 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) MT53E2G32 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 MT53E2G32D4DT-046WT : ATR 0000.00.0000 2,000 2.133 GHz 휘발성 휘발성 64gbit 음주 2G X 32 - -
MT29F64G08CBABBWPR:B TR Micron Technology Inc. MT29F64G08CBABBWPR : B TR -
RFQ
 ECAD 5535 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F64G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 64gbit 플래시 8g x 8 평행한 -
MT53ED1ADS-DC Micron Technology Inc. mt53ed1ads-dc 22.5000
RFQ
 ECAD 9063 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 활동적인 mt53ed1 - 영향을받지 영향을받지 557-MT53ED1ADS-DC 1,360
MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F Micron Technology Inc. MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F -
RFQ
 ECAD 3570 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 162-VFBGA MT29RZ4B2 플래시 -nand, dram -lpddr2 1.8V 162-VFBGA (10.5x8) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,440 533 MHz 비 비, 휘발성 4GBIT (NAND), 2GBIT (LPDDR2) 플래시, 램 128m x 32 (NAND), 64m x 32 (LPDDR2) 평행한 -
M25P40-VMN3TP/X TR Micron Technology Inc. M25P40-VMN3TP/X TR -
RFQ
 ECAD 8776 0.00000000 Micron Technology Inc. - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) M25P40 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 2,500 50MHz 비 비 4mbit 플래시 512k x 8 SPI 15ms, 5ms
M29F800FB5AM6F2 TR Micron Technology Inc. M29F800FB5AM6F2 TR -
RFQ
 ECAD 9997 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-SOIC (0.496 ", 12.60mm 너비) M29F800 플래시 - 아니오 4.5V ~ 5.5V 44- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 500 비 비 8mbit 55 ns 플래시 1m x 8, 512k x 16 평행한 55ns
MT25TU01GHBB8ESF-0SIT TR Micron Technology Inc. MT25TU01GHBB8ESF-0SIT TR -
RFQ
 ECAD 9029 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000
M25P16-VMC6G Micron Technology Inc. M25P16-VMC6G -
RFQ
 ECAD 2323 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-udfn n 패드 M25P16 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-UFDFPN (MLP8) (4x3) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 490 75MHz 비 비 16mbit 플래시 2m x 8 SPI 15ms, 5ms
MT40A1G16RC-062E IT:B Micron Technology Inc. MT40A1G16RC-062E IT : b 22.1500
RFQ
 ECAD 5970 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT40A1G16 sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 96-FBGA (10x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,360 1.6GHz 휘발성 휘발성 16gbit 19 ns 음주 1g x 16 평행한 15ns
EDB8164B4PR-1D-F-D Micron Technology Inc. EDB8164B4PR-1D-FD -
RFQ
 ECAD 9850 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 216-WFBGA EDB8164 sdram- 모바일 lpddr2 1.14V ~ 1.95V 216-FBGA (12x12) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,680 533 MHz 휘발성 휘발성 8gbit 음주 128m x 64 평행한 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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