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통합 통합 (ICS) (10403)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
MTFC64GAZAQHD-IT Micron Technology Inc. MTFC64GAZAQHD-IT 29.3250
RFQ
 ECAD 2142 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 153-VFBGA MTFC64 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 153-VFBGA (11.5x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 557-MTFC64GAZAQHD-IT 1,520 200MHz 비 비 512gbit 플래시 64g x 8 EMMC -
MTFC32GJTED-4M IT Micron Technology Inc. MTFC32GJTED-4M IT -
RFQ
 ECAD 2428 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 169-VFBGA MTFC32G 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 169-VFBGA (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 256gbit 플래시 32g x 8 MMC -
M25P64S-VMF6TP TR Micron Technology Inc. M25P64S-VMF6TP TR -
RFQ
 ECAD 5205 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) M25P64 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 16-SOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 75MHz 비 비 64mbit 플래시 8m x 8 SPI 15ms, 5ms
MT29F64G08CECCBH1-12:C Micron Technology Inc. MT29F64G08CECCBH1-12 : c -
RFQ
 ECAD 1330 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-VBGA MT29F64G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 100-VBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83MHz 비 비 64gbit 플래시 8g x 8 평행한 -
MT29F256G08CKCABH2-12Z:A Micron Technology Inc. MT29F256G08CKCABH2-12Z : a -
RFQ
 ECAD 1779 0.00000000 Micron Technology Inc. - 튜브 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-tbga MT29F256G08 플래시 -Nand (MLC) 2.7V ~ 3.6V 100-TBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83MHz 비 비 256gbit 플래시 32g x 8 평행한 -
MT40A1G8SA-062E IT:J TR Micron Technology Inc. MT40A1G8SA-062E IT : J TR -
RFQ
 ECAD 8042 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT40A1G8 sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (7.5x11) - Rohs3 준수 3 (168 시간) MT40A1G8SA-062EIT : jtr 귀 99 8542.32.0036 2,000 1.6GHz 휘발성 휘발성 8gbit 19 ns 음주 1g x 8 평행한 15ns
RC28F256P30T2E Micron Technology Inc. RC28F256P30T2E -
RFQ
 ECAD 8850 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-TBGA RC28F256 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 64-ESYBGA (10x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 864 52MHz 비 비 256mbit 100 ns 플래시 16m x 16 평행한 100ns
MT46V64M8TG-75Z:D Micron Technology Inc. MT46V64M8TG-75Z : d -
RFQ
 ECAD 7916 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V64M8 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-tsop - rohs 비준수 4 (72 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 750 ps 음주 64m x 8 평행한 15ns
MT62F1536M32D4DS-026 WT ES:B Micron Technology Inc. MT62F1536M32D4DS-026 WT ES : b 51.0300
RFQ
 ECAD 8615 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 활동적인 - 557-MT62F1536M32D4DS-026WTES : b 1
MT40A1G16HBA-083E:A TR Micron Technology Inc. MT40A1G16HBA-083E : A Tr -
RFQ
 ECAD 9096 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT40A1G16 sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 96-FBGA (9.5x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 1.2GHz 휘발성 휘발성 16gbit 음주 1g x 16 평행한 -
MT53E256M32D2FW-046 AUT:B Micron Technology Inc. MT53E256M32D2FW-046 AUT : b 17.8200
RFQ
 ECAD 5280 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 상자 마지막으로 마지막으로 -40 ° C ~ 125 ° C (TC) 표면 표면 200-TFBGA sdram- 모바일 lpddr4 1.06V ~ 1.17V 200-TFBGA (10x14.5) 다운로드 557-MT53E256M32D2FW-046AUT : b 1 2.133 GHz 휘발성 휘발성 8gbit 3.5 ns 음주 256m x 32 평행한 18ns
MT53D512M32D2NP-053 WT:D TR Micron Technology Inc. MT53D512M32D2NP-053 WT : D TR -
RFQ
 ECAD 9809 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 200-WFBGA MT53D512 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 1.866 GHz 휘발성 휘발성 16gbit 음주 512m x 32 - -
MT47H128M16RT-25E:C TR Micron Technology Inc. MT47H128M16RT-25E : C TR 15.9000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 84-TFBGA MT47H128M16 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-FBGA (9x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 400MHz 휘발성 휘발성 2gbit 400 PS 음주 128m x 16 평행한 15ns
MT58L256L32FT-8.5IT Micron Technology Inc. MT58L256L32FT-8.5IT 11.1100
RFQ
 ECAD 3007 0.00000000 Micron Technology Inc. SyncBurst ™ 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp sram- 표준 3.135V ~ 3.6V 100-TQFP (14x20.1) 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 3A991B2A 8542.32.0041 1 100MHz 휘발성 휘발성 8mbit 8.5 ns SRAM 256k x 32 평행한 -
MT29F64G08CBCGBL04A3WC1-M Micron Technology Inc. MT29F64G08CBCGBL04A3WC1-M 5.7700
RFQ
 ECAD 5227 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 주사위 MT29F64G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 주사위 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1 비 비 64gbit 플래시 8g x 8 평행한 -
MT53D1024M32D4NQ-046 WT ES:D TR Micron Technology Inc. MT53D1024M32D4NQ-046 WT ES : D TR -
RFQ
 ECAD 1818 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 200-VFBGA MT53D1024 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 200-VFBGA (10x14.5) - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 2.133 GHz 휘발성 휘발성 32gbit 음주 1g x 32 - -
MT53E256M16D1DS-046 AAT:B TR Micron Technology Inc. MT53E256M16D1DS-046 AAT : B TR 9.9600
RFQ
 ECAD 8260 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) MT53E256 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 MT53E256MD1DS-046AAT : BTR 0000.00.0000 2,000 2.133 GHz 휘발성 휘발성 4gbit 음주 256m x 16 - -
JS28F512P30TFA Micron Technology Inc. JS28F512P30TFA -
RFQ
 ECAD 6320 0.00000000 Micron Technology Inc. Axcell ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) JS28F512P30 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 56-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 576 40MHz 비 비 512mbit 110 ns 플래시 32m x 16 평행한 110ns
MT29F32G08CBACAWP-ITZ:C TR Micron Technology Inc. MT29F32G08CBACAWP-ITZ : C TR -
RFQ
 ECAD 2000 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F32G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 32gbit 플래시 4G X 8 평행한 -
MT25QU512ABB8E12-0AAT TR Micron Technology Inc. MT25QU512ABB8E12-0AAT TR 9.2250
RFQ
 ECAD 3848 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA MT25QU512 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 24-T-PBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 133 MHz 비 비 512mbit 플래시 64m x 8 SPI 8ms, 2.8ms
MT46H64M32LFBQ-48 IT:C Micron Technology Inc. MT46H64M32LFBQ-48 IT : c 9.6750
RFQ
 ECAD 4109 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-VFBGA MT46H64M32 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 90-VFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,440 208 MHz 휘발성 휘발성 2gbit 5 ns 음주 64m x 32 평행한 14.4ns
MT47H64M8CF-25E IT:G TR Micron Technology Inc. MT47H64M8CF-25E IT : G TR -
RFQ
 ECAD 4475 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 60-TFBGA MT47H64M8 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 60-FBGA (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 1,000 400MHz 휘발성 휘발성 512mbit 400 PS 음주 64m x 8 평행한 15ns
M29DW128F70NF6E Micron Technology Inc. M29DW128F70NF6E -
RFQ
 ECAD 6147 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M29DW128 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 56-tsop - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 96 비 비 128mbit 70 ns 플래시 16m x 8, 8m x 16 평행한 70ns
MT40A512M16TB-062E IT:J TR Micron Technology Inc. MT40A512M16TB-062E IT : J TR -
RFQ
 ECAD 2783 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT40A512M16 sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 96-FBGA (7.5x13.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) MT40A512M16TB-062EIT : jtr 귀 99 8542.32.0036 2,000 1.6GHz 휘발성 휘발성 8gbit 19 ns 음주 512m x 16 평행한 15ns
MT53B512M64D4NK-053 WT:C Micron Technology Inc. MT53B512M64D4NK-053 WT : C. -
RFQ
 ECAD 3004 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 366-WFBGA MT53B512 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 366-WFBGA (15x15) - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,190 1.866 GHz 휘발성 휘발성 32gbit 음주 512m x 64 - -
MT47H512M4EB-25E:C Micron Technology Inc. MT47H512M4EB-25E : c -
RFQ
 ECAD 1979 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 60-TFBGA MT47H512M4 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 60-FBGA (9x11.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,320 400MHz 휘발성 휘발성 2gbit 400 PS 음주 512m x 4 평행한 15ns
PC28F512M29AWHB TR Micron Technology Inc. PC28F512M29AWHB TR -
RFQ
 ECAD 2994 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-lbga PC28F512 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-FBGA (11x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 비 비 512mbit 100 ns 플래시 32m x 16 평행한 100ns
MT61M256M32JE-10 N:A Micron Technology Inc. MT61M256M32JE-10 N : a -
RFQ
 ECAD 2289 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 180-TFBGA MT61M256 sgram -gddr6 1.21V ~ 1.29V 180-FBGA (12x14) 다운로드 귀 99 8542.32.0071 1,260 1.25GHz 휘발성 휘발성 8gbit 숫양 256m x 32 평행한 -
JS28F00AM29EBHB TR Micron Technology Inc. JS28F00AM29EBHB TR -
RFQ
 ECAD 4101 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) JS28F00AM29 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 56-tsop - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1,000 비 비 1gbit 110 ns 플래시 128m x 8, 64m x 16 평행한 110ns
MT46V64M4FG-75E:G Micron Technology Inc. MT46V64M4FG-75E : g -
RFQ
 ECAD 3193 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 60-FBGA MT46V64M4 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 60-FBGA (8x14) 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 750 ps 음주 64m x 4 평행한 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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