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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	시계 시계	메모리 메모리	메모리 메모리	액세스 액세스	메모리 메모리	메모리 메모리	메모리 메모리	쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
M25P80S-VMN6TP TR	-	RFQ	8207	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	M25P80	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	도 8-	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)			귀 99	8542.32.0071	2,500	75MHz	비 비	8mbit		플래시	1m x 8	SPI	15ms, 5ms
MT48LC8M16LFF4-10 IT : g	-	RFQ	1608	Micron Technology Inc.	-	상자	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	54-VFBGA	MT48LC8M16	sdram- 모바일 lpsdr	3V ~ 3.6V	54-VFBGA (8x8)	다운로드	rohs 비준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0002	1,000	100MHz	휘발성 휘발성	128mbit	7 ns	음주	8m x 16	평행한	15ns
MT29F1T08CPCABH8-6 : A TR	-	RFQ	6360	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	152-lbga	MT29F1T08	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	152-lbga (14x18)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	166 MHz	비 비	1tbit		플래시	128g x 8	평행한	-
MT41K1G4THV-125 : m	-	RFQ	8723	Micron Technology Inc.	-	대부분	쓸모없는	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	78-TFBGA	MT41K1G4	sdram -ddr3	1.283V ~ 1.45V	78-FBGA (8x11.5)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)			귀 99	8542.32.0036	1,000	800MHz	휘발성 휘발성	4gbit	13.75 ns	음주	1g x 4	평행한	-
MT25QU01GBB8E12-0AUT TR	19.8600	RFQ	3584	Micron Technology Inc.	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	24-TBGA	MT25QU01	플래시 - 아니오	1.7V ~ 2V	24-T-PBGA (6x8)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	2,500	133 MHz	비 비	1gbit		플래시	128m x 8	SPI	8ms, 2.8ms
MT28F800B5SG-8 B TR	-	RFQ	6444	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	44-SOIC (0.496 ", 12.60mm 너비)	MT28F800B5	플래시 - 아니오	4.5V ~ 5.5V	44-	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0071	500		비 비	8mbit	80 ns	플래시	1m x 8, 512k x 16	평행한	80ns
MT29VZZZAD9GQFSM-046 W.9S9	60.2850	RFQ	1702	Micron Technology Inc.	-	상자	활동적인								-				557-MT29VZZZAD9GQFSM-046W.9S9			1
MT28F128J3FS-12 MET	-	RFQ	9381	Micron Technology Inc.	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	64-FBGA	MT28F128J3	플래시	2.7V ~ 3.6V	64-FBGA (10x13)	다운로드	rohs 비준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		비 비	128mbit	120 ns	플래시	16m x 8, 8m x 16	평행한	-
MTFC64GAPAKEA-WT ES	-	RFQ	9268	Micron Technology Inc.	E • MMC ™	쟁반	쓸모없는	-25 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	153-WFBGA	MTFC64	플래시 - NAND	-	153-WFBGA (11.5x13)	-		1 (무제한)			쓸모없는	0000.00.0000	1,520		비 비	512gbit		플래시	64g x 8	MMC	-
MT53D2048M32D8QD-062 WT ES : D.	-	RFQ	2693	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	-	-	MT53D2048	sdram- 모바일 lpddr4	1.1V	-	-		1 (무제한)			쓸모없는	0000.00.0000	1,360	1.6GHz	휘발성 휘발성	64gbit		음주	2G X 32	-	-
MT53B384M64D4NZ-053 WT ES : C.	-	RFQ	8650	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	-	-	MT53B384	sdram- 모바일 lpddr4	1.1V	-	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			쓸모없는	0000.00.0000	1	1.866 GHz	휘발성 휘발성	24gbit		음주	384m x 64	-	-
MT49H16M36BM-18 IT : b	-	RFQ	4853	Micron Technology Inc.	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	144-TFBGA	MT49H16M36	음주	1.7V ~ 1.9V	144-µBGA (18.5x11)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0024	1,000	533 MHz	휘발성 휘발성	576mbit	15 ns	음주	16m x 36	평행한	-
MT46V32M16BN-5B : C TR	-	RFQ	3754	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	60-TFBGA	MT46V32M16	sdram -ddr	2.5V ~ 2.7V	60-FBGA (10x12.5)	-	Rohs3 준수	5 (48 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0024	1,000	200MHz	휘발성 휘발성	512mbit	700 PS	음주	32m x 16	평행한	15ns
MT46V64M8FN-6 IT : f	-	RFQ	5917	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	60-TFBGA	MT46V64M8	sdram -ddr	2.3V ~ 2.7V	60-FBGA (10x12.5)	다운로드	rohs 비준수	5 (48 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0024	1,000	167 MHz	휘발성 휘발성	512mbit	700 PS	음주	64m x 8	평행한	15ns
M28W640HCB70ZB6E	-	RFQ	2430	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	48-TFBGA	M28W640	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	48-TFBGA (6.39x10.5)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	160		비 비	64mbit	70 ns	플래시	4m x 16	평행한	70ns
MT29PZZZ4D4BKEPK-18 W.94H TR	-	RFQ	8902	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		표면 표면	168-VFBGA				168-VFBGA (12x12)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,000
MT49H16M36BM-25E : B TR	-	RFQ	5822	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	144-TFBGA	MT49H16M36	음주	1.7V ~ 1.9V	144-µBGA (18.5x11)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0024	1,000	400MHz	휘발성 휘발성	576mbit	15 ns	음주	16m x 36	평행한	-
MT48V4M32LFF5-8 IT : g	-	RFQ	4137	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	90-VFBGA	MT48V4M32	sdram- 모바일 lpsdr	2.3V ~ 2.7V	90-VFBGA (8x13)	다운로드	rohs 비준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0002	1,000	125MHz	휘발성 휘발성	128mbit	7 ns	음주	4m x 32	평행한	15ns
MT40A1G8AG-062E AAT : R TR	-	RFQ	4189	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인								-			영향을받지 영향을받지	557-MT40A1G8AG-062EAAT : RTR			1
MT29F512G08CKECBH7-12 : c	-	RFQ	8447	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	152-TBGA	MT29F512G08	플래시 -Nand (MLC)	2.7V ~ 3.6V	152-TBGA (14x18)	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	980	83MHz	비 비	512gbit		플래시	64g x 8	평행한	-
MT53D1024M32D4DT-046 AIT : d	35.5500	RFQ	2461	Micron Technology Inc.	자동차, AEC-Q100	쟁반	마지막으로 마지막으로	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	200-VFBGA	MT53D1024	sdram- 모바일 lpddr4	1.1V	200-VFBGA (10x14.5)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	1,360	2.133 GHz	휘발성 휘발성	32gbit		음주	1g x 32	-	-
PC28F128M29EWHG	-	RFQ	7306	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	64-lbga	PC28F128	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	64-FBGA (11x13)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	184		비 비	128mbit	60 ns	플래시	16m x 8, 8m x 16	평행한	60ns
MT29F128G08AMCABH2-10Z : A TR	-	RFQ	5853	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	100-tbga	MT29F128G08	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	100-TBGA (12x18)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	100MHz	비 비	128gbit		플래시	16g x 8	평행한	-
MT48H8M32LFF5-10 IT TR	-	RFQ	8277	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	90-VFBGA	MT48H8M32	sdram- 모바일 lpsdr	1.7V ~ 1.95V	90-VFBGA (8x13)	다운로드	rohs 비준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0024	1,000	100MHz	휘발성 휘발성	256mbit	7 ns	음주	8m x 32	평행한	15ns
MT53D1536M32D6BE-053 WT : d	-	RFQ	5409	Micron Technology Inc.	-	대부분	쓸모없는	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	-	-	MT53D1536	sdram- 모바일 lpddr4	1.1V	-	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	1,360	1.866 GHz	휘발성 휘발성	48gbit		음주	1.5GX 32	-	-
MT58L256V32PF-6	8.9300	RFQ	178	Micron Technology Inc.	SyncBurst ™	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	165-TBGA	MT58L256V32	sram- 동기	3.135V ~ 3.6V	165-FBGA (13x15)	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B2A	8542.32.0041	1	166 MHz	휘발성 휘발성	8mbit	3.5 ns	SRAM	256k x 32	평행한	-
MT48LC4M16A2P-6 IT : g	-	RFQ	1989	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비)	MT48LC4M16A2	sdram	3V ~ 3.6V	54-TSOP II	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0002	1,000	167 MHz	휘발성 휘발성	64mbit	5.5 ns	음주	4m x 16	평행한	12ns
MT46H8M32LFB5-75 : A TR	-	RFQ	3485	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	90-VFBGA	MT46H8M32	sdram- 모바일 lpddr	1.7V ~ 1.95V	90-VFBGA (8x13)	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0024	1,000	133 MHz	휘발성 휘발성	256mbit	6 ns	음주	8m x 32	평행한	15ns
MT48LC32MM16A2TG-75 IT : C TR	-	RFQ	3217	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비)	MT48LC32M16A2	sdram	3V ~ 3.6V	54-TSOP II	다운로드	rohs 비준수	4 (72 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0024	1,000	133 MHz	휘발성 휘발성	512mbit	5.4 ns	음주	32m x 16	평행한	15ns
MT47H64M8CB-5E : b	-	RFQ	6191	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	60-FBGA	MT47H64M8	sdram -ddr2	1.7V ~ 1.9V	60-FBGA	다운로드	Rohs3 준수	5 (48 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0024	2,000	200MHz	휘발성 휘발성	512mbit	600 ps	음주	64m x 8	평행한	15ns

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

통합 통합 (ICS) (10403)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²