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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	시계 시계	메모리 메모리	메모리 메모리	액세스 액세스	메모리 메모리	메모리 메모리	메모리 메모리	쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
MT43A4G80200NFH-S15 ES : a	-	RFQ	5895	Micron Technology Inc.	-	대부분	활동적인				MT43A4				-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지			0000.00.0000	240
EDFP112A3PB-JD-FR TR	-	RFQ	8127	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-30 ° C ~ 85 ° C (TA)	-	-	EDFP112	sdram- 모바일 lpddr3	1.14V ~ 1.95V	-	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			쓸모없는	0000.00.0000	1	933 MHz	휘발성 휘발성	24gbit		음주	192m x 128	평행한	-
MT29F2G01ABBGDM79A3WC1L	2.6600	RFQ	3972	Micron Technology Inc.	-	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	주사위	MT29F2G01	플래시 -Nand (SLC)	1.7V ~ 1.95V	주사위	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	557-MT29F2G01ABBGDM79A3WC1L		8542.32.0071	1		비 비	2gbit		플래시	2G x 1	SPI	-
MT29C1G56MAACAVAMD-6 IT	-	RFQ	1334	Micron Technology Inc.	-	쟁반	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	130-VFBGA	MT29C1G56	플래시 -Nand, n lpdram	1.7V ~ 1.95V	130-VFBGA (8x9)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	166 MHz	비 비, 휘발성	1gbit (nand), 256mbit (lpdram)		플래시, 램	128m x 8 (NAND), 8m x 32 (lpdram)	평행한	-
MT29F4T08GMLCEJ4-QJ : C TR	78.1500	RFQ	2408	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인								-				557-MT29F4T08GMLCEJ4-QJ : CTR			2,000
MT53B2DAANK-DC	-	RFQ	2694	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는		표면 표면	366-WFBGA		sdram- 모바일 lpddr4		366-WFBGA (15x15)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		쓸모없는	0000.00.0000	1,190		휘발성 휘발성			음주
M29F400BB90N1	-	RFQ	9763	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	M29F400	플래시 - 아니오	4.5V ~ 5.5V	48-tsop	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0071	96		비 비	4mbit	90 ns	플래시	512k x 8, 256k x 16	평행한	90ns
PC28F128P30T85B TR	-	RFQ	6284	Micron Technology Inc.	Strataflash ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	64-TBGA	PC28F128	플래시 - 아니오	1.7V ~ 2V	64-ESYBGA (10x13)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	2,000	52MHz	비 비	128mbit	85 ns	플래시	8m x 16	평행한	85ns
N25Q008A11ESC40F TR	-	RFQ	2539	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)			N25Q008A11	플래시 - 아니오	1.7V ~ 2V		-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0071	2,500	108 MHz	비 비	8mbit		플래시	1m x 8	SPI	8ms, 5ms
MT29F32G08CBACAWP : C TR	-	RFQ	9202	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	MT29F32G08	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	48-tsop i	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	2,000		비 비	32gbit		플래시	4G X 8	평행한	-
MT29F512G08EMCBBJ5-10 : b	-	RFQ	7619	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	-	MT29F512G08	플래시 -Nand (TLC)	2.7V ~ 3.6V	132-TBGA (12x18)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			쓸모없는	0000.00.0000	1,120	100MHz	비 비	512gbit		플래시	64g x 8	평행한	-
MT41K256M16TW-125 : p	-	RFQ	4255	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	96-TFBGA	MT41K256M16	sdram -ddr3l	1.283V ~ 1.45V	96-FBGA (8x14)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	1	800MHz	휘발성 휘발성	4gbit	20 ns	음주	256m x 16	평행한	-
N25Q064A13ESEC0G	-	RFQ	9164	Micron Technology Inc.	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비)	N25Q064A13	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	8- w	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)			3A991B1A	8542.32.0071	1,800	108 MHz	비 비	64mbit		플래시	16m x 4	SPI	8ms, 5ms
M29W800DT70ZM6F TR	-	RFQ	9639	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	-	M29W800	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	-	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)			귀 99	8542.32.0071	2,500		비 비	8mbit	70 ns	플래시	1m x 8, 512k x 16	평행한	70ns
N25W256A11EF840E	-	RFQ	8017	Micron Technology Inc.	-	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	100-lbga	N25W256	플래시 - 아니오	1.7V ~ 2V	100-lbga (14x18)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	320	108 MHz	비 비	256mbit		플래시	64m x 4	SPI	-
MT40A512M8SA-062E AAT : F TR	15.5100	RFQ	1219	Micron Technology Inc.	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TC)	표면 표면	78-TFBGA	MT40A512M8	sdram -ddr4	1.14V ~ 1.26V	78-FBGA (7.5x11)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	MT40A512M8SA-062EAAT : FTR	귀 99	8542.32.0036	2,000	1.6GHz	휘발성 휘발성	4gbit	19 ns	음주	512m x 8	평행한	15ns
N25Q256A83E1241E	-	RFQ	5801	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	24-TBGA	N25Q256A83	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	24-T-PBGA (6x8)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	187	108 MHz	비 비	256mbit		플래시	64m x 4	SPI	8ms, 5ms
MT29VZZZBD9DQKPR-046 W.9M9 TR	87.4800	RFQ	5431	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인				MT29VZZZBD9				-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	MT29VZZZBD9DQKPR-046W.9M9TR		0000.00.0000	1,000
MT53E1G64D4NZ-46 WT : C TR	76.0350	RFQ	9155	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-25 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	376-WFBGA	MT53E1G64	sdram- 모바일 lpddr4	1.06V ~ 1.17V	376-WFBGA (14x14)	-			영향을받지 영향을받지	557-MT53E1G64D4NZ-46WT : CTR			2,000	2.133 GHz	휘발성 휘발성	64gbit	3.5 ns	음주	1G X 64	평행한	18ns
MT29F64G08CBCABH1-12ITZ : A TR	-	RFQ	1670	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	100-VBGA	MT29F64G08	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	100-VBGA (12x18)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	83MHz	비 비	64gbit		플래시	8g x 8	평행한	-
MT48LC8M16A2P-6A AAT : L.	-	RFQ	4236	Micron Technology Inc.	자동차, AEC-Q100	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	표면 표면	54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비)	MT48LC8M16A2	sdram	3V ~ 3.6V	54-TSOP II	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0002	1,080	167 MHz	휘발성 휘발성	128mbit	5.4 ns	음주	8m x 16	평행한	12ns
MT58L64L32FT-7.5	-	RFQ	6771	Micron Technology Inc.	SyncBurst ™	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	100-lqfp		sram- 표준	3.135V ~ 3.6V	100-TQFP (14x20.1)	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		3A991B2A	8542.32.0041	1	113 MHz	휘발성 휘발성	2mbit	7.5 ns	SRAM	64k x 32	평행한	-
MT53D384M32D2DS-053 WT ES : e	-	RFQ	3373	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	200-WFBGA	MT53D384	sdram- 모바일 lpddr4	1.1V	200-WFBGA (10x14.5)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		쓸모없는	0000.00.0000	1,360	1.866 GHz	휘발성 휘발성	12gbit		음주	384m x 32	-	-
RC28F256P33BFA	-	RFQ	8058	Micron Technology Inc.	Axcell ™	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	64-TBGA	RC28F256	플래시 - 아니오	2.3V ~ 3.6V	64-EASYBGA (8x10)	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0051	864	52MHz	비 비	256mbit	95 ns	플래시	16m x 16	평행한	95ns
MT25QL128ABA1EW7-0M03IT	-	RFQ	4289	Micron Technology Inc.	자동차, AEC-Q100	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	8-wdfn n 패드	MT25QL128	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	8-wpdfn (6x5) (MLP8)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)		557-MT25QL128ABA1EW7-0M03IT	쓸모없는		2,940	133 MHz	비 비	128mbit		플래시	16m x 8	SPI	1.8ms
MT40A2G8VA-062E IT : B TR	-	RFQ	8812	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	78-TFBGA		sdram -ddr4	1.14V ~ 1.26V	78-FBGA (10x11)	-				557-MT40A2G8VA-062EIT : BTR	쓸모없는		3,000	1.6GHz	휘발성 휘발성	16gbit	19 ns	음주	2G X 8	현물 현물 지불	15ns
MT49H16M36BM-18 : b	-	RFQ	1337	Micron Technology Inc.	-	대부분	쓸모없는	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	144-TFBGA	MT49H16M36	음주	1.7V ~ 1.9V	144-µBGA (18.5x11)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B2A	8542.32.0032	1,000	533 MHz	휘발성 휘발성	576mbit	15 ns	음주	16m x 36	평행한	-
MT62F768M64D4EK-023 AUT : B TR	55.0800	RFQ	4870	Micron Technology Inc.	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	441-TFBGA	MT62F768	sdram- 모바일 lpddr5	-	441-TFBGA (14x14)	-				557-MT62F768M64D4EK-023AUT : BTR			1,500	3.2GHz	휘발성 휘발성	48gbit		음주	768m x 64	평행한	-
MT53D384M32D2DS-046 WT : e	-	RFQ	5162	Micron Technology Inc.	-	쟁반	활동적인	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	200-WFBGA	MT53D384	sdram- 모바일 lpddr4	1.1V	200-WFBGA (10x14.5)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0036	1,360	2.133 GHz	휘발성 휘발성	12gbit		음주	384m x 32	-	-
MTFC32GAPALGT-AAT TR	28.4250	RFQ	8224	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)			MTFC32G	플래시 - NAND	-		-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	557-MTFC32GAPALGT-AATTR		8542.32.0071	2,000		비 비	256gbit		플래시	32g x 8	MMC	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

통합 통합 (ICS) (10403)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²