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MT53E384M64D4NK-053 WT:E TR Micron Technology Inc. MT53E384M64D4NK-053 WT : E TR -
RFQ
ECAD 7989 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) MT53E384 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - 557-MT53E384M64D4NK-053WT : ETR 쓸모없는 1,000 1.866 GHz 휘발성 휘발성 24gbit 음주 384m x 64 - -
MT53E256M32D2FW-046 WT:B Micron Technology Inc. MT53E256M32D2FW-046 WT : b 11.6400
RFQ
ECAD 7947 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 활동적인 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 200-TFBGA sdram- 모바일 lpddr4x 1.06V ~ 1.17V 200-TFBGA (10x14.5) 다운로드 557-MT53E256M32D2FW-046WT : b 1 2.133 GHz 휘발성 휘발성 8gbit 3.5 ns 음주 256m x 32 평행한 18ns
PC48F4400P0TB0EH Micron Technology Inc. PC48F4400P0TB0EH -
RFQ
ECAD 9588 0.00000000 Micron Technology Inc. Axcell ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 64-lbga PC48F4400 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 64-ESYBGA (10x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 864 52MHz 비 비 512mbit 95 ns 플래시 32m x 16 평행한 95ns
MT46H8M32LFB5-5:H TR Micron Technology Inc. MT46H8M32LFB5-5 : H TR -
RFQ
ECAD 9736 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 90-VFBGA MT46H8M32 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 90-VFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5 ns 음주 8m x 32 평행한 15ns
MT25QU02GCBB8E12-0AUT Micron Technology Inc. MT25QU02GCBB8E12-0AUT 47.4900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA MT25QU02 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 24-T-PBGA (6x8) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 -791-MT25QU02GCBB8E12-0AUT 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 166 MHz 비 비 2gbit 플래시 256m x 8 SPI 1.8ms
MT62F512M32D2DS-031 WT:B Micron Technology Inc. MT62F512M32D2DS-031 WT : b 12.2400
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ECAD 5935 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 활동적인 -25 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 200-WFBGA sdram- 모바일 lpddr5 - 200-WFBGA (10x14.5) - 557-MT62F512M32D2DS-031WT : b 1 3.2GHz 휘발성 휘발성 16gbit 음주 512m x 32 평행한 -
MT53E1536M64D8HJ-046 WT ES:C TR Micron Technology Inc. MT53E1536M64D8HJ-046 WT ES : C TR 67.8450
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ECAD 8751 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -25 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 556-TFBGA sdram- 모바일 lpddr4 - 556-WFBGA (12.4x12.4) - 557-MT53E1536M64D8HJ-046WTES : CTR 2,000 2.133 GHz 휘발성 휘발성 96gbit 음주 1.5MX 64 - -
PC28F128J3F75B TR Micron Technology Inc. PC28F128J3F75B TR -
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ECAD 9818 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-TBGA PC28F128 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-ESYBGA (10x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 비 비 128mbit 75 ns 플래시 16m x 8, 8m x 16 평행한 75ns
MT29F4T08GMLCEJ4-M:C Micron Technology Inc. MT29F4T08GMLCEJ4-M : C. 78.1500
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ECAD 1718 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 활동적인 - 557-MT29F4T08GMLCEJ4-M : C. 1
EDF8165A3MC-GD-F-R Micron Technology Inc. EDF8165A3MC-GD-FR -
RFQ
ECAD 6681 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - - - EDF8165 - - - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 2,000 - - - - -
N25Q128A13B1240F TR Micron Technology Inc. N25Q128A13B1240F TR -
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ECAD 4379 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA N25Q128A13 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 24-T-PBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 108 MHz 비 비 128mbit 플래시 16m x 8 SPI 8ms, 5ms
MT40A512M16TD-062E AIT:R Micron Technology Inc. MT40A512M16TD-062E AIT : r -
RFQ
ECAD 8788 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 96-FBGA (7.5x13) - 영향을받지 영향을받지 557-MT40A512MM16TD-062EAIT : r 1 1.6GHz 휘발성 휘발성 8gbit 19 ns 음주 512m x 16 평행한 15ns
MT53E1536M32D4DE-046 AIT:C Micron Technology Inc. MT53E1536M32D4DE-046 AIT : C. 36.5850
RFQ
ECAD 8932 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 200-TFBGA sdram- 모바일 lpddr4 1.06V ~ 1.17V 200-TFBGA (10x14.5) - Rohs3 준수 557-MT53E1536M32D4DE-046AIT : c 1 2.133 GHz 휘발성 휘발성 48gbit 3.5 ns 음주 1.5GX 32 평행한 18ns
RC48F4400P0VB0EA Micron Technology Inc. RC48F4400P0VB0EA -
RFQ
ECAD 7427 0.00000000 Micron Technology Inc. Axcell ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 64-TBGA RC48F4400 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 64-EASYBGA (8x10) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 864 52MHz 비 비 512mbit 100 ns 플래시 32m x 16 평행한 100ns
MT53D8DARG-DC TR Micron Technology Inc. MT53D8DARG-DC TR -
RFQ
ECAD 2413 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 MT53d8 - 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 1,000
MT29F8T08ESLCEG4-R:C Micron Technology Inc. MT29F8T08ESLCEG4-R : C. 242.1750
RFQ
ECAD 2295 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 활동적인 - 557-MT29F8T08ESLCEG4-R : C. 1
MT29F128G08CBCCBH6-6C:C Micron Technology Inc. MT29F128G08CBCCBH6-6C : c -
RFQ
ECAD 5684 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 152-VBGA MT29F128G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 152-VBGA (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 980 166 MHz 비 비 128gbit 플래시 16g x 8 평행한 -
MT53E128M32D2DS-046 AAT:A Micron Technology Inc. MT53E128M32D2DS-046 AAT : a 12.1200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 200-WFBGA MT53E128 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 MT53E128M32D2DS-046AAT : a 귀 99 8542.32.0036 1,360 2.133 GHz 휘발성 휘발성 4gbit 음주 128m x 32 - -
MT40A1G16KD-062E:E TR Micron Technology Inc. MT40A1G16KD-062E : E TR -
RFQ
ECAD 7469 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT40A1G16 sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 96-FBGA (9x13) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 557-MT40A1G16KD-062E : ETR 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 1.6GHz 휘발성 휘발성 16gbit 19 ns 음주 1g x 16 평행한 15ns
MT62F2G64D8EK-026 WT:C Micron Technology Inc. MT62F2G64D8EK-026 WT : c 90.4650
RFQ
ECAD 6295 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 활동적인 -25 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 441-TFBGA sdram- 모바일 lpddr5 1.05V 441-TFBGA (14x14) - 557-MT62F2G64D8EK-026WT : c 1 3.2GHz 휘발성 휘발성 128gbit 음주 2G X 64 평행한 -
MTFC64GBCAQDQ-AAT TR Micron Technology Inc. MTFC64GBCAQDQ-AAT TR 29.4000
RFQ
ECAD 6519 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 557-MTFC64GBCAQDQ-AATTR 1,500
MT29F256G08CECBBH6-6R:B TR Micron Technology Inc. MT29F256G08CECBBH6-6R : B TR -
RFQ
ECAD 7550 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 152-VBGA MT29F256G08 플래시 -Nand (MLC) 2.7V ~ 3.6V 152-VBGA (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 167 MHz 비 비 256gbit 플래시 32g x 8 평행한 -
MT40A16G4WPF-062H:B Micron Technology Inc. MT40A16G4WPF-062H : b 194.0100
RFQ
ECAD 3015 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) MT40A16G4 sdram -ddr4 - - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 557-MT40A16G4WPF-062H : b 8542.32.0071 152 1.6GHz 휘발성 휘발성 64gbit 음주 16g x 4 - -
MT29C1G12MAADVAMD-5 E IT TR Micron Technology Inc. MT29C1G12MAADVAMD-5 e IT TR -
RFQ
ECAD 8952 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 130-VFBGA MT29C1G12 플래시 -Nand, n lpdram 1.7V ~ 1.95V 130-VFBGA (8x9) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200MHz 비 비, 휘발성 1GBIT (NAND), 512MBIT (LPDRAM) 플래시, 램 64m x 16 (NAND), 32m x 16 (lpdram) 평행한 -
JS28F512M29EWLD Micron Technology Inc. JS28F512M29ewld -
RFQ
ECAD 2053 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) JS28F512M29 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 56-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 96 비 비 512mbit 110 ns 플래시 64m x 8, 32m x 16 평행한 110ns
M29W640GL7ANB6F TR Micron Technology Inc. M29W640GL7ANB6F TR -
RFQ
ECAD 2204 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M29W640 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 56-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,200 비 비 64mbit 70 ns 플래시 8m x 8, 4m x 16 평행한 70ns
MT35XU02GCBA1G12-0SIT TR Micron Technology Inc. MT35XU02GCBA1G12-0SIT TR 29.6550
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ECAD 4332 0.00000000 Micron Technology Inc. XCCELA ™ -MT35X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 24-TBGA MT35XU02 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 24-T-PBGA (6x8) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 200MHz 비 비 2gbit 플래시 256m x 8 xccela 버스 -
M29F400BB55N1 Micron Technology Inc. M29F400BB55N1 -
RFQ
ECAD 6038 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M29F400 플래시 - 아니오 4.5V ~ 5.5V 48-tsop - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 96 비 비 4mbit 55 ns 플래시 512k x 8, 256k x 16 평행한 55ns
MT29F1HT08EMHBBJ4-3RES:B TR Micron Technology Inc. MT29F1HT08EMHBBJ4-3RES : B TR -
RFQ
ECAD 7853 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 132-VBGA MT29F1HT08 플래시 - NAND 2.5V ~ 3.6V 132-VBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 333 MHz 비 비 1.5tbit 플래시 192g x 8 평행한 -
MT28EW01GABA1LJS-0AAT Micron Technology Inc. mt28ew01gaba1ljs-0aat -
RFQ
ECAD 8442 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT28ew01 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 56-tsop 다운로드 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 576 비 비 1gbit 105 ns 플래시 128m x 8, 64m x 16 평행한 60ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고