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![]() | MT53E384M64D4NK-053 WT : E TR | - | ![]() | 7989 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | MT53E384 | sdram- 모바일 lpddr4 | 1.1V | - | 557-MT53E384M64D4NK-053WT : ETR | 쓸모없는 | 1,000 | 1.866 GHz | 휘발성 휘발성 | 24gbit | 음주 | 384m x 64 | - | - | |||||||||
MT53E256M32D2FW-046 WT : b | 11.6400 | ![]() | 7947 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 상자 | 활동적인 | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 200-TFBGA | sdram- 모바일 lpddr4x | 1.06V ~ 1.17V | 200-TFBGA (10x14.5) | 다운로드 | 557-MT53E256M32D2FW-046WT : b | 1 | 2.133 GHz | 휘발성 휘발성 | 8gbit | 3.5 ns | 음주 | 256m x 32 | 평행한 | 18ns | ||||||||
![]() | PC48F4400P0TB0EH | - | ![]() | 9588 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Axcell ™ | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 64-lbga | PC48F4400 | 플래시 - 아니오 | 2.3V ~ 3.6V | 64-ESYBGA (10x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 864 | 52MHz | 비 비 | 512mbit | 95 ns | 플래시 | 32m x 16 | 평행한 | 95ns | ||
MT46H8M32LFB5-5 : H TR | - | ![]() | 9736 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 90-VFBGA | MT46H8M32 | sdram- 모바일 lpddr | 1.7V ~ 1.95V | 90-VFBGA (8x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 200MHz | 휘발성 휘발성 | 256mbit | 5 ns | 음주 | 8m x 32 | 평행한 | 15ns | |||
MT25QU02GCBB8E12-0AUT | 47.4900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 표면 표면 | 24-TBGA | MT25QU02 | 플래시 - 아니오 | 1.7V ~ 2V | 24-T-PBGA (6x8) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | -791-MT25QU02GCBB8E12-0AUT | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,122 | 166 MHz | 비 비 | 2gbit | 플래시 | 256m x 8 | SPI | 1.8ms | |||
![]() | MT62F512M32D2DS-031 WT : b | 12.2400 | ![]() | 5935 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 상자 | 활동적인 | -25 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | 200-WFBGA | sdram- 모바일 lpddr5 | - | 200-WFBGA (10x14.5) | - | 557-MT62F512M32D2DS-031WT : b | 1 | 3.2GHz | 휘발성 휘발성 | 16gbit | 음주 | 512m x 32 | 평행한 | - | ||||||||
![]() | MT53E1536M64D8HJ-046 WT ES : C TR | 67.8450 | ![]() | 8751 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -25 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | 556-TFBGA | sdram- 모바일 lpddr4 | - | 556-WFBGA (12.4x12.4) | - | 557-MT53E1536M64D8HJ-046WTES : CTR | 2,000 | 2.133 GHz | 휘발성 휘발성 | 96gbit | 음주 | 1.5MX 64 | - | - | ||||||||
![]() | PC28F128J3F75B TR | - | ![]() | 9818 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 64-TBGA | PC28F128 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 64-ESYBGA (10x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 비 비 | 128mbit | 75 ns | 플래시 | 16m x 8, 8m x 16 | 평행한 | 75ns | |||
![]() | MT29F4T08GMLCEJ4-M : C. | 78.1500 | ![]() | 1718 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 상자 | 활동적인 | - | 557-MT29F4T08GMLCEJ4-M : C. | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | EDF8165A3MC-GD-FR | - | ![]() | 6681 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | - | - | EDF8165 | - | - | - | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 0000.00.0000 | 2,000 | - | - | - | - | - | ||||||
![]() | N25Q128A13B1240F TR | - | ![]() | 4379 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 24-TBGA | N25Q128A13 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 24-T-PBGA (6x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 108 MHz | 비 비 | 128mbit | 플래시 | 16m x 8 | SPI | 8ms, 5ms | |||
MT40A512M16TD-062E AIT : r | - | ![]() | 8788 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 96-TFBGA | sdram -ddr4 | 1.14V ~ 1.26V | 96-FBGA (7.5x13) | - | 영향을받지 영향을받지 | 557-MT40A512MM16TD-062EAIT : r | 1 | 1.6GHz | 휘발성 휘발성 | 8gbit | 19 ns | 음주 | 512m x 16 | 평행한 | 15ns | |||||||
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![]() | RC48F4400P0VB0EA | - | ![]() | 7427 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Axcell ™ | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 64-TBGA | RC48F4400 | 플래시 - 아니오 | 1.7V ~ 2V | 64-EASYBGA (8x10) | 다운로드 | rohs 비준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 864 | 52MHz | 비 비 | 512mbit | 100 ns | 플래시 | 32m x 16 | 평행한 | 100ns | ||
![]() | MT53D8DARG-DC TR | - | ![]() | 2413 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | MT53d8 | - | 1 (무제한) | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1,000 | ||||||||||||||||||
![]() | MT29F8T08ESLCEG4-R : C. | 242.1750 | ![]() | 2295 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 상자 | 활동적인 | - | 557-MT29F8T08ESLCEG4-R : C. | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | MT29F128G08CBCCBH6-6C : c | - | ![]() | 5684 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 152-VBGA | MT29F128G08 | 플래시 - NAND | 2.7V ~ 3.6V | 152-VBGA (14x18) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 166 MHz | 비 비 | 128gbit | 플래시 | 16g x 8 | 평행한 | - | ||||
![]() | MT53E128M32D2DS-046 AAT : a | 12.1200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | 표면 표면 | 200-WFBGA | MT53E128 | sdram- 모바일 lpddr4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | MT53E128M32D2DS-046AAT : a | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1,360 | 2.133 GHz | 휘발성 휘발성 | 4gbit | 음주 | 128m x 32 | - | - | ||
![]() | MT40A1G16KD-062E : E TR | - | ![]() | 7469 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 96-TFBGA | MT40A1G16 | sdram -ddr4 | 1.14V ~ 1.26V | 96-FBGA (9x13) | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 557-MT40A1G16KD-062E : ETR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 3,000 | 1.6GHz | 휘발성 휘발성 | 16gbit | 19 ns | 음주 | 1g x 16 | 평행한 | 15ns | ||
![]() | MT62F2G64D8EK-026 WT : c | 90.4650 | ![]() | 6295 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 상자 | 활동적인 | -25 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | 441-TFBGA | sdram- 모바일 lpddr5 | 1.05V | 441-TFBGA (14x14) | - | 557-MT62F2G64D8EK-026WT : c | 1 | 3.2GHz | 휘발성 휘발성 | 128gbit | 음주 | 2G X 64 | 평행한 | - | ||||||||
![]() | MTFC64GBCAQDQ-AAT TR | 29.4000 | ![]() | 6519 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | 557-MTFC64GBCAQDQ-AATTR | 1,500 | |||||||||||||||||||||
![]() | MT29F256G08CECBBH6-6R : B TR | - | ![]() | 7550 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 152-VBGA | MT29F256G08 | 플래시 -Nand (MLC) | 2.7V ~ 3.6V | 152-VBGA (14x18) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 167 MHz | 비 비 | 256gbit | 플래시 | 32g x 8 | 평행한 | - | |||
![]() | MT40A16G4WPF-062H : b | 194.0100 | ![]() | 3015 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | MT40A16G4 | sdram -ddr4 | - | - | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 557-MT40A16G4WPF-062H : b | 8542.32.0071 | 152 | 1.6GHz | 휘발성 휘발성 | 64gbit | 음주 | 16g x 4 | - | - | |||||||
MT29C1G12MAADVAMD-5 e IT TR | - | ![]() | 8952 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 130-VFBGA | MT29C1G12 | 플래시 -Nand, n lpdram | 1.7V ~ 1.95V | 130-VFBGA (8x9) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 200MHz | 비 비, 휘발성 | 1GBIT (NAND), 512MBIT (LPDRAM) | 플래시, 램 | 64m x 16 (NAND), 32m x 16 (lpdram) | 평행한 | - | |||||
![]() | JS28F512M29ewld | - | ![]() | 2053 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) | JS28F512M29 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 56-tsop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | 비 비 | 512mbit | 110 ns | 플래시 | 64m x 8, 32m x 16 | 평행한 | 110ns | |||
![]() | M29W640GL7ANB6F TR | - | ![]() | 2204 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) | M29W640 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 56-tsop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,200 | 비 비 | 64mbit | 70 ns | 플래시 | 8m x 8, 4m x 16 | 평행한 | 70ns | |||
MT35XU02GCBA1G12-0SIT TR | 29.6550 | ![]() | 4332 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | XCCELA ™ -MT35X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | 24-TBGA | MT35XU02 | 플래시 - 아니오 | 1.7V ~ 2V | 24-T-PBGA (6x8) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 200MHz | 비 비 | 2gbit | 플래시 | 256m x 8 | xccela 버스 | - | ||||
![]() | M29F400BB55N1 | - | ![]() | 6038 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) | M29F400 | 플래시 - 아니오 | 4.5V ~ 5.5V | 48-tsop | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 96 | 비 비 | 4mbit | 55 ns | 플래시 | 512k x 8, 256k x 16 | 평행한 | 55ns | |||
![]() | MT29F1HT08EMHBBJ4-3RES : B TR | - | ![]() | 7853 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 132-VBGA | MT29F1HT08 | 플래시 - NAND | 2.5V ~ 3.6V | 132-VBGA (12x18) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 333 MHz | 비 비 | 1.5tbit | 플래시 | 192g x 8 | 평행한 | - | |||
![]() | mt28ew01gaba1ljs-0aat | - | ![]() | 8442 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) | MT28ew01 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 56-tsop | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 576 | 비 비 | 1gbit | 105 ns | 플래시 | 128m x 8, 64m x 16 | 평행한 | 60ns |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고