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![]() | MT53E2G64D8EG-046 WT : A TR | - | ![]() | 6586 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 557-MT53E2G64D8EG-046WT : ATR | 쓸모없는 | 2,000 | ||||||||||||||||||
![]() | MT53E2G32D4DE-046 WT : a | 47.4300 | ![]() | 7967 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 상자 | 활동적인 | -25 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 200-TFBGA | sdram- 모바일 lpddr4x | 1.06V ~ 1.17V | 200-TFBGA (10x14.5) | - | 557-MT53E2G32D4DE-046WT : a | 1 | 2.133 GHz | 휘발성 휘발성 | 64gbit | 3.5 ns | 음주 | 2G X 32 | 평행한 | 18ns | |||||||
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![]() | MTFC256GAXAUEA-WT | 27.5700 | ![]() | 9272 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 상자 | 활동적인 | -25 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | 153-WFBGA | 플래시 -Nand (SLC) | - | 153-WFBGA (11.5x13) | - | 557-MTFC256GAXAUEA-WT | 1 | 비 비 | 2tbit | 플래시 | 256g x 8 | UFS | - | |||||||||
![]() | MT62F1536M64D8EK-023 WT ES : b | 122.7600 | ![]() | 1987 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 상자 | 활동적인 | -25 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | 441-TFBGA | sdram- 모바일 lpddr5 | - | 441-TFBGA (14x14) | - | 557-MT62F1536M64D8D8D8EK-023WTES : b | 1 | 4.266 GHz | 휘발성 휘발성 | 96gbit | 음주 | 1.5GX 64 | 평행한 | - | ||||||||
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![]() | M25PE80-VMS6TG TR | - | ![]() | 4222 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-vdfn d 패드 | M25PE80 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 8-vdfpn (6x5) (MLP8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 4,000 | 75MHz | 비 비 | 8mbit | 플래시 | 1m x 8 | SPI | 15ms, 3ms | |||
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![]() | MT58V512V36FF-8.5 | 18.7900 | ![]() | 76 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | SyncBurst ™ | 대부분 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 165-TBGA | sram- 표준 | 2.375V ~ 2.625V | 165-FBGA (13x15) | 다운로드 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 휘발성 휘발성 | 18mbit | SRAM | 512k x 36 | 평행한 | - | ||||||||
![]() | mtfc32gamakam-wt es tr | - | ![]() | 5362 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | - | - | MTFC32G | 플래시 - NAND | - | - | - | 1 (무제한) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 비 비 | 256gbit | 플래시 | 32g x 8 | MMC | - | ||||||
![]() | MT29F4G16ABBEAH4 : E TR | - | ![]() | 6157 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 63-VFBGA | MT29F4G16 | 플래시 - NAND | 1.7V ~ 1.95V | 63-VFBGA (9x11) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 비 비 | 4gbit | 플래시 | 256m x 16 | 평행한 | - | ||||
![]() | MT29F4T08EUHAFM4-3T : a | - | ![]() | 7616 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | - | - | MT29F4T08 | 플래시 - NAND | 2.5V ~ 3.6V | - | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,120 | 333 MHz | 비 비 | 4tbit | 플래시 | 512g x 8 | 평행한 | - | |||
![]() | MT25TL512HAA1ESF-0AAT | - | ![]() | 1255 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) | MT25TL512 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 16-SOP2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1,400 | 133 MHz | 비 비 | 512mbit | 플래시 | 64m x 8 | SPI | 8ms, 2.8ms | ||||
![]() | MT29VZZZ7C8DQFSL-046 W.9J8 | - | ![]() | 6656 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 상자 | 쓸모없는 | MT29VZZZ7 | - | 1 (무제한) | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1,520 | ||||||||||||||||||
![]() | MT62F1G32D4DS-031 AUT : B TR | 37.4700 | ![]() | 4010 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | 표면 표면 | 200-WFBGA | sdram- 모바일 lpddr5 | 1.05V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | 557-MT62F1G32D4DS-031AUT : BTR | 2,000 | 3.2GHz | 휘발성 휘발성 | 32gbit | 음주 | 1g x 32 | 평행한 | - | ||||||||
![]() | MT53E512M64D4HJ-046 AAT : d | 39.1050 | ![]() | 4571 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 상자 | 활동적인 | - | 557-MT53E512M64D4HJ-046AAT : d | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | MT53E256M64D4NZ-053 WT : B TR | - | ![]() | 7217 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | MT53E256 | sdram- 모바일 lpddr4 | 1.1V | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | MT53E256M64D4NZ-053WT : BTR | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1,000 | 1.866 GHz | 휘발성 휘발성 | 16gbit | 음주 | 256m x 64 | - | - | |||||
![]() | MT48LC4M16A2P-6A AAT : J TR | - | ![]() | 8169 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) | MT48LC4M16A2 | sdram | 3V ~ 3.6V | 54-TSOP II | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 167 MHz | 휘발성 휘발성 | 64mbit | 5.4 ns | 음주 | 4m x 16 | 평행한 | 12ns | ||
![]() | MT62F4G32D8DV-023 AIT : B TR | 114.9600 | ![]() | 1081 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 95 ° C | - | - | sdram- 모바일 lpddr5 | - | - | - | 557-MT62F4G32D8DV-023AIT : BTR | 2,000 | 4.266 GHz | 휘발성 휘발성 | 128gbit | 음주 | 4G X 32 | 평행한 | - | ||||||||
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MT41J64M16TW-093 : J. | - | ![]() | 5846 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 96-TFBGA | MT41J64M16 | sdram -ddr3 | 1.425V ~ 1.575V | 96-FBGA (8x14) | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0032 | 1,368 | 1.066 GHz | 휘발성 휘발성 | 1gbit | 음주 | 64m x 16 | 평행한 | - | |||||
![]() | MT29C4G48MAZAPAKD-5 IT TR | - | ![]() | 5806 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 137-TFBGA | MT29C4G48 | 플래시 -Nand, n lpdram | 1.7V ~ 1.95V | 137-TFBGA (10.5x13) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 200MHz | 비 비, 휘발성 | 4GBIT (NAND), 2GBIT (LPDRAM) | 플래시, 램 | 256m x 16 (NAND), 64m x 32 (lpdram) | 평행한 | - | ||||
![]() | MT29F256G08CBHBBL06B3WC1-R | - | ![]() | 5433 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 주사위 | MT29F256G08 | 플래시 -Nand (MLC) | 2.5V ~ 3.6V | 주사위 | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 비 비 | 256gbit | 플래시 | 32g x 8 | 평행한 | - | ||||
MT41K128M16JT-125 M : k | - | ![]() | 3979 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 96-TFBGA | MT41K128M16 | sdram -ddr3l | 1.283V ~ 1.45V | 96-FBGA (8x14) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 800MHz | 휘발성 휘발성 | 2gbit | 13.75 ns | 음주 | 128m x 16 | 평행한 | - | ||||
![]() | MT62F1536M32D4DS-023 AAT : b | 47.8950 | ![]() | 9560 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 상자 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | 표면 표면 | 200-WFBGA | sdram- 모바일 lpddr5 | - | 200-WFBGA (10x14.5) | - | 557-MT62F1536M32D4DS-023AAT : b | 1 | 3.2GHz | 휘발성 휘발성 | 48gbit | 음주 | 768m x 64 | 평행한 | - | ||||||||
MT40A1G8SA-062E AUT : e | 11.6400 | ![]() | 9635 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | 표면 표면 | 78-TFBGA | MT40A1G8 | sdram -ddr4 | 1.14V ~ 1.26V | 78-FBGA (7.5x11) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | MT40A1G8SA-062EAUT : e | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1,260 | 1.6GHz | 휘발성 휘발성 | 8gbit | 19 ns | 음주 | 1g x 8 | 평행한 | 15ns | ||
![]() | MT62F2G64D8EK-023 FAAT : C TR | 126.4350 | ![]() | 2194 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | 표면 표면 | 441-TFBGA | sdram- 모바일 lpddr5 | 1.05V | 441-TFBGA (14x14) | - | 557-MT62F2G64D8EK-023FAAT : CTR | 2,000 | 4.266 GHz | 휘발성 휘발성 | 128gbit | 음주 | 2G X 64 | 평행한 | - | ||||||||
![]() | MT29F8T08EQLCHL5-QA : C TR | 167.8050 | ![]() | 9117 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | 557-MT29F8T08EQLCHL5-QA : CTR | 2,000 | |||||||||||||||||||||
![]() | MT40A1G16RC-062E IT : B TR | - | ![]() | 9680 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 96-TFBGA | MT40A1G16 | sdram -ddr4 | 1.14V ~ 1.26V | 96-FBGA (10x13) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | MT40A1G16RC-062EIT : BTR | 귀 99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.6GHz | 휘발성 휘발성 | 16gbit | 19 ns | 음주 | 1g x 16 | 평행한 | 15ns |
일일 평균 RFQ 볼륨
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