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MT29F4G08ABAFAWP-AIAT : F TR | 3.2532 | ![]() | 7665 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 마지막으로 마지막으로 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) | MT29F4G08 | 플래시 -Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 48-tsop i | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | MT29F4G08ABAFAWP-ait : FTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 비 비 | 4gbit | 플래시 | 512m x 8 | 평행한 | - | ||||
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![]() | M25PE10-VMP6TG TR | - | ![]() | 2484 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 컷 컷 (CT) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-vdfn d 패드 | M25PE10 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 8-vdfpn (6x5) (MLP8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 4,000 | 75MHz | 비 비 | 1mbit | 플래시 | 128k x 8 | SPI | 15ms, 3ms | |||
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![]() | MT29F2G01AAAEDH4 : E TR | - | ![]() | 4102 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 63-VFBGA | MT29F2G01 | 플래시 - NAND | 2.7V ~ 3.6V | 63-VFBGA (9x11) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 비 비 | 2gbit | 플래시 | 2G x 1 | SPI | - | ||||
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![]() | N25Q128A13ESFC0F TR | - | ![]() | 7497 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) | N25Q128A13 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 16-SOP2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 108 MHz | 비 비 | 128mbit | 플래시 | 32m x 4 | SPI | 8ms, 5ms | |||
![]() | MTFC64GASAQHD-AAT TR | 31.2900 | ![]() | 5384 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 153-VFBGA | 플래시 -Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 153-VFBGA (11.5x13) | - | 557-MTFC64GASAQHD-AATTR | 2,000 | 200MHz | 비 비 | 512gbit | 플래시 | 64g x 8 | EMMC_5.1 | - | ||||||||
![]() | MT62F1G32D2DS-026 WT : C TR | 22.8450 | ![]() | 7250 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -25 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | 200-WFBGA | sdram- 모바일 lpddr5 | 1.05V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | 557-MT62F1G32D2DS-026WT : CTR | 2,000 | 3.2GHz | 휘발성 휘발성 | 32gbit | 음주 | 1g x 32 | 평행한 | - | ||||||||
![]() | M29W640GT70ZA6F TR | - | ![]() | 6177 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-TFBGA | M29W640 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 48-TFBGA (6x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 비 비 | 64mbit | 70 ns | 플래시 | 8m x 8, 4m x 16 | 평행한 | 70ns | |||
![]() | MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.8D TR | - | ![]() | 4499 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | MT29RZ4 | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 0000.00.0000 | 1,000 | |||||||||||||||||
MT35XU01GBBA2G12-0AUT | 25.4400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | XCCELA ™ -MT35X | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | 표면 표면 | 24-TBGA | MT35XU01 | 플래시 - 아니오 | 1.7V ~ 2V | 24-T-PBGA (6x8) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,122 | 200MHz | 비 비 | 1gbit | 플래시 | 128m x 8 | xccela 버스 | - | ||||
MT25TL512HBA8E12-0AAT TR | 10.5450 | ![]() | 9285 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 24-TBGA | MT25TL512 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 24-T-PBGA (6x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 133 MHz | 비 비 | 512mbit | 플래시 | 64m x 8 | SPI | 8ms, 2.8ms | ||||
![]() | MT48LC2M32B2P-6A : J TR | - | ![]() | 4722 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) | MT48LC2M32B2 | sdram | 3V ~ 3.6V | 86-TSOP II | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0002 | 2,000 | 167 MHz | 휘발성 휘발성 | 64mbit | 5.4 ns | 음주 | 2m x 32 | 평행한 | 12ns | ||
![]() | Mt28ew512aba1lpn-0sit tr | - | ![]() | 4225 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 56-VFBGA | MT28ew512 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 56-VFBGA (7x9) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | mt28ew512aba1lpn-0sittr | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 비 비 | 512mbit | 95 ns | 플래시 | 64m x 8, 32m x 16 | 평행한 | 60ns | |||
![]() | MT53B256M64D2PX-062 XT ES : C TR | - | ![]() | 2378 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -30 ° C ~ 105 ° C (TC) | - | - | MT53B256 | sdram- 모바일 lpddr4 | 1.1V | - | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.6GHz | 휘발성 휘발성 | 16gbit | 음주 | 256m x 64 | - | - | |||
![]() | mtfc128gapalna-ait | - | ![]() | 3129 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 상자 | 마지막으로 마지막으로 | MTFC128 | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 0000.00.0000 | 980 | |||||||||||||||||
![]() | mtfc32gjved-3f wt | - | ![]() | 8022 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | 쟁반 | 쓸모없는 | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 169-VFBGA | MTFC32G | 플래시 - NAND | 2.7V ~ 3.6V | 169-VFBGA (14x18) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 비 비 | 256gbit | 플래시 | 32g x 8 | MMC | - | |||||
![]() | M29W040B90K1E | - | ![]() | 9355 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 튜브 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 32-LCC (J-Lead) | M29W040 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 32-PLCC (11.35x13.89) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 32 | 비 비 | 4mbit | 90 ns | 플래시 | 512k x 8 | 평행한 | 90ns | |||
![]() | MT29GZ5A5BPGGA-53ITES.87J TR | - | ![]() | 8413 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 149-WFBGA | MT29GZ5A5 | -Nand, dram -lpddr4 | 1.8V | 149-WFBGA (8x9.5) | - | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 1866 MHz | 비 비, 휘발성 | 4GBIT (NAND), 4GBIT (LPDDR4) | 플래시, 램 | 512m x 8 (NAND), 128m x 32 (LPDDR4) | 평행한 | - | ||||
![]() | MT53B4DAWT-DC | - | ![]() | 8332 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 대부분 | 쓸모없는 | - | - | MT53B4 | sdram- 모바일 lpddr4 | - | - | 1 (무제한) | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1,190 | 휘발성 휘발성 | 음주 | ||||||||||||
![]() | M29W400DB45N6E | - | ![]() | 6284 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) | M29W400 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 48-tsop i | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 귀 99 | 8542.32.0071 | 96 | 비 비 | 4mbit | 45 ns | 플래시 | 512k x 8, 256k x 16 | 평행한 | 45ns | ||||
![]() | mtfc4glmdq-ait z tr | - | ![]() | 8775 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 100-lbga | MTFC4 | 플래시 - NAND | - | 100-lbga (14x18) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 비 비 | 32gbit | 플래시 | 4G X 8 | MMC | - | ||||
![]() | MT46V64M4P-5B : m | - | ![]() | 2005 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 대부분 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) | MT46V64M4 | sdram -ddr | 2.5V ~ 2.7V | 66-tsop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 귀 99 | 8542.32.0028 | 1,000 | 200MHz | 휘발성 휘발성 | 256mbit | 700 PS | 음주 | 64m x 4 | 평행한 | 15ns | |||
![]() | MT53E128M16D1DS-053 AAT : A TR | - | ![]() | 8911 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | MT53E128 | sdram- 모바일 lpddr4 | 1.1V | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | MT53E128MD1DS-053AAT : ATR | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 2,000 | 1.866 GHz | 휘발성 휘발성 | 2gbit | 음주 | 128m x 16 | - | - |
일일 평균 RFQ 볼륨
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