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MT62F2G64D8EK-023 AUT:C TR Micron Technology Inc. MT62F2G64D8EK-023 AUT : C TR 145.4250
RFQ
ECAD 9919 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 557-MT62F2G64D8EK-023AUT : CTR 2,000
MT29F4G08ABAFAWP-AIT:F TR Micron Technology Inc. MT29F4G08ABAFAWP-AIAT : F TR 3.2532
RFQ
ECAD 7665 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F4G08 플래시 -Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 MT29F4G08ABAFAWP-ait : FTR 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 4gbit 플래시 512m x 8 평행한 -
MT29F16G08ABCBBM62B3WC1 Micron Technology Inc. MT29F16G08ABCBBM62B3WC1 -
RFQ
ECAD 9848 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 주사위 MT29F16G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 주사위 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1 비 비 16gbit 플래시 2G X 8 평행한 -
MT62F1G32D2DS-023 WT ES:B Micron Technology Inc. MT62F1G32D2DS-023 WT ES : b 40.9200
RFQ
ECAD 5505 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 활동적인 - 표면 표면 200-WFBGA sdram- 모바일 lpddr5 1.05V 200-WFBGA (10x14.5) - 557-MT62F1G32D2DS-023WTES : b 1 4.266 GHz 휘발성 휘발성 32gbit 음주 1g x 32 평행한 -
M25PE10-VMP6TG TR Micron Technology Inc. M25PE10-VMP6TG TR -
RFQ
ECAD 2484 0.00000000 Micron Technology Inc. - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 M25PE10 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-vdfpn (6x5) (MLP8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 4,000 75MHz 비 비 1mbit 플래시 128k x 8 SPI 15ms, 3ms
JS28F256J3F105B TR Micron Technology Inc. JS28F256J3F105B TR -
RFQ
ECAD 1724 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) JS28F256J3 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 56-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,600 비 비 256mbit 105 ns 플래시 32m x 8, 16m x 16 평행한 105ns
MT29F2G01AAAEDH4:E TR Micron Technology Inc. MT29F2G01AAAEDH4 : E TR -
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ECAD 4102 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA MT29F2G01 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 63-VFBGA (9x11) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 2gbit 플래시 2G x 1 SPI -
MT29F8G08ABABAWP-AATX:B Micron Technology Inc. MT29F8G08ABABAWP-AATX : b -
RFQ
ECAD 9712 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F8G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 960 비 비 8gbit 플래시 1g x 8 평행한 -
MT62F1G64D4EK-023 AUT:C Micron Technology Inc. MT62F1G64D4EK-023 AUT : c 109.1100
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ECAD 7148 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 활동적인 - 557-MT62F1G64D4EK-023AUT : c 1
PC28F640J3F75A Micron Technology Inc. PC28F640J3F75A -
RFQ
ECAD 2947 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-TBGA PC28F640 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-ESYBGA (10x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 864 비 비 64mbit 75 ns 플래시 8m x 8, 4m x 16 평행한 75ns
MT29F256G08CBCBBWP-10M:B Micron Technology Inc. MT29F256G08CBCBBWP-10M : b -
RFQ
ECAD 6654 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F256G08 플래시 -Nand (MLC) 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 960 100MHz 비 비 256gbit 플래시 32g x 8 평행한 -
N25Q128A13ESFC0F TR Micron Technology Inc. N25Q128A13ESFC0F TR -
RFQ
ECAD 7497 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) N25Q128A13 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 16-SOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 108 MHz 비 비 128mbit 플래시 32m x 4 SPI 8ms, 5ms
MTFC64GASAQHD-AAT TR Micron Technology Inc. MTFC64GASAQHD-AAT TR 31.2900
RFQ
ECAD 5384 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 153-VFBGA 플래시 -Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V 153-VFBGA (11.5x13) - 557-MTFC64GASAQHD-AATTR 2,000 200MHz 비 비 512gbit 플래시 64g x 8 EMMC_5.1 -
MT62F1G32D2DS-026 WT:C TR Micron Technology Inc. MT62F1G32D2DS-026 WT : C TR 22.8450
RFQ
ECAD 7250 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -25 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 200-WFBGA sdram- 모바일 lpddr5 1.05V 200-WFBGA (10x14.5) - 557-MT62F1G32D2DS-026WT : CTR 2,000 3.2GHz 휘발성 휘발성 32gbit 음주 1g x 32 평행한 -
M29W640GT70ZA6F TR Micron Technology Inc. M29W640GT70ZA6F TR -
RFQ
ECAD 6177 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA M29W640 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 비 비 64mbit 70 ns 플래시 8m x 8, 4m x 16 평행한 70ns
MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.8D TR Micron Technology Inc. MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.8D TR -
RFQ
ECAD 4499 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 MT29RZ4 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 1,000
MT35XU01GBBA2G12-0AUT Micron Technology Inc. MT35XU01GBBA2G12-0AUT 25.4400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. XCCELA ™ -MT35X 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 24-TBGA MT35XU01 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 24-T-PBGA (6x8) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 200MHz 비 비 1gbit 플래시 128m x 8 xccela 버스 -
MT25TL512HBA8E12-0AAT TR Micron Technology Inc. MT25TL512HBA8E12-0AAT TR 10.5450
RFQ
ECAD 9285 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA MT25TL512 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 24-T-PBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 133 MHz 비 비 512mbit 플래시 64m x 8 SPI 8ms, 2.8ms
MT48LC2M32B2P-6A:J TR Micron Technology Inc. MT48LC2M32B2P-6A : J TR -
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ECAD 4722 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC2M32B2 sdram 3V ~ 3.6V 86-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 2,000 167 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.4 ns 음주 2m x 32 평행한 12ns
MT28EW512ABA1LPN-0SIT TR Micron Technology Inc. Mt28ew512aba1lpn-0sit tr -
RFQ
ECAD 4225 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-VFBGA MT28ew512 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 56-VFBGA (7x9) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) mt28ew512aba1lpn-0sittr 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 비 비 512mbit 95 ns 플래시 64m x 8, 32m x 16 평행한 60ns
MT53B256M64D2PX-062 XT ES:C TR Micron Technology Inc. MT53B256M64D2PX-062 XT ES : C TR -
RFQ
ECAD 2378 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -30 ° C ~ 105 ° C (TC) - - MT53B256 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 1.6GHz 휘발성 휘발성 16gbit 음주 256m x 64 - -
MTFC128GAPALNA-AIT Micron Technology Inc. mtfc128gapalna-ait -
RFQ
ECAD 3129 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 마지막으로 마지막으로 MTFC128 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 980
MTFC32GJVED-3F WT Micron Technology Inc. mtfc32gjved-3f wt -
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ECAD 8022 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 쟁반 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 169-VFBGA MTFC32G 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 169-VFBGA (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 256gbit 플래시 32g x 8 MMC -
M29W040B90K1E Micron Technology Inc. M29W040B90K1E -
RFQ
ECAD 9355 0.00000000 Micron Technology Inc. - 튜브 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 32-LCC (J-Lead) M29W040 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 32-PLCC (11.35x13.89) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 32 비 비 4mbit 90 ns 플래시 512k x 8 평행한 90ns
MT29GZ5A5BPGGA-53ITES.87J TR Micron Technology Inc. MT29GZ5A5BPGGA-53ITES.87J TR -
RFQ
ECAD 8413 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 149-WFBGA MT29GZ5A5 -Nand, dram -lpddr4 1.8V 149-WFBGA (8x9.5) - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 1866 MHz 비 비, 휘발성 4GBIT (NAND), 4GBIT (LPDDR4) 플래시, 램 512m x 8 (NAND), 128m x 32 (LPDDR4) 평행한 -
MT53B4DAWT-DC Micron Technology Inc. MT53B4DAWT-DC -
RFQ
ECAD 8332 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 - - MT53B4 sdram- 모바일 lpddr4 - - 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 1,190 휘발성 휘발성 음주
M29W400DB45N6E Micron Technology Inc. M29W400DB45N6E -
RFQ
ECAD 6284 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M29W400 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0071 96 비 비 4mbit 45 ns 플래시 512k x 8, 256k x 16 평행한 45ns
MTFC4GLMDQ-AIT Z TR Micron Technology Inc. mtfc4glmdq-ait z tr -
RFQ
ECAD 8775 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lbga MTFC4 플래시 - NAND - 100-lbga (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 32gbit 플래시 4G X 8 MMC -
MT46V64M4P-5B:M Micron Technology Inc. MT46V64M4P-5B : m -
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ECAD 2005 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V64M4 sdram -ddr 2.5V ~ 2.7V 66-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0028 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 256mbit 700 PS 음주 64m x 4 평행한 15ns
MT53E128M16D1DS-053 AAT:A TR Micron Technology Inc. MT53E128M16D1DS-053 AAT : A TR -
RFQ
ECAD 8911 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) MT53E128 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - Rohs3 준수 3 (168 시간) MT53E128MD1DS-053AAT : ATR 쓸모없는 0000.00.0000 2,000 1.866 GHz 휘발성 휘발성 2gbit 음주 128m x 16 - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고