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![]() | MT53D1024M32D4NQ-062 WT ES : d | - | ![]() | 6551 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 200-VFBGA | MT53D1024 | sdram- 모바일 lpddr4 | 1.1V | 200-VFBGA (10x14.5) | - | 1 (무제한) | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1,360 | 1.6GHz | 휘발성 휘발성 | 32gbit | 음주 | 1g x 32 | - | - | |||||
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![]() | EDFA232A2PB-GD-FD | - | ![]() | 5773 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | - | EDFA232 | sdram- 모바일 lpddr3 | 1.14V ~ 1.95V | 216-FBGA (12x12) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1,680 | 800MHz | 휘발성 휘발성 | 16gbit | 음주 | 512m x 32 | 평행한 | - | ||||
![]() | MT29F256G08CKCBBH2-10 : b | - | ![]() | 5586 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 100-tbga | MT29F256G08 | 플래시 -Nand (MLC) | 2.7V ~ 3.6V | 100-TBGA (12x18) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 100MHz | 비 비 | 256gbit | 플래시 | 32g x 8 | 평행한 | - | ||||
![]() | mtfc16gapalbh-ait es tr | - | ![]() | 3746 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 153-TFBGA | MTFC16 | 플래시 - NAND | 1.7V ~ 1.9V | 153-TFBGA (11.5x13) | - | 1 (무제한) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 비 비 | 128gbit | 플래시 | 16g x 8 | MMC | - | ||||||
![]() | MT29C4G96MAYAPCJA-5 | - | ![]() | 9508 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 137-TFBGA | MT29C4G96 | 플래시 -Nand, n lpdram | 1.7V ~ 1.95V | 137-TFBGA (10.5x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 200MHz | 비 비, 휘발성 | 4GBIT (NAND), 4GBIT (LPDRAM) | 플래시, 램 | 512m x 8 (NAND), 128m x 32 (lpdram) | 평행한 | - | ||||
![]() | M36L0R7060U3ZSE | - | ![]() | 6370 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | M36L0R7060 | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,304 | |||||||||||||||||
![]() | MT62F1G32D2DS-023 AUT : C TR | 36.7350 | ![]() | 6064 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | 표면 표면 | 200-WFBGA | sdram- 모바일 lpddr5 | 1.05V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | 557-MT62F1G32D2DS-023AUT : CTR | 2,000 | 3.2GHz | 휘발성 휘발성 | 32gbit | 음주 | 1g x 32 | 평행한 | - | ||||||||
![]() | MT62F768M64D4EK-023 WT : b | 34.2750 | ![]() | 2824 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 상자 | 활동적인 | - | 표면 표면 | 441-TFBGA | MT62F768 | sdram- 모바일 lpddr5 | - | 441-TFBGA (14x14) | - | 557-MT62F768M64D4EK-023WT : b | 1 | 4.266 GHz | 휘발성 휘발성 | 48gbit | 음주 | 768m x 64 | 평행한 | - | |||||||
![]() | MT47H64M16U88BWC1 | - | ![]() | 3667 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 대부분 | 쓸모없는 | - | MT47H64M16 | sdram -ddr2 | 1.7V ~ 1.9V | - | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0032 | 1 | 휘발성 휘발성 | 1gbit | 음주 | 64m x 16 | 평행한 | ||||||||||
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![]() | MTFC128GAXATEA-WT TR | 20.4900 | ![]() | 6379 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -25 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | 153-VFBGA | 플래시 -Nand (SLC) | - | 153-VFBGA (11.5x13) | - | 557-MTFC128GAXATEA-WTTR | 2,000 | 비 비 | 1tbit | 플래시 | 128g x 8 | UFS 3.1 | - | |||||||||
![]() | MT45W4MW16BFB-708 WT F TR | - | ![]() | 3529 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 54-VFBGA | MT45W4MW16 | psram (의사 sram) | 1.7V ~ 1.95V | 54-VFBGA (6x9) | 다운로드 | rohs 비준수 | 2 (1 년) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 휘발성 휘발성 | 64mbit | 70 ns | psram | 4m x 16 | 평행한 | 70ns |
일일 평균 RFQ 볼륨
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