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통합 통합 (ICS) (10403)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
MT62F1G64D8EK-031 WT:B TR Micron Technology Inc. MT62F1G64D8EK-031 WT : B TR 46.6200
RFQ
 ECAD 6757 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -25 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 441-TFBGA sdram- 모바일 lpddr5 1.05V 441-TFBGA (14x14) - 557-MT62F1G64D8EK-031WT : BTR 1,500 3.2GHz 휘발성 휘발성 64gbit 음주 1G X 64 평행한 -
MT53E512M32D2NP-053 RS WT:H Micron Technology Inc. MT53E512M32D2NP-053 RS WT : h 8.4000
RFQ
 ECAD 6065 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 활동적인 - 557-MT53E512M32D2NP-053RSWT : h 1
MT28EW512ABA1HPC-0SIT Micron Technology Inc. mt28ew512aba1hpc-0sit 12.9300
RFQ
 ECAD 704 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-lbga MT28ew512 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-lbga (11x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,104 비 비 512mbit 95 ns 플래시 64m x 8, 32m x 16 평행한 60ns
MT29F2T08EMLCEJ4-QJ:C Micron Technology Inc. MT29F2T08EMLCEJ4-QJ : C. 60.5400
RFQ
 ECAD 4072 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 활동적인 - 557-MT29F2T08EMLCEJ4-QJ : C. 1
MTFC64GAZAOTD-AAT TR Micron Technology Inc. mtfc64gazaotd-aat tr 36.8700
RFQ
 ECAD 9588 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 557-MTFC64GAZAOTD-AATTR 2,000
MT53D512M32D2DS-046 WT:F Micron Technology Inc. MT53D512M32D2DS-046 WT : f 30.7500
RFQ
 ECAD 4687 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 200-WFBGA MT53D512 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - 영향을받지 영향을받지 557-MT53D512M32D2DS-046WT : f 136 2.133 GHz 휘발성 휘발성 16gbit 음주 512m x 32 - -
MT40A512M16TD-062E AUT:R Micron Technology Inc. MT40A512M16TD-062E AUT : r -
RFQ
 ECAD 5279 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 96-FBGA (7.5x13) - 영향을받지 영향을받지 557-MT40A512M16TD-062EAUT : r 1 1.6GHz 휘발성 휘발성 8gbit 19 ns 음주 512m x 16 평행한 15ns
MT29F2G08ABBEAHC-IT:E Micron Technology Inc. MT29F2G08ABBEAHC-IT : e 4.2400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA MT29F2G08 플래시 - NAND 1.7V ~ 1.95V 63-VFBGA (10.5x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,140 비 비 2gbit 플래시 256m x 8 평행한 -
MT25QL01GBBB8E12-0AAT TR Micron Technology Inc. MT25QL01GBB8E12-0AAT TR 17.3100
RFQ
 ECAD 9226 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA MT25QL01 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 24-T-PBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 133 MHz 비 비 1gbit 플래시 128m x 8 SPI 8ms, 2.8ms
MTFC64GAPALGT-AIT Micron Technology Inc. mtfc64gapalgt-ait -
RFQ
 ECAD 4161 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 마지막으로 마지막으로 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) MTFC64 플래시 - NAND - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 557-MTFC64GAPALGT-AIT 3A991B1A 8542.32.0071 1,520 비 비 512gbit 플래시 64g x 8 MMC -
MTC10C1084S1TC48BAZ Micron Technology Inc. MTC10C1084S1TC48BAZ 171.6000
RFQ
 ECAD 3959 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 활동적인 - 557-MTC10C1084S1TC48BAZ 1
MT53D768M32D2NP-046 WT:A TR Micron Technology Inc. MT53D768M32D2NP-046 WT : A TR -
RFQ
 ECAD 7868 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 557-MT53D768M32D2NP-046WT : ATR 쓸모없는 2,000
MT29GZ5A3BPGGA-53IT.87K TR Micron Technology Inc. MT29GZ5A3BPGGA-53IT.87K TR -
RFQ
 ECAD 7386 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 149-WFBGA 플래시 -Nand (SLC), DRAM -LPDDR4 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V 149-WFBGA (8x9.5) 다운로드 557-MT29GZ5A3BPGGA-53IT.87KTR 쓸모없는 2,000 비 비, 휘발성 4gbit 25 ns 플래시, 램 512m x 8 onfi 30ns
MT25QL128ABB8E12-CAUT TR Micron Technology Inc. MT25QL128ABB8E12-CAUT TR 4.7277
RFQ
 ECAD 4594 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA 플래시 - 아니오 (SLC) 2.7V ~ 3.6V 24-T-PBGA (6x8) 다운로드 557-MT25QL128ABB8E12-CAUTTR 2,500 133 MHz 비 비 128mbit 5 ns 플래시 16m x 8 spi-쿼드 i/o 1.8ms
MT53E256M16D1DS-046 WT:B TR Micron Technology Inc. MT53E256M16D1DS-046 WT : B TR 7.4850
RFQ
 ECAD 4759 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) MT53E256 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 MT53E256MD1DS-046WT : BTR 귀 99 8542.32.0036 2,000 2.133 GHz 휘발성 휘발성 4gbit 음주 256m x 16 - -
MT29F128G08CFABBWP-12IT:B TR Micron Technology Inc. MT29F128G08CFABBWP-12IT : B TR -
RFQ
 ECAD 9066 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F128G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83MHz 비 비 128gbit 플래시 16g x 8 평행한 -
MT58L128L36D1T-10 Micron Technology Inc. MT58L128L36D1T-10 6.5300
RFQ
 ECAD 324 0.00000000 Micron Technology Inc. SyncBurst ™ 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp sram- 표준 3.135V ~ 3.6V 100-TQFP (14x20.1) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 3A991B2A 8542.32.0041 1 100MHz 휘발성 휘발성 4mbit 5 ns SRAM 128k x 36 평행한 -
M25PE80-VMN6TP TR Micron Technology Inc. M25PE80-VMN6TP TR -
RFQ
 ECAD 3000 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) M25PE80 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 2,500 75MHz 비 비 8mbit 플래시 1m x 8 SPI 15ms, 3ms
MT62F512M64D4EK-031 AIT:B TR Micron Technology Inc. MT62F512M64D4EK-031 AIT : B TR 29.6100
RFQ
 ECAD 9924 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C 표면 표면 441-TFBGA sdram- 모바일 lpddr5 - 441-TFBGA (14x14) - 557-MT62F512M64D4EK-031AIT : BTR 1,500 3.2GHz 휘발성 휘발성 32gbit 음주 512m x 64 평행한 -
MT29VZZZAD8FQFSL-046 WJ.G8K TR Micron Technology Inc. MT29VZZZAD8FQFSL-046 WJ.G8K TR 47.1600
RFQ
 ECAD 8036 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 557-MT29VZZZAD8FQFSL-046WJ.G8KTR 2,000
MT29RZ2B2DZZHHTB-18W.88F Micron Technology Inc. MT29RZ2B2DZZHHTB-18W.88F -
RFQ
 ECAD 6320 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 162-VFBGA MT29RZ2B2 플래시 -nand, dram -lpddr2 1.8V 162-VFBGA (10.5x8) - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,440 533 MHz 비 비, 휘발성 2GBIT (NAND), 2GBIT (LPDDR2) 플래시, 램 256m x 8 (NAND), 64m x 32 (LPDDR2) 평행한 -
MTFC128GASAONS-AIT TR Micron Technology Inc. MTFC128GASAONS-AIAT TR 67.0200
RFQ
 ECAD 3370 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 557-MTFC128GASAONS-AITTR 2,000
MT60B2G8HB-56B:G TR Micron Technology Inc. MT60B2G8HB-56B : G TR 19.0650
RFQ
 ECAD 8549 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 557-MT60B2G8HB-56B : GTR 3,000
MT29F4T08GMLCEJ4-QJ:C Micron Technology Inc. MT29F4T08GMLCEJ4-QJ : C. 78.1500
RFQ
 ECAD 9883 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 활동적인 - 557-MT29F4T08GMLCEJ4-QJ : C. 1
MT53D512M64D4NW-046 WT ES:E TR Micron Technology Inc. MT53D512M64D4NW-046 WT ES : E TR -
RFQ
 ECAD 3128 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 432-VFBGA MT53D512 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 432-VFBGA (15x15) - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 2.133 GHz 휘발성 휘발성 32gbit 음주 512m x 64 - -
MT53E1G32D4NQ-046 WT:F Micron Technology Inc. MT53E1G32D4NQ-046 WT : f -
RFQ
 ECAD 2861 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 200-VFBGA sdram- 모바일 lpddr4 1.06V ~ 1.17V 200-VFBGA (10x14.5) - Rohs3 준수 557-MT53E1G32D4NQ-046WT : f 쓸모없는 1 2.133 GHz 휘발성 휘발성 32gbit 음주 1g x 32 -
MT29E2T08CTCCBJ7-6:C TR Micron Technology Inc. MT29E2T08CTCCBJ7-6 : C TR -
RFQ
 ECAD 1433 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 152-lbga MT29E2T08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 152-lbga (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 167 MHz 비 비 2tbit 플래시 256g x 8 평행한 -
MT29F8G08ADAFAH4-AAT:F TR Micron Technology Inc. MT29F8G08ADAFAH4-AAT : F TR 9.2550
RFQ
 ECAD 3629 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA MT29F8G08 플래시 -Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V 63-VFBGA (9x11) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 MT29F8G08ADAFAH4-AAT : FTR 8542.32.0071 2,000 비 비 8gbit 플래시 1g x 8 평행한 -
MT62F1536M32D4DS-023 IT:B TR Micron Technology Inc. MT62F1536M32D4DS-023 IT : B TR 37.6950
RFQ
 ECAD 3510 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 557-MT62F1536M32D4DS-023IT : BTR 2,000
M45PE80-VMW6TG TR Micron Technology Inc. M45PE80-VMW6TG TR -
RFQ
 ECAD 2150 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) M45PE80 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8- w 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,500 75MHz 비 비 8mbit 플래시 1m x 8 SPI 15ms, 3ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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