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통합 통합 (ICS) (10403)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지 sic 프로그램 가능
MT29VZZZAD8FQKSL-046 W.12H TR Micron Technology Inc. MT29VZZZAD8FQKSL-046 W.12H TR 47.1600
RFQ
 ECAD 7961 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 557-MT29VZZZAD8FQKSL-046W.12HTR 2,000
MT29F256G08CBCBBWP-10:B Micron Technology Inc. MT29F256G08CBCBBWP-10 : b -
RFQ
 ECAD 2770 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F256G08 플래시 -Nand (MLC) 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 960 100MHz 비 비 256gbit 플래시 32g x 8 평행한 -
MT29F2T08GELCEJ4-QA:C TR Micron Technology Inc. MT29F2T08GELCEJ4-QA : C TR 39.0600
RFQ
 ECAD 9300 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 557-MT29F2T08GELCEJ4-QA : CTR 2,000
MTFC4GACAANA-4M IT TR Micron Technology Inc. MTFC4GACAANA-4M IT TR -
RFQ
 ECAD 6461 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-tbga MTFC4 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 100-TBGA (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) mtfc4gacaana-4mittr 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 32gbit 플래시 4G X 8 MMC -
MT53E768M32D4DT-046 AIT:E Micron Technology Inc. MT53E768M32D4DT-046 AIT : e -
RFQ
 ECAD 7210 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 200-VFBGA MT53E768 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 200-VFBGA (10x14.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) MT53E768M32D4DT-046AIT : e 귀 99 8542.32.0036 1,360 2.133 GHz 휘발성 휘발성 24gbit 음주 768m x 32 - -
MT41K512M16TNA-125:E Micron Technology Inc. MT41K512M16TNA-125 : e -
RFQ
 ECAD 7244 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT41K512M16 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (10x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 800MHz 휘발성 휘발성 8gbit 13.5 ns 음주 512m x 16 평행한 -
MT55L128L32F1T-10 Micron Technology Inc. MT55L128L32F1T-10 5.9300
RFQ
 ECAD 602 0.00000000 Micron Technology Inc. ZBT® 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp SRAM -ZBT 3.135V ~ 3.465V 100-TQFP (14x20.1) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 3A991B2A 8542.32.0041 1 100MHz 휘발성 휘발성 4mbit 7.5 ns SRAM 128k x 32 평행한 -
MT29F512G08EBHAFB17A3WC1-F Micron Technology Inc. MT29F512G08EBHAFB17A3WC1-F 16.0700
RFQ
 ECAD 2444 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 활동적인 - 557-MT29F512G08EBHAFB17A3WC1-F 1
MT62F2G32D4DS-023 AAT:C Micron Technology Inc. MT62F2G32D4DS-023 AAT : c 63.8550
RFQ
 ECAD 5422 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 상자 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 200-WFBGA sdram- 모바일 lpddr5 1.05V 200-WFBGA (10x14.5) - 557-MT62F2G32D4DS-023AAT : c 1 2.133 GHz 휘발성 휘발성 64gbit 음주 2G X 32 평행한 -
MT29F4T08EULKEM4-ITF:K Micron Technology Inc. MT29F4T08EULKEM4-ITF : k 136.1250
RFQ
 ECAD 3350 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 활동적인 - 557-MT29F4T08EULKEM4-ITF : k 1
MT49H8M36BM-25:B TR Micron Technology Inc. MT49H8M36BM-25 : B TR -
RFQ
 ECAD 8452 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 144-TFBGA MT49H8M36 음주 1.7V ~ 1.9V 144-µBGA (18.5x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 400MHz 휘발성 휘발성 288mbit 20 ns 음주 8m x 36 평행한 -
MT62F1G32D2DS-023 WT:C TR Micron Technology Inc. MT62F1G32D2DS-023 WT : C TR 22.8450
RFQ
 ECAD 4763 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -25 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 200-WFBGA sdram- 모바일 lpddr5 1.05V 200-WFBGA (10x14.5) - 557-MT62F1G32D2DS-023WT : CTR 2,000 3.2GHz 휘발성 휘발성 32gbit 음주 1g x 32 평행한 -
MT46V16M16P-5B XIT:M TR Micron Technology Inc. MT46V16M16P-5B XIT : M TR -
RFQ
 ECAD 7526 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V16M16 sdram -ddr 2.5V ~ 2.7V 66-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 256mbit 700 PS 음주 16m x 16 평행한 15ns
MT29C1G12MAADYAKE-5 IT Micron Technology Inc. MT29C1G12MAADYAKE-5 IT -
RFQ
 ECAD 6720 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 137-TFBGA MT29C1G12 플래시 -Nand, n lpdram 1.7V ~ 1.95V 137-TFBGA (10.5x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,190 200MHz 비 비, 휘발성 1GBIT (NAND), 512MBIT (LPDRAM) 플래시, 램 128m x 8 (NAND), 16m x 32 (lpdram) 평행한 -
MT47H128M8SH-25E AIT:M Micron Technology Inc. MT47H128M8SH-25E AIT : M. -
RFQ
 ECAD 3648 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 60-TFBGA MT47H128M8 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 60-FBGA (8x10) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 253 400MHz 휘발성 휘발성 1gbit 400 PS 음주 128m x 8 평행한 15ns
MT53E512M32D2NP-046 WT:E Micron Technology Inc. MT53E512M32D2NP-046 WT : e -
RFQ
 ECAD 7968 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 200-WFBGA MT53E512 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - 쓸모없는 0000.00.0000 1,360 2.133 GHz 휘발성 휘발성 16gbit 음주 512m x 32 - -
MT62F1536M32D4DS-026 AAT:B Micron Technology Inc. MT62F1536M32D4DS-026 AAT : b 47.8950
RFQ
 ECAD 7123 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 상자 활동적인 - 표면 표면 200-WFBGA sdram- 모바일 lpddr5 - 200-WFBGA (10x14.5) - 557-MT62F1536M32D4DS-026AAT : b 1 3.2GHz 휘발성 휘발성 48gbit 음주 1.5GX 32 평행한 -
MT29F128G08AMCABJ2-10Z:A Micron Technology Inc. MT29F128G08AMCABJ2-10Z : a -
RFQ
 ECAD 5916 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 132-TBGA MT29F128G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 132-TBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100MHz 비 비 128gbit 플래시 16g x 8 평행한 -
MT53D512M64D4HR-053 WT:D TR Micron Technology Inc. MT53D512M64D4HR-053 WT : D TR -
RFQ
 ECAD 5859 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 366-WFBGA MT53D512 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 366-WFBGA (12x12.7) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 MT53D512M64D4HR-053WT : DTR 쓸모없는 0000.00.0000 2,000 1.866 GHz 휘발성 휘발성 32gbit 음주 512m x 64 - -
MT46H64M32LFBQ-48 WT:C TR Micron Technology Inc. MT46H64M32LFBQ-48 WT : C TR 12.7300
RFQ
 ECAD 6626 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-VFBGA MT46H64M32 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 90-VFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 208 MHz 휘발성 휘발성 2gbit 5 ns 음주 64m x 32 평행한 14.4ns
MT29TZZZ8D6DKEZB-107 W.9H6 TR Micron Technology Inc. MT29TZZZ8D6DKEZB-107 W.9H6 TR -
RFQ
 ECAD 5411 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 221-WFBGA MT29TZZZ8 -Nand, DRAM -lpddr3 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V 221-WFBGA (13x11.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) MT29TZZZ8D6DKEZB-107W.9H6TR 쓸모없는 0000.00.0000 1,000 933 MHz 비 비, 휘발성 128gbit (NAND), 8GBIT (LPDDR3) 플래시, 램 16G X 8 (NAND), 256M X 32 (LPDDR3) MMC, LPDRAM -
MT29VZZZAD8FQFSL-046 W.G8K TR Micron Technology Inc. MT29VZZZAD8FQFSL-046 W.G8K TR -
RFQ
 ECAD 3937 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 MT29VZZZAD8 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 557-MT29VZZZAD8FQFSL-046W.G8KTR 쓸모없는 2,000 확인되지 확인되지
MT29F512G08EBLEEJ4-M:E TR Micron Technology Inc. MT29F512G08EBLEEJ4-M : E TR 10.7250
RFQ
 ECAD 4815 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 557-MT29F512G08EBLEEJ4-M : ETR 2,000
MT62F4G32D8DV-023 FAAT:B TR Micron Technology Inc. MT62F4G32D8DV-023 FAAT : B TR 126.4350
RFQ
 ECAD 2328 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - - sdram- 모바일 lpddr5 - - - 557-MT62F4G32D8DV-023FAAT : BTR 2,000 4.266 GHz 휘발성 휘발성 128gbit 음주 4G X 32 평행한 -
MT53E256M16D1DS-046 AAT:B Micron Technology Inc. MT53E256M16D1DS-046 AAT : b 12.6900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) MT53E256 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 MT53E256M16D1DS-046AAT : b 귀 99 8542.32.0036 1,360 2.133 GHz 휘발성 휘발성 4gbit 음주 256m x 16 - -
MT53E2G32D4NQ-046 WT:A Micron Technology Inc. MT53E2G32D4NQ-046 WT : a -
RFQ
 ECAD 4253 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 200-VFBGA MT53E2G32 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 200-VFBGA (10x14.5) - Rohs3 준수 557-MT53E2G32D4NQ-046WT : a 쓸모없는 136 2.133 GHz 휘발성 휘발성 64gbit 음주 2G X 32 - -
MT53B1DBDS-DC TR Micron Technology Inc. MT53B1DBDS-DC TR -
RFQ
 ECAD 5886 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 200-WFBGA sdram- 모바일 lpddr4 200-WFBGA (10x14.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 2,000 휘발성 휘발성 음주
MT53E768M32D2FW-046 WT:C TR Micron Technology Inc. MT53E768M32D2FW-046 WT : C TR 24.0600
RFQ
 ECAD 2692 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - Rohs3 준수 557-MT53E768M32D2FW-046WT : CTR 2,000
N25Q032A13ESF40G Micron Technology Inc. N25Q032A13ESF40G -
RFQ
 ECAD 1552 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) N25Q032A13 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 16-SOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,225 108 MHz 비 비 32mbit 플래시 8m x 4 SPI 8ms, 5ms
MT41K256M16TW-107 AUT:P TR Micron Technology Inc. MT41K256M16TW-107 AUT : P TR 8.4000
RFQ
 ECAD 1632 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT41K256M16 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (9x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 933 MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 256m x 16 평행한 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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