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![]() | M29F800FB5AN6F2 | 2.8000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) | M29F800 | 플래시 - 아니오 | 4.5V ~ 5.5V | 48-tsop | 다운로드 | 공급 공급 정의되지 업체는 | 공급 공급 정의되지 업체는 | 3277-M29F800FB5AN6F2TR | 귀 99 | 8542.32.0071 | 1,500 | 비 비 | 8mbit | 55 ns | 플래시 | 1m x 8, 512k x 16 | 평행한 | 55ns | ||||
![]() | MT29F1G16ABBDAH4-IT : D TR | - | ![]() | 1273 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 63-VFBGA | MT29F1G16 | 플래시 - NAND | 1.7V ~ 1.95V | 63-VFBGA (9x11) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 비 비 | 1gbit | 플래시 | 64m x 16 | 평행한 | - | |||||
![]() | MTFC256GAVATTC-AAT | 90.4350 | ![]() | 2840 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 상자 | 활동적인 | - | 557-MTFC256GAVATTC-AAT | 1 | ||||||||||||||||||||||
MT53E768M64D4HJ-046 AAT : C. | 64.0350 | ![]() | 9990 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | 표면 표면 | 556-TFBGA | sdram- 모바일 lpddr4 | 1.06V ~ 1.17V | 556-WFBGA (12.4x12.4) | - | Rohs3 준수 | 557-MT53E768M64D4HJ-046AAT : c | 1 | 2.133 GHz | 휘발성 휘발성 | 48gbit | 3.5 ns | 음주 | 768m x 64 | 평행한 | 18ns | ||||||||
![]() | mtfc8glgdq-ait z tr | - | ![]() | 9638 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 100-lbga | MTFC8 | 플래시 - NAND | 1.65V ~ 3.6V | 100-lbga (14x18) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 비 비 | 64gbit | 플래시 | 8g x 8 | MMC | - | |||||
![]() | MT28FW512ABA1LJS-0AAT TR | - | ![]() | 2604 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) | MT28FW512 | 플래시 - 아니오 | 1.7V ~ 3.6V | 56-tsop | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,600 | 비 비 | 512mbit | 105 ns | 플래시 | 32m x 16 | 평행한 | 60ns | ||||
![]() | MT53E256M32D2DS-053 WT : B TR | - | ![]() | 8401 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 200-WFBGA | MT53E256 | sdram- 모바일 lpddr4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | MT53E256M3DS-053WT : BTR | 귀 99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.866 GHz | 휘발성 휘발성 | 8gbit | 음주 | 256m x 32 | - | - | ||||
![]() | MT29F8T08EWLEEM5-QA : E TR | - | ![]() | 8771 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | - | 557-MT29F8T08EWLEEM5-QA : ETR | 쓸모없는 | 1,500 | |||||||||||||||||||||
![]() | mtfc32gakaeef-ait tr | - | ![]() | 7000 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 169-TFBGA | MTFC32G | 플래시 - NAND | 2.7V ~ 3.6V | 169-TFBGA (14x18) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | mtfc32gakaeef-aittr | 쓸모없는 | 8542.32.0071 | 1,000 | 비 비 | 256gbit | 플래시 | 32g x 8 | MMC | - | ||||
![]() | NAND512W3A2SNXE | - | ![]() | 5189 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) | NAND512 | 플래시 - NAND | 2.7V ~ 3.6V | 48-tsop i | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 576 | 비 비 | 512mbit | 50 ns | 플래시 | 64m x 8 | 평행한 | 50ns | ||||
![]() | MT62F1536M64D8EK-023 FAAT : B TR | 94.8300 | ![]() | 8140 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | 표면 표면 | 441-TFBGA | sdram- 모바일 lpddr5 | - | 441-TFBGA (14x14) | - | 557-MT62F1536M64D8D8D8EK-023FAAT : BTR | 1,500 | 4.266 GHz | 휘발성 휘발성 | 96gbit | 음주 | 1.5GX 64 | 평행한 | - | |||||||||
![]() | MT49H64M9BM-25 : B TR | - | ![]() | 7693 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 144-TFBGA | MT49H64M9 | 음주 | 1.7V ~ 1.9V | 144-µBGA (18.5x11) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 400MHz | 휘발성 휘발성 | 576mbit | 20 ns | 음주 | 64m x 9 | 평행한 | - | |||
MT29C1G12MAACAFAMD-6 IT TR | - | ![]() | 4940 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 130-VFBGA | MT29C1G12 | 플래시 -Nand, n lpdram | 1.7V ~ 1.95V | 130-VFBGA (8x9) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 166 MHz | 비 비, 휘발성 | 1GBIT (NAND), 512MBIT (LPDRAM) | 플래시, 램 | 128m x 8 (NAND), 16m x 32 (lpdram) | 평행한 | - | |||||
![]() | M29DW641F70N6E | - | ![]() | 9977 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) | M29DW641 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 48-tsop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | 비 비 | 64mbit | 70 ns | 플래시 | 4m x 16 | 평행한 | 70ns | ||||
![]() | mtfc8gamalbh-aat tr | 11.1750 | ![]() | 7981 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 153-TFBGA | MTFC8 | 플래시 - NAND | - | 153-TFBGA (11.5x13) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 비 비 | 64gbit | 플래시 | 8g x 8 | MMC | - | |||||
![]() | ECF620AAACN-C1-Y3-ES | - | ![]() | 8126 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | ECF620 | - | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | MT62F2G32D4DS-026 AAT : b | 63.8550 | ![]() | 8885 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 상자 | 활동적인 | - | 표면 표면 | 200-WFBGA | sdram- 모바일 lpddr5 | 1.05V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | 557-MT62F2G32D4DS-026AAT : b | 1 | 휘발성 휘발성 | 64gbit | 음주 | 2G X 32 | 평행한 | - | ||||||||||
![]() | MT29F16G08ABCBBH1-12IT : b | - | ![]() | 2017 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 100-VBGA | MT29F16G08 | 플래시 - NAND | 2.7V ~ 3.6V | 100-VBGA (12x18) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 83MHz | 비 비 | 16gbit | 플래시 | 2G X 8 | 평행한 | - | |||||
![]() | MT53E2G32D4DE-046 AIT : a | 57.3900 | ![]() | 8020 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 상자 | 활동적인 | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 200-TFBGA | sdram- 모바일 lpddr4x | 1.06V ~ 1.17V | 200-TFBGA (10x14.5) | 다운로드 | 557-MT53E2G32D4DE-046AIT : a | 1 | 2.133 GHz | 휘발성 휘발성 | 64gbit | 3.5 ns | 음주 | 2G X 32 | 평행한 | 18ns | ||||||||
![]() | MT29F8G16ABBCAM71M3WC1 | - | ![]() | 9791 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 대부분 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 주사위 | MT29F8G16 | 플래시 - NAND | 1.7V ~ 1.95V | 주사위 | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1 | 비 비 | 8gbit | 플래시 | 512m x 16 | 평행한 | - | ||||||
![]() | PC48F4400P0VB0EE | - | ![]() | 6073 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Axcell ™ | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 64-lbga | PC48F4400 | 플래시 - 아니오 | 1.7V ~ 2V | 64-ESYBGA (10x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 136 | 52MHz | 비 비 | 512mbit | 100 ns | 플래시 | 32m x 16 | 평행한 | 100ns | |||
![]() | MT29RZ1CVCZZHGTN-25 W.4M0 | - | ![]() | 3228 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 표면 표면 | 121-WFBGA | 121-VFBGA (8x7.5) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | |||||||||||||||
![]() | M29F800DT70M6 | - | ![]() | 2002 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 44-SOIC (0.525 ", 13.34mm 너비) | M29F800 | 플래시 - 아니오 | 4.5V ~ 5.5V | 44- | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 16 | 비 비 | 8mbit | 70 ns | 플래시 | 1m x 8, 512k x 16 | 평행한 | 70ns | ||||
![]() | MT58L256L36DS-10 | 8.5300 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | SyncBurst ™ | 대부분 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 100-lqfp | MT58L256L36 | sram- 동기 | 3.135V ~ 3.6V | 100-TQFP (14x20.1) | 다운로드 | rohs 비준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100MHz | 휘발성 휘발성 | 8mbit | 5 ns | SRAM | 256k x 36 | 평행한 | - | |||
![]() | MT62F1G32D2DS-023 FAAT : B TR | 31.9350 | ![]() | 7436 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | 표면 표면 | 200-WFBGA | sdram- 모바일 lpddr5 | 1.05V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | 557-MT62F1G32DS-023FAAT : BTR | 2,000 | 3.2GHz | 휘발성 휘발성 | 32gbit | 음주 | 1g x 32 | 평행한 | - | |||||||||
![]() | N25Q032A13ESE40F TR | - | ![]() | 5073 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) | N25Q032A13 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 도 8- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,500 | 108 MHz | 비 비 | 32mbit | 플래시 | 8m x 4 | SPI | 8ms, 5ms | ||||
![]() | MTFC64GASAQHD-AAT | 31.2900 | ![]() | 2756 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 상자 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 153-VFBGA | 플래시 -Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 153-VFBGA (11.5x13) | - | 557-MTFC64GASAQHD-AAT | 1 | 200MHz | 비 비 | 512gbit | 플래시 | 64g x 8 | EMMC_5.1 | - | |||||||||
![]() | JS28F128M29ewha | - | ![]() | 4832 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) | JS28F128M29 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 56-tsop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | 비 비 | 128mbit | 70 ns | 플래시 | 16m x 8, 8m x 16 | 평행한 | 70ns | ||||
![]() | MT29F1T08EBLCHD4-QJ : C. | 20.9850 | ![]() | 1596 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 상자 | 활동적인 | - | 557-MT29F1T08EBLCHD4-QJ : C. | 1 |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
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